第2版; 1/05
DS2030Y / AB单件256KB
非易失SRAM
概述
该DS2030是256KB回流焊非易失（ NV ）
的SRAM ，它由一个静态RAM（SRAM ）的，一个非易失
控制器和内置的可充电锰lithi-
UM （ ML ）电池。这些部件被包裹在一个
表面贴装模块与256焊球BGA足迹。
每当V
CC
被施加到模块时，它充电的
ML电池，权力的SRAM由外部电源
源，并允许SRAM的内容是作案
田间。当V
CC
断电或出公差时，
控制器的写保护SRAM的内容和pow-
ERS来自电池的SRAM中。两个版本的
DS2030是可用的，它们提供了无论是5％或10％的
功率监视跳闸点。该DS2030还包含一个
电源监视器输出，
RST ，
可以使用的
作为CPU监控的微处理器。
特点
单件，回流焊， 27毫米
2
PBGA封装
脚印
内部ML电池和充电器
无条件写保护SRAM当V
CC
是Out的公差
自动切换到电池供电时，
V
CC
停电发生
内置电源监视器检测电源故障
在5％或10 ％，低于标称V
CC
(5V)
复位输出可作为一个CPU监控
一个微处理器
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）
UL认可
DS2030Y/AB
应用
RAID系统和服务器
工业控制器
赌博
路由器/交换机
POS终端
数据采集系统
火灾报警器
PLC
引脚配置在数据资料的最后。
订购信息
部分
DS2030AB-70
DS2030AB-100
DS2030Y-70
DS2030Y-100
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
256球27毫米
2
BGA模块
256球27毫米
2
BGA模块
256球27毫米
2
BGA模块
256球27毫米
2
BGA模块
速度快（纳秒）
70
100
70
100
电源容限（ ％ ）
5
5
10
10
典型工作电路
外部解码逻辑
P3.6
P3.7
PSEN
（WR）
（ RD ）
和
OE
DQ0–7
CE
WE
DS2030
32K ×8
NV SRAM
8051
微处理器
P0.0–7
ALE
P2.0–6
(INT3)
8位
SN74AC573
LATCH
D0–7
Q0–7
LE
7位
8位
A0–7
A8–14
P1.5
RST
______________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
DS2030Y / AB单件256KB
非易失SRAM
DS2030Y/AB
绝对最大额定值
任何引脚对地.................- 0.3V至+ 6.0V的电压
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围...............................- 40 ° C至+ 85°C
焊接温度...................见IPC / JEDEC J -STD- 020C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
电源电压
输入逻辑1
输入逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
DS2030AB
DS2030Y
条件
民
4.75
4.50
2.2
0
典型值
最大
5.25
5.50
V
CC
0.8
单位
V
V
V
DC电气特性
(V
CC
= 5V ±5％ DS2030AB ，V
CC
= 5V ± 10％， DS2030Y ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）。
参数
输入漏电流
I / O漏电流
输出电流高
输出电流低
输出电流低
RST
待机电流
工作电流
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
OL
RST
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
CE
= V
CC
在2.4V
在0.4V
在0.4V （注1 ）
CE
= 2.2V
CE
= V
CC
- 0.5V
t
RC
= 200ns内，输出开路
DS2030AB
DS2030Y
4.50
4.25
4.62
4.37
条件
民
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
10.0
0.5
0.2
7
5
85
4.75
4.50
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
电容
(T
A
= +25°C)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
OUT
未测试
未测试
条件
民
典型值
7
7
最大
单位
pF
pF
2
_____________________________________________________________________
DS2030Y / AB单件256KB
非易失SRAM
AC电气特性
(V
CC
= 5V ±5％ DS2030AB ，V
CC
= 5V ± 10％， DS2030Y ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）。
参数
读周期时间
存取时间
OE
到输出有效
CE
到输出有效
OE
or
CE
到输出有效
从输出高阻抗
取消选择
从地址变更输出保持
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
从输出高阻抗
WE
输出活动
WE
数据建立时间
数据保持时间
符号
t
RC
t
加
t
OE
t
CO
t
COE
t
OD
t
OH
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
（注4 ）
（注5 ）
（注2 ）
（注2 ）
（注6 ）
（注4 ）
（注5 ）
5
30
0
10
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
5
70
55
0
5
15
25
5
40
0
10
5
25
5
100
75
0
5
15
35
条件
DS2030AB-70
DS2030Y-70
民
70
70
35
70
5
35
最大
DS2030AB-100
DS2030Y-100
民
100
100
50
100
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
DS2030Y/AB
掉电/上电时序
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ）
参数
V
CC
无法检测到
CE
和
WE
待用
V
CC
从V转换
TP
为0V
V
CC
摆在0V至V
TP
V
CC
有效期至
CE
和
WE
待用
V
CC
有效期至结束写保护
V
CC
无法检测到
RST
活跃
V
CC
有效期至
RST
待用
符号
t
PD
t
F
t
R
t
PU
t
REC
t
RPD
t
RPU
（注1 ）
（注1 ）
225
350
条件
（注7 ）
150
150
2
125
3.0
525
民
典型值
最大
1.5
单位
s
s
s
ms
ms
s
ms
数据保留
(T
A
= +25°C)
参数
预计数据保持时间（每次充电）
符号
t
DR
条件
（注8）
民
2
典型值
3
最大
单位
岁月
_____________________________________________________________________
3
DS2030Y / AB单件256KB
非易失SRAM
DS2030Y/AB
读周期
t
RC
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
OH
t
加
V
IH
CE
V
IL
t
CO
V
IH
V
IH
V
IL
地址
t
OD
V
IH
OE
t
COE
t
COE
D
OUT
V
OH
V
OL
产量
数据有效
V
IL
t
OD
V
OH
V
OL
t
OE
V
IH
（见注9 ）
4
_____________________________________________________________________
DS2030Y / AB单件256KB
非易失SRAM
写周期1
DS2030Y/AB
t
WC
地址
V
IH
V
IL
t
AW
CE
V
IL
t
WP
WE
V
IH
t
ODW
D
OUT
高
阻抗
t
DS
V
IH
D
IN
V
IL
（见注2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 10-13 。 ）
数据稳定
V
IL
t
DH1
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
t
OEW
V
IL
t
WR1
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
写周期2
t
WC
地址
V
IH
V
IL
t
AW
t
WP
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
t
WR2
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CE
V
IH
WE
t
COE
V
IL
t
ODW
V
IL
D
OUT
t
DS
V
IH
D
IN
V
IL
（见注2 ， 3 ， 5 ， 6 ， 10-13 。 ）
数据稳定
V
IL
t
DH2
V
IH
_____________________________________________________________________
5
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