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DS2002SF
DS2002SF
整流器器二极管
取代2001年9月版， DS4178-5.0
2001年DS4178-5.1月
应用
s
整流器阳离子
s
续流二极管
s
直流电机控制
s
电源
s
焊接
s
电池充电器
主要参数
V
RRM
1800V
I
F（ AV ）
2996A
I
FSM
41250A
特点
s
双面冷却
s
高浪涌能力
电压额定值
类型编号
重复峰值
反向电压
V
RRM
V
条件
DS2002SF18
1800
DS2002SF17
1700
DS2002SF16
1600
DS2002SF15
1500
DS2002SF14
1400
DS2002SF13
1300
较低的电压等级。
V
RSM
= V
RRM
+ 100V
外形类型代码：F
见包详细信息以获取更多信息。
图。 1封装外形
订购信息
订购时，选择显示所需的部件号
额定电压选择表，例如：
DS2002SF16
注：请使用完整的部件号订购时
而报价在今后的任何对应关系这个数字与
您的订单。
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DS2002SF
电流额定值
T
例
= 75
o
C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）正向电流
半波阻性负载
-
-
2996
4707
4122
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）正向电流
半波阻性负载
-
-
2093
3288
2693
A
A
A
T
例
= 100
o
C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）正向电流
半波阻性负载
-
-
2320
3644
3300
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）正向电流
半波阻性负载
-
-
1345
2110
1630
A
A
A
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DS2002SF
浪涌额定值
符号
I
FSM
I
2
t
I
FSM
I
2
t
参数
浪涌（非重复）正向电流
I
2
吨融合
浪涌（非重复）正向电流
I
2
吨融合
条件
10ms的半正弦;牛逼
例
= 175
o
C
V
R
= 50% V
RRM
- 1/4正弦
10ms的半正弦;牛逼
例
= 175
o
C
V
R
= 0
马克斯。
33.0
5.44 x 10
6
41.25
8.5 x 10
6
单位
kA
A
2
s
kA
A
2
s
热学和机械数据
符号
参数
条件
双侧冷却
R
日（J -C ）
热阻 - 结到管壳
单面冷却
阴极DC
锁模力19.5kN
与安装复合
转发（导通）
T
vj
虚拟结温
反向（阻塞）
T
英镑
-
存储温度范围
锁模力
-
-55
18.0
175
200
22.0
o
分钟。
dc
阳极DC
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.022
0.038
0.052
0.004
0.008
185
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
双面
单面
o
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
o
C
C
C
o
kN
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DS2002SF
特征
符号
V
FM
I
RRM
Q
S
I
RR
V
TO
r
T
参数
正向电压
峰值反向电流
总存储电荷
峰值恢复电流
阈值电压
斜率电阻
条件
在3400A的峰值，T
例
= 25
o
C
在V
RRM
, T
例
= 175
o
C
I
F
= 2000A ，二
RR
/ DT = 3A /微秒
T
例
= 175℃ ，V
R
= 100V
在T
vj
= 175C
在T
vj
= 175C
分钟。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
1.18
50
1500
90
0.74
0.088
单位
V
mA
C
A
V
m
曲线
8000
脉冲的条件下测定
6000
5000
瞬时正向电流，I
F
- (A)
6000
意味着功耗 - （W ）
T
j
= 175C
4000
4000
T
j
= 25C
3000
2000
2000
1000
0
0.5
1.0
1.5
正向电压，V
F
- (V)
2.0
0
0
dc
半波
3相
6相
1000
2000
3000
4000
意思是正向电流，I
F（ AV ）
- (A)
5000
图2最大（极限）正向特性
V
FM
公式： -
V
FM
= A + BLN （我
F
） + C.I
F
+ D.√I
F
哪里
图3耗散曲线
A = –0.64773
B = 0.268581
C = 0.00016
D = –0.01796
这些值是有效的对于T
j
= 125℃下我
F
500A到8000A
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DS2002SF
10000
条件：
T
j
= 175C
V
R
= 100V
I
F
= 2000A
1000
条件：
T
j
= 175C
V
R
= 100V
I
F
= 2000A
Reverserecovery目前，我
rr
- (A)
I
F
Q
S
dI
F
/ DT
I
RM
存储电荷，Q
S
- (C)
1000
100
100
0.1
1.0
10
率的正向电流，迪衰减
F
/ DT - （ A / μs）内
100
10
1.0
10
率正向电流迪衰减
F
/ DT - （ A / μs）内
100
图4的总存储电荷
60
I
2
t =
2
x深
2
50
图5.最大反向恢复电流
0.1
热阻抗 - 结到外壳 - （ C / W ）
阳极侧冷却
峰值半正弦正向电流 - （ KA）
40
6
30
I
2
t
5
I
2
吨价 - （A
2
s ×10
6
)
双侧冷却
0.01
4
20
3
10
2
传导
热阻
结到外壳C / W
双面
0.022
0.024
0.026
0.027
单面
0.038
0.040
0.042
0.043
0
1
ms
10
1
2 3
5
10
20
1
50
特区
半波
三相120
6相60
0.001
0.001
0.01
周期为50Hz
长短
0.1
时间 - （多个）
1.0
10
图6浪涌（非重复）正向电流随时间的变化（与
50% V
RRM
在T
例
175C)
图7最大（极限）瞬态热阻抗 -
结到外壳
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