DS2003高电流/电压达林顿驱动器
2000年1月
DS2003
高电流/电压达林顿驱动器
概述
该DS2003是由7高电压，大电流
租NPN达林顿晶体管对。所有客房提供的COM
周一发射极，集电极开路输出。为了最大限度地提高他们的effec-
那些收不到，这些单位包括抑制二极管
感性负载和相应的发射基地电阻
泄漏。
在DS2003具有一系列基极电阻以每达林顿
对，从而使操作直接与TTL或CMOS能操作
阿婷在5.0V的电源电压。
该DS2003提供的解决方案了大量的接口
需求，包括电磁阀，继电器，灯具，小马达，和
LED指示灯。需要超越capa-沉电流的应用
单个输出的相容性可通过并联容纳
的输出。
特点
n
n
n
n
n
n
七个高增益达灵顿对
高输出电压（V
CE
= 50V)
高输出电流（I
C
= 350 mA）的
TTL ， PMOS ， CMOS兼容
抑制二极管的电感负载
扩展级温度范围
接线图
16引脚DIP
DS009647-1
顶视图
订单号
N包装
数
N16E
DS2003TN
DS2003CN
男包
数
M16A
DS2003TM
DS2003CM
2000美国国家半导体公司
DS009647
www.national.com
DS2003
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
DS2003TN ， DS2003TM
DS2003CN ， DS2003CM
焊接温度
焊接10秒
最大功率耗散
*
在T
A
=
25C
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 105°C
0 ° C至+ 85°C
265C
N16E套餐
M16A套餐
输入电压
输出电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
1330毫瓦
770毫瓦
30V
55V
6.0V
500毫安
25毫安
注意：
*减免N16E包13.3毫瓦/ C对于T
A
25℃以上。减额M16A
包7.7毫瓦/ C对于T
A
25℃以上。
电气特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明（注2）
符号
I
CEX
参数
输出漏
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
输入电流
输入电流
（注4 ）
输入电压
（注5 ）
输入电容
导通延迟
关断延时
钳位二极管
漏电流
钳位二极管
正向电压
0.5 V
I
以0.5 V
O
0.5 V
I
以0.5 V
O
V
R
= 50V
（图7 ）笔
A
= 25C
T
A
= 85C
I
F
= 350毫安
（图8）
1.7
条件
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 50V
（图1）
T
A
= 85°C ，V
CE
= 50V
（图1）
对于DS2003CN ， DS2003CM
T
A
= 105 ° C，V
CE
= 50V
（图1）
对于DS2003TN ， DS2003TM
I
C
= 350 mA时，我
B
= 500 A
（图3）
（注3）
I
C
= 200毫安，我
B
= 350 A
（图3）
I
C
= 100毫安，我
B
= 250 A
（图3）
V
I
= 3.85V
（图4）
T
A
= 85℃ DS2003CN ， DS2003CM
I
C
= 500 A
（图5）
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 200毫安
（图6）
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 250毫安
（图6）
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 300毫安
（图6）
15
50
1.25
1.1
0.9
0.93
100
2.4
2.7
3.0
30
1.0
1.0
50
100
2.0
pF
s
s
A
A
V
V
民
典型值
最大
20
100
150
1.6
1.3
1.1
1.35
mA
A
V
A
单位
V
CE （ SAT ）
I
我（上）
I
我（关闭）
V
我（上）
C
I
t
PLH
t
PHL
I
R
V
F
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表提供器件的实际工作情况。
注2 ：
所有参数适用于整个达林顿系列作为指定一个单一设备类型的除外。
注3 ：
在正常操作条件下，这些单位将维持每个输出350毫安与V
CE （SAT）
= 1.6V ，在70°C与20 ms的脉冲宽度和占空比
30%.
