冯0 ; 10/04
DS2030W 3.3V单件256K
非易失SRAM
概述
该DS2030W是一个256KB回流焊非易失（ NV ）
的SRAM ，它由一个静态RAM（SRAM ）的，一个非易失
控制器和内置的可充电锰
锂（ ML）的电池。这些部件被包裹在
表面贴装模块与256焊球BGA足迹。
每当V
CC
被施加到模块时，它充电的
ML电池，权力的SRAM由外部电源
源，并允许SRAM的内容是MOD-
后指定。当V
CC
断电或出公差，
控制器写保护SRAM的内容，
功率从电池的SRAM中。该DS2030W还
包含一个电源监视器输出，
RST ，
这可
被用作CPU监控为一微处理器。
特点
单件，回流焊， 27毫米
2
PBGA封装
脚印
内部ML电池和充电器
无条件写保护SRAM当V
CC
是Out的公差
自动切换到电池供电时，
V
CC
停电发生
内置电源监视器检测电源故障
低于标称V
CC
(3.3V)
复位输出可作为一个CPU监控
一个微处理器
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）
UL认可
DS2030W
应用
RAID系统和服务器
工业控制器
赌博
路由器/交换机
POS终端
数据采集系统
火灾报警器
PLC
引脚配置在数据资料的最后。
订购信息
部分
DS2030W-100
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
256球27毫米
2
BGA模块
速度快（纳秒）
100
电源容限（ ％ ）
3.3V ±0.3V
典型工作电路
外部解码逻辑
P3.6
P3.7
PSEN
（WR）
（ RD ）
和
OE
DQ0–7
CE
WE
DS2030W
32K ×8
NV SRAM
8051
微处理器
P0.0–7
ALE
P2.0–6
(INT3)
8位
SN74AC573
LATCH
D0–7
Q0–7
LE
7位
8位
A0–7
A8–14
P1.5
RST
______________________________________________
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1
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DS2030W 3.3V单件256K
非易失SRAM
DS2030W
绝对最大额定值
任何引脚对地.................- 0.3V至+ 4.6V的电压
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围...............................- 40 ° C至+ 85°C
焊接温度...................见IPC / JEDEC J -STD- 020C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
电源电压
输入逻辑1
输入逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
条件
民
3.0
2.2
0
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
0.4
单位
V
V
V
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）。
参数
输入漏电流
I / O漏电流
输出电流高
输出电流低
输出电流低
RST
待机电流
工作电流
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
OL
RST
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
CE
= V
CC
在2.4V
在0.4V
在0.4V （注1 ）
CE
= 2.2V
CE
= V
CC
- 0.2V
t
RC
= 200ns内，输出开路
2.8
2.9
条件
民
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
10.0
0.5
0.2
7
5
50
3.0
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
电容
(T
A
= +25°C)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
OUT
未测试
未测试
条件
民
典型值
7
7
最大
单位
pF
pF
2
_____________________________________________________________________
DS2030W 3.3V单件256K
非易失SRAM
AC电气特性
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）。
参数
读周期时间
存取时间
OE
到输出有效
CE
到输出有效
OE
or
CE
到输出有效
从输出高阻抗
取消选择
从地址变更输出保持
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
从输出高阻抗
WE
输出活动
WE
数据建立时间
数据保持时间
符号
t
RC
t
加
t
OE
t
CO
t
COE
t
OD
t
OH
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
（注4 ）
（注5 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注6 ）
（注4 ）
（注5 ）
5
40
0
20
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
5
100
75
0
5
20
35
5
35
条件
DS2030W-100
民
100
100
50
100
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
DS2030W
掉电/上电时序
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
V
CC
无法检测到
CE
和
WE
待用
V
CC
从V转换
TP
为0V
V
CC
摆在0V至V
TP
V
CC
有效期至
CE
和
WE
待用
V
CC
有效期至结束写保护
V
CC
无法检测到
RST
活跃
V
CC
有效期至
RST
待用
符号
t
PD
t
F
t
R
t
PU
t
REC
t
RPD
t
RPU
（注1 ）
（注1 ）
225
350
条件
（注7 ）
150
150
2
125
3.0
525
民
典型值
最大
1.5
单位
s
s
s
ms
ms
s
ms
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
预计数据保持时间（每次充电）
符号
t
DR
条件
（注8）
民
2
典型值
3
最大
单位
岁月
_____________________________________________________________________
3
DS2030W 3.3V单件256K
非易失SRAM
DS2030W
读周期
t
RC
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
OH
t
加
V
IH
CE
V
IL
t
CO
V
IH
V
IH
V
IL
地址
t
OD
V
IH
OE
t
COE
t
COE
D
OUT
V
OH
V
OL
产量
数据有效
V
IL
t
OD
V
OH
V
OL
t
OE
V
IH
（见注9 ）
4
_____________________________________________________________________
DS2030W 3.3V单件256K
非易失SRAM
写周期1
t
WC
地址
V
IH
V
IL
t
AW
CE
V
IL
t
WP
WE
V
IH
t
ODW
D
OUT
高
阻抗
t
DS
V
IH
D
IN
V
IL
（见注2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 10-13 。 ）
数据稳定
V
IL
t
DH1
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
t
OEW
V
IL
t
WR1
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
DS2030W
写周期2
t
WC
地址
V
IH
V
IL
t
AW
t
WP
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
t
WR2
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CE
V
IH
WE
t
COE
V
IL
t
ODW
V
IL
D
OUT
t
DS
V
IH
D
IN
V
IL
（见注2 ， 3 ， 5 ， 6 ， 10-13 。 ）
数据稳定
V
IL
t
DH2
V
IH
_____________________________________________________________________
5
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