注4 ：
在我
我（关闭）
电流限制保证对部分点灯的输出。
注5 ：
在V
我（上）
电压限制，保证每个规定的试验条件下的最小输出灌电流。
www.national.com
2
DS2003 DS9667 DS2004高电流电压达林顿驱动器
1995年12月
DS2003 DS9667 DS2004
高电压电流达林顿驱动器
概述
在DS2003 DS9667 DS2004是由七个高
电压大电流NPN达林顿晶体管对所有
单位设有共发射极开路集电极输出为
最大限度地发挥其功效，这些单位包括suppres-
锡安二极管的电感负载和相应的发射基地
电阻漏
在DS2003 DS9667具有一系列基极电阻以每
达林顿对从而使操作直接与TTL或
CMOS工作在5 0V的电源电压
该DS2004有一个合适的输入电阻，以允许直接
从支持经营CMOS或PMOS输出操作
6层0V电压15V
在DS2003 DS9667 DS2004提供解决方案，以一个伟大的
许多接口需要，包括电磁阀继电器灯
小型电机和LED应用需要吸收电流
超出了单个输出的能力可能是accommo-
通过并联输出日期
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
七个高增益达灵顿对
高输出电压（V
CE
e
50V)
高输出电流（I
C
e
350毫安）
TTL PMOS CMOS兼容
抑制二极管的电感负载
扩展级温度范围
接线图
订单号
套餐
数
J16A
N包装
数
N16E
DS2003TN
DS2003CN
DS9667TN
DS9667CN
男包
数
M16A
DS2003TM
DS2003CM
16引脚DIP
DS2003
DS9667
DS2003MJ
DS2003TJ
DS2003CJ
DS9667MJ
DS9667TJ
DS9667CJ
DS2004MJ
DS2004TJ
DS2004CJ
DS2004
DS2004TN
DS2004CN
DS2004TM
DS2004CM
TL F 9647 - 1
顶视图
C
1996年美国国家半导体公司
TL F 9647
RRD - B30M66印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
存储温度范围
陶瓷DIP
模压DIP
工作温度范围
DS2003M DS9667M
DS2004M
DS2003T DS9667T
DS2004T
DS2003C DS9667C
DS2004C
b
65℃，以
a
175 C
b
65℃，以
a
150 C
b
55 ℃
b
55 ℃
b
40℃
b
40℃
a
125 C
a
125 C
a
105 C
a
105 C
焊接温度
陶瓷DIP （焊接60秒）
DIP成型（焊接10秒）
在25℃时最大功率耗散
腔体套餐
模压封装
S 0包
300 C
265 C
2016年毫瓦
1838毫瓦
926毫瓦
减免腔封装16 13毫瓦C以上25°C减免成型DIP封装
14岁7毫瓦C以上25 C减免SO封装， 7 4毫瓦
0 ℃
a
85 C
0 ℃
a
85 C
输入电压
输出电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
民
典型值
30V
55V
6 0V
500毫安
25毫安
最大
20
100
500
1 25
11
09
16
13
11
1 35
05
1 45
mA
24
27
30
V
mA
V
mA
单位
电气特性
T
A
e
25 C
符号
I
CEX
参数
输出漏
当前
除非另有规定ED （注2 ）
条件
T
A
e
25℃ V
CE
e
50V
（图1a）
T
A
e
85 C V
CE
e
50V
（图1a）
对于商业级
T
A
e
25℃ V
CE
e
50V V
I
e
1 0V
（图1b）
DS2004
I
C
e
350毫安我
B
e
500
mA
（图2）
（注3）
I
C
e
200毫安我
B
e
350
mA
（图2）
I
C
e
百毫安我
B
e
250
mA
（图2）
V
I
e
3 85V
（图3）
V
I
e
5 0V
（图3）
V
I
e
12V
（图3）
DS2003 DS9667
DS2004
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
我（上）
输入电流
0 93
0 35
10
50
100
I
我（关闭）
V
我（上）
输入电流
（注4 ）
输入电压
（注5 ）
T
A
e
85℃商业
I
C
e
500
mA
（图4）
V
CE
e
2 0V我
C
e
200毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
250毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
300毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
125毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
200毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
275毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
350毫安
（图5）
DS2004
DS2003 DS9667
50
60
70
80
15
30
10
10
pF
ms
ms
mA
mA
V
C
I
t
PLH
t
PHL
I
R
V
F
输入电容
导通延迟
关断延时
钳位二极管
漏电流
钳位二极管
正向电压
0 5 V
I
0至5 V
O
0 5 V
I
0至5 V
O
V
R
e
50V
（图6）
I
F
e
350毫安
（图7）
T
A
e
25 C
T
A
e
85 C
50
100
17
20
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性'的表格提供了器件的实际工作条件
注2
所有参数适用于整个达林顿系列作为指定一个单一设备类型除外
注3
在正常操作条件下，这些单位将维持每个输出350毫安与V
CE （SAT）
e
1 6V在70℃下为20毫秒的脉冲宽度和占空比
30%
注4
在我
我（关闭）
电流限制保证对部分点灯的输出
注5
在V
我（上）
电压限制，保证每个规定的试验条件下的最小输出灌电流
HTTP
WWW国家COM
2
DS2003 DS9667 DS2004高电流电压达林顿驱动器
1995年12月
DS2003 DS9667 DS2004
高电压电流达林顿驱动器
概述
在DS2003 DS9667 DS2004是由七个高
电压大电流NPN达林顿晶体管对所有
单位设有共发射极开路集电极输出为
最大限度地发挥其功效，这些单位包括suppres-
锡安二极管的电感负载和相应的发射基地
电阻漏
在DS2003 DS9667具有一系列基极电阻以每
达林顿对从而使操作直接与TTL或
CMOS工作在5 0V的电源电压
该DS2004有一个合适的输入电阻，以允许直接
从支持经营CMOS或PMOS输出操作
6层0V电压15V
在DS2003 DS9667 DS2004提供解决方案，以一个伟大的
许多接口需要，包括电磁阀继电器灯
小型电机和LED应用需要吸收电流
超出了单个输出的能力可能是accommo-
通过并联输出日期
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
七个高增益达灵顿对
高输出电压（V
CE
e
50V)
高输出电流（I
C
e
350毫安）
TTL PMOS CMOS兼容
抑制二极管的电感负载
扩展级温度范围
接线图
订单号
套餐
数
J16A
N包装
数
N16E
DS2003TN
DS2003CN
DS9667TN
DS9667CN
男包
数
M16A
DS2003TM
DS2003CM
16引脚DIP
DS2003
DS9667
DS2003MJ
DS2003TJ
DS2003CJ
DS9667MJ
DS9667TJ
DS9667CJ
DS2004MJ
DS2004TJ
DS2004CJ
DS2004
DS2004TN
DS2004CN
DS2004TM
DS2004CM
TL F 9647 - 1
顶视图
C
1996年美国国家半导体公司
TL F 9647
RRD - B30M66印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
存储温度范围
陶瓷DIP
模压DIP
工作温度范围
DS2003M DS9667M
DS2004M
DS2003T DS9667T
DS2004T
DS2003C DS9667C
DS2004C
b
65℃，以
a
175 C
b
65℃，以
a
150 C
b
55 ℃
b
55 ℃
b
40℃
b
40℃
a
125 C
a
125 C
a
105 C
a
105 C
焊接温度
陶瓷DIP （焊接60秒）
DIP成型（焊接10秒）
在25℃时最大功率耗散
腔体套餐
模压封装
S 0包
300 C
265 C
2016年毫瓦
1838毫瓦
926毫瓦
减免腔封装16 13毫瓦C以上25°C减免成型DIP封装
14岁7毫瓦C以上25 C减免SO封装， 7 4毫瓦
0 ℃
a
85 C
0 ℃
a
85 C
输入电压
输出电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
民
典型值
30V
55V
6 0V
500毫安
25毫安
最大
20
100
500
1 25
11
09
16
13
11
1 35
05
1 45
mA
24
27
30
V
mA
V
mA
单位
电气特性
T
A
e
25 C
符号
I
CEX
参数
输出漏
当前
除非另有规定ED （注2 ）
条件
T
A
e
25℃ V
CE
e
50V
（图1a）
T
A
e
85 C V
CE
e
50V
（图1a）
对于商业级
T
A
e
25℃ V
CE
e
50V V
I
e
1 0V
（图1b）
DS2004
I
C
e
350毫安我
B
e
500
mA
（图2）
（注3）
I
C
e
200毫安我
B
e
350
mA
（图2）
I
C
e
百毫安我
B
e
250
mA
（图2）
V
I
e
3 85V
（图3）
V
I
e
5 0V
（图3）
V
I
e
12V
（图3）
DS2003 DS9667
DS2004
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
我（上）
输入电流
0 93
0 35
10
50
100
I
我（关闭）
V
我（上）
输入电流
（注4 ）
输入电压
（注5 ）
T
A
e
85℃商业
I
C
e
500
mA
（图4）
V
CE
e
2 0V我
C
e
200毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
250毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
300毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
125毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
200毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
275毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
350毫安
（图5）
DS2004
DS2003 DS9667
50
60
70
80
15
30
10
10
pF
ms
ms
mA
mA
V
C
I
t
PLH
t
PHL
I
R
V
F
输入电容
导通延迟
关断延时
钳位二极管
漏电流
钳位二极管
正向电压
0 5 V
I
0至5 V
O
0 5 V
I
0至5 V
O
V
R
e
50V
（图6）
I
F
e
350毫安
（图7）
T
A
e
25 C
T
A
e
85 C
50
100
17
20
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性'的表格提供了器件的实际工作条件
注2
所有参数适用于整个达林顿系列作为指定一个单一设备类型除外
注3
在正常操作条件下，这些单位将维持每个输出350毫安与V
CE （SAT）
e
1 6V在70℃下为20毫秒的脉冲宽度和占空比
30%
注4
在我
我（关闭）
电流限制保证对部分点灯的输出
注5
在V
我（上）
电压限制，保证每个规定的试验条件下的最小输出灌电流
HTTP
WWW国家COM
2
DS2003高电流/电压达林顿驱动器
2000年1月
DS2003
高电流/电压达林顿驱动器
概述
该DS2003是由7高电压，大电流
租NPN达林顿晶体管对。所有客房提供的COM
周一发射极，集电极开路输出。为了最大限度地提高他们的effec-
那些收不到，这些单位包括抑制二极管
感性负载和相应的发射基地电阻
泄漏。
在DS2003具有一系列基极电阻以每达林顿
对，从而使操作直接与TTL或CMOS能操作
阿婷在5.0V的电源电压。
该DS2003提供的解决方案了大量的接口
需求，包括电磁阀，继电器，灯具，小马达，和
LED指示灯。需要超越capa-沉电流的应用
单个输出的相容性可通过并联容纳
的输出。
特点
n
n
n
n
n
n
七个高增益达灵顿对
高输出电压（V
CE
= 50V)
高输出电流（I
C
= 350 mA）的
TTL ， PMOS ， CMOS兼容
抑制二极管的电感负载
扩展级温度范围
接线图
16引脚DIP
DS009647-1
顶视图
订单号
N包装
数
N16E
DS2003TN
DS2003CN
男包
数
M16A
DS2003TM
DS2003CM
2000美国国家半导体公司
DS009647
www.national.com
DS2003
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
工作温度范围
DS2003TN ， DS2003TM
DS2003CN ， DS2003CM
焊接温度
焊接10秒
最大功率耗散
*
在T
A
=
25C
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 105°C
0 ° C至+ 85°C
265C
N16E套餐
M16A套餐
输入电压
输出电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
1330毫瓦
770毫瓦
30V
55V
6.0V
500毫安
25毫安
注意：
*减免N16E包13.3毫瓦/ C对于T
A
25℃以上。减额M16A
包7.7毫瓦/ C对于T
A
25℃以上。
电气特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明（注2）
符号
I
CEX
参数
输出漏
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
输入电流
输入电流
（注4 ）
输入电压
（注5 ）
输入电容
导通延迟
关断延时
钳位二极管
漏电流
钳位二极管
正向电压
0.5 V
I
以0.5 V
O
0.5 V
I
以0.5 V
O
V
R
= 50V
（图7 ）笔
A
= 25C
T
A
= 85C
I
F
= 350毫安
（图8）
1.7
条件
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 50V
（图1）
T
A
= 85°C ，V
CE
= 50V
（图1）
对于DS2003CN ， DS2003CM
T
A
= 105 ° C，V
CE
= 50V
（图1）
对于DS2003TN ， DS2003TM
I
C
= 350 mA时，我
B
= 500 A
（图3）
（注3）
I
C
= 200毫安，我
B
= 350 A
（图3）
I
C
= 100毫安，我
B
= 250 A
（图3）
V
I
= 3.85V
（图4）
T
A
= 85℃ DS2003CN ， DS2003CM
I
C
= 500 A
（图5）
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 200毫安
（图6）
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 250毫安
（图6）
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 300毫安
（图6）
15
50
1.25
1.1
0.9
0.93
100
2.4
2.7
3.0
30
1.0
1.0
50
100
2.0
pF
s
s
A
A
V
V
民
典型值
最大
20
100
150
1.6
1.3
1.1
1.35
mA
A
V
A
单位
V
CE （ SAT ）
I
我（上）
I
我（关闭）
V
我（上）
C
I
t
PLH
t
PHL
I
R
V
F
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表提供器件的实际工作情况。
注2 ：
所有参数适用于整个达林顿系列作为指定一个单一设备类型的除外。
注3 ：
在正常操作条件下，这些单位将维持每个输出350毫安与V
CE （SAT）
= 1.6V ，在70°C与20 ms的脉冲宽度和占空比
30%.
注4 ：
在我
我（关闭）
电流限制保证对部分点灯的输出。
注5 ：
在V
我（上）
电压限制，保证每个规定的试验条件下的最小输出灌电流。
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2
DS2003
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SNLS394J - 2000年1月 - 修订2013年4月
DS2003高电流/电压达林顿驱动器
检查样品：
DS2003
1
特点
七个高增益达灵顿对
高输出电压（V
CE
= 50V)
高输出电流（I
C
= 350 mA）的
TTL ， PMOS ， CMOS兼容
抑制二极管的电感负载
扩展级温度范围
描述
该DS2003包括七个高电压，高
目前NPN达林顿晶体管对。各单位
拥有一个共同的发射极和集电极开路输出。
为了最大限度地发挥其功效，这些单位包括
抑制二极管的电感负载和
适当的发射基地电阻泄漏。
在DS2003具有一系列基极电阻以每
达林顿对，从而允许直接与操作
TTL或CMOS工作在5.0V的电源电压。
该DS2003提供的解决方案了大量
接口需求，包括电磁阀，继电器，灯具，
小型电机和LED 。需要应用汇
超出了单个输出的能力的电流可
通过并联输出得到满足。
2
接线图
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
IN A
IN B
在C
在D
在电子商务
f中
以g
GND
A
B
C
D
E
F
G
OUT A
OUT B
输出C
输出D
输出E
输出F
出摹
常见
图1 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2000至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DS2003
SNLS394J - 2000年1月 - 修订2013年4月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
存储温度范围
工作温度范围，T
A
DS2003T
DS2003C
结温范围，T
J
焊接温度
焊接10秒
ESD额定值
人体模型
机器型号
封装的热耗散额定值
NFG0016E套餐
θ
J- á
D0016A套餐
θ
J- á
输入电压
输出电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
(1)
(2)
88°C/W
115°C/W
0.3V
至30V
55V
6.0V
500毫安
25毫安
+/-2000V
+/- 200V
265°C
40°C
至+ 125°C
40°C
至+ 85°C
40°C
至+ 150°C
65°C
至+ 150°C
“绝对最大额定值”超出了不能指定的设备的安全性的价值观。它们并不意味着
该装置应在这些限制下工作。该
电气特性
为实际设备运行情况。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
电气特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
I
CEX
输出漏
当前
(1)
测试条件
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 50V （图
6)
T
A
= 85°C ，V
CE
= 50V （图
6)
T
A
= 125°C ，V
CE
= 50V （图
6)
对于DS2003T
I
C
= 350mA，可我
B
= 500μA （图
8)
(2)
I
C
=的200mA，我
B
= 350μA （图
8)
I
C
= 100mA时我
B
= 250μA （图
8)
V
I
= 3.85V （图
9)
I
C
= 500μA （图
10)
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= + 125℃的DS2003T
民
典型值
最大
20
100
150
单位
μA
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
1.25
1.1
0.9
0.93
50
50
25
10
100
100
50
25
1.6
1.3
1.1
1.35
V
I
我（上）
I
我（关闭）
输入电流
输入电流
(3)
mA
μA
V
我（上）
输入电压
(4)
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 200毫安（图
11)
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 250毫安（图
11)
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 300mA（对图
11)
2.4
2.7
3.0
15
30
1.0
1.0
V
C
I
t
PLH
t
PHL
(1)
(2)
(3)
(4)
2
输入电容
导通延迟
关断延时
0.5 V
I
以0.5 V
O
0.5 V
I
以0.5 V
O
pF
μs
μs
所有参数适用于整个达林顿系列作为指定一个单一设备类型的除外。
在正常操作条件下，这些单位将维持每个输出350毫安与V
CE （SAT）
= 1.6V ，在70 ℃下为20毫秒的脉冲宽度
和30％的占空比。
在我
我（关闭）
电流限制确保了对部分点灯的输出。
在V
我（上）
电压限制确保每个规定的试验条件下的最小输出灌电流。
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DS2003
版权所有 2000至13年，德州仪器
DS2003
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SNLS394J - 2000年1月 - 修订2013年4月
电气特性（续）
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
(1)
参数
I
R
钳位二极管
漏电流
V
R
= 50V （图
12)
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 125 ℃， DS2003T
V
F
钳位二极管
正向电压
I
F
= 350毫安（图
13)
5
10
20
1.7
10
50
100
2.0
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
A
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3
DS2003
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典型性能特性
集电极电流与
饱和电压
集电极电流与
输入电流
图2中。
网络连接gure 3 。
峰值集电极电流与
占空比和数量
输出（ N16E包）
输入电流与
输入电压
图4中。
图5中。
4
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DS2003
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等效电路
测试电路
图6 。
图7 。
网络连接gure 8 。
图9 。
网络连接gure 10 。
图11 。
图12 。
图13 。
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DS2003
5
DS2003 DS9667 DS2004高电流电压达林顿驱动器
1995年12月
DS2003 DS9667 DS2004
高电压电流达林顿驱动器
概述
在DS2003 DS9667 DS2004是由七个高
电压大电流NPN达林顿晶体管对所有
单位设有共发射极开路集电极输出为
最大限度地发挥其功效，这些单位包括suppres-
锡安二极管的电感负载和相应的发射基地
电阻漏
在DS2003 DS9667具有一系列基极电阻以每
达林顿对从而使操作直接与TTL或
CMOS工作在5 0V的电源电压
该DS2004有一个合适的输入电阻，以允许直接
从支持经营CMOS或PMOS输出操作
6层0V电压15V
在DS2003 DS9667 DS2004提供解决方案，以一个伟大的
许多接口需要，包括电磁阀继电器灯
小型电机和LED应用需要吸收电流
超出了单个输出的能力可能是accommo-
通过并联输出日期
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
七个高增益达灵顿对
高输出电压（V
CE
e
50V)
高输出电流（I
C
e
350毫安）
TTL PMOS CMOS兼容
抑制二极管的电感负载
扩展级温度范围
接线图
订单号
套餐
数
J16A
N包装
数
N16E
DS2003TN
DS2003CN
DS9667TN
DS9667CN
男包
数
M16A
DS2003TM
DS2003CM
16引脚DIP
DS2003
DS9667
DS2003MJ
DS2003TJ
DS2003CJ
DS9667MJ
DS9667TJ
DS9667CJ
DS2004MJ
DS2004TJ
DS2004CJ
DS2004
DS2004TN
DS2004CN
DS2004TM
DS2004CM
TL F 9647 - 1
顶视图
C
1996年美国国家半导体公司
TL F 9647
RRD - B30M66印制在U S A
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
存储温度范围
陶瓷DIP
模压DIP
工作温度范围
DS2003M DS9667M
DS2004M
DS2003T DS9667T
DS2004T
DS2003C DS9667C
DS2004C
b
65℃，以
a
175 C
b
65℃，以
a
150 C
b
55 ℃
b
55 ℃
b
40℃
b
40℃
a
125 C
a
125 C
a
105 C
a
105 C
焊接温度
陶瓷DIP （焊接60秒）
DIP成型（焊接10秒）
在25℃时最大功率耗散
腔体套餐
模压封装
S 0包
300 C
265 C
2016年毫瓦
1838毫瓦
926毫瓦
减免腔封装16 13毫瓦C以上25°C减免成型DIP封装
14岁7毫瓦C以上25 C减免SO封装， 7 4毫瓦
0 ℃
a
85 C
0 ℃
a
85 C
输入电压
输出电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
民
典型值
30V
55V
6 0V
500毫安
25毫安
最大
20
100
500
1 25
11
09
16
13
11
1 35
05
1 45
mA
24
27
30
V
mA
V
mA
单位
电气特性
T
A
e
25 C
符号
I
CEX
参数
输出漏
当前
除非另有规定ED （注2 ）
条件
T
A
e
25℃ V
CE
e
50V
（图1a）
T
A
e
85 C V
CE
e
50V
（图1a）
对于商业级
T
A
e
25℃ V
CE
e
50V V
I
e
1 0V
（图1b）
DS2004
I
C
e
350毫安我
B
e
500
mA
（图2）
（注3）
I
C
e
200毫安我
B
e
350
mA
（图2）
I
C
e
百毫安我
B
e
250
mA
（图2）
V
I
e
3 85V
（图3）
V
I
e
5 0V
（图3）
V
I
e
12V
（图3）
DS2003 DS9667
DS2004
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
I
我（上）
输入电流
0 93
0 35
10
50
100
I
我（关闭）
V
我（上）
输入电流
（注4 ）
输入电压
（注5 ）
T
A
e
85℃商业
I
C
e
500
mA
（图4）
V
CE
e
2 0V我
C
e
200毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
250毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
300毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
125毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
200毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
275毫安
（图5）
V
CE
e
2 0V我
C
e
350毫安
（图5）
DS2004
DS2003 DS9667
50
60
70
80
15
30
10
10
pF
ms
ms
mA
mA
V
C
I
t
PLH
t
PHL
I
R
V
F
输入电容
导通延迟
关断延时
钳位二极管
漏电流
钳位二极管
正向电压
0 5 V
I
0至5 V
O
0 5 V
I
0至5 V
O
V
R
e
50V
（图6）
I
F
e
350毫安
（图7）
T
A
e
25 C
T
A
e
85 C
50
100
17
20
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性'的表格提供了器件的实际工作条件
注2
所有参数适用于整个达林顿系列作为指定一个单一设备类型除外
注3
在正常操作条件下，这些单位将维持每个输出350毫安与V
CE （SAT）
e
1 6V在70℃下为20毫秒的脉冲宽度和占空比
30%
注4
在我
我（关闭）
电流限制保证对部分点灯的输出
注5
在V
我（上）
电压限制，保证每个规定的试验条件下的最小输出灌电流
HTTP
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2
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