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DS1986

64千位只添加的iButton

www.iButton.com

特殊功能

65536位电可编程只读

只读存储器（ EPROM），采用通信

一个信号加地经济

高速模式提升通信

速度为每秒142千比特

EPROM划分为200和56

256位页面，用于随机存取

分组数据记录

每个存储器页可以永久

写保护，以防止篡改

设备是一个“只添加”存储在哪里

附加数据可被编程到

EPROM不会破坏已有数据

架构允许软件修补数据，

取而代之的是一种新的取代旧的页面

网页编程

将控制，地址，数据，电源，

编程信号到一个数据引脚

8位家族码DS1986

通报要求，以读者

读了2.8V至宽电压范围

6.0V温度范围为-40 ° C至+ 85°C ;在节目

11.5V至12.0V范围为-40 ° C至+ 85°C

唯一的，工厂光刻和测试的64位

注册号（ 8位家族码+

48位序列号+ 8位CRC校验码）

保证绝对可溯，因为没有任何两个

器件相同

iButton的共性

多点控制器的微型局域网

数字识别和信息

瞬时接触

基于芯片的数据载体紧商店

信息

数据可以在贴被访问对象

经济通信，总线主控

与每16.3千比特的单个数字信号

第二

标准的16毫米直径和1-Wire

协议确保与iButton的兼容性

家庭

按钮形状是自动对准杯形

形探头

坚固耐用的不锈钢表壳刻有

注册码，可抵御恶劣

环境

轻松贴有自粘不干胶

后盾，其法兰锁存或锁定

环压到它的边缘

进行在线检测应答时，阅读器

首次上电

符合UL＃ 913 （第四版）;本质安全

设备，根据实体概念批准

为I级， 1区， A， B，C的使用

和D位置（应用程序申请中）

F3的MicroCan

3.10

0.36

0.51

1993

F5的MicroCan

5.89

0.36

16.25

0.51

1993

16.25

YYWW挂号RR

17.35

000000FBC52B

000000FBD8B3

数据

地

数据

地

显示以毫米为单位所有尺寸。

1 27

011800

DS1986

订购信息

DS1986-F3

DS1986-F5

F3的MicroCan

F5的MicroCan

附件的示例

DS9096P

DS9101

DS9093RA

DS9093F

DS9092

自粘垫胶

多功能夹

安装固定环

卡入式FOB

iButton读取探头

iButton概述

在DS1986 64千比特位只添加iButton的是，识别并存储一个坚固的读/写数据载体

到其所连接的产品或人有关的信息。这个信息可以被访问

用最少的硬件，微控制器，例如一个端口引脚。在DS1986由一个

工厂光刻注册号，包括一个唯一的48位序列号， 8位CRC校验码和

8位家族码（0Fh ）加64千比特的EPROM是用户可编程的。电源和编程

读取DS1986从1 -Wire通信线获取。数据通过串行传输

1- Wire协议，即只需要一根数据线和返回地线。整个设备可以是

编程，然后写保护如果需要的话。或者，该部件可以被编程的多个

用新的数据时被附加于，但不是覆盖现有数据与每个随后的

该装置的编程。注意：每位只能改为从逻辑1到逻辑0 ，

永远不能从逻辑0到逻辑1。还包括用于表示某个页面或

数据的页面都不再有效，已被替换为那些驻留在新的或更新的数据

其它页面地址。本页面地址重定向功能允许软件修补数据，从而加强了

该设备作为一个独立数据库的灵活性。即由工厂光刻到48位序列号

每个DS1986提供了一个保证唯一性，绝对可溯。耐用

MicroCan封装恶劣环境，如灰尘，防潮，防震。其紧凑

钮形轮廓是自动对准杯状容器，允许DS1986可以很容易地使用

通过人工操作或自动设备。附件使DS1986将被安装在印刷

电路板，塑料钥匙扣，照片ID证章，身份证手镯，和许多其他对象。应用程序

包括工作进程的跟踪，电子旅行者，访问控制，存储校准常数，

和借记令牌。

概观

在图1中的框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系

在DS1986 。该DS1986有三个主要的数据部件： 1 ） 64位光刻ROM ， 2 ） 65536位

EPROM数据存储器，和3 ） 2816位EPROM状态存储器。该器件得到供电读

操作完全取自于1 - Wire通信线路通过在一个内部电容器储存的能量

的时间时，信号线为高，并继续运行过的这个时期“寄生虫”动力源

在1 -Wire总线，直到它再对寄生（电容）电源返回高的低次。

在编程过程中， 1 -Wire通信发生在正常的电压水平，然后是脉冲

瞬间到编程电压，以使选择的EPROM位进行编程。 1-

电线线路必须能够提供12伏和10毫安充分编程EPROM

的部分的某些部分。当编程电压出现在1 -Wire总线特殊的高

电压检测电路中的DS1986产生内部逻辑信号，以指示这种情况。该

1- Wire协议的层次结构如图2所示。总线主机必须首先提供

六个ROM功能命令， 1 ）阅读ROM ， 2 ）匹配ROM ， 3）搜索ROM ， 4 ）跳过ROM ， 5 ）

高速模式跳过ROM ，或6 ）的高速模式匹配ROM 。当了Overdrive ROM命令完成

以正常速度执行字节时，器件将进入高速模式，所有后续

通信发生在更高的速度。这些命令上的64位光刻ROM部分进行操作

每一个设备，可以单一化的特定设备，如果许多人都出现在1 - Wire总线，以及指示

总线主机多少，什么类型的设备都存在。所需的这些ROM协议

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DS1986

功能命令在图8中描述的成功执行后的ROM功能命令，

这对DS1986的EPROM部分操作记忆功能变得方便和公交车

主机发出的五个记忆功能中的任何一个命令具体到DS1986读取或

编程不同的数据字段。该协议为这些存储器操作命令说明

图5.所有的数据读取和写入第一个最显著位。

64位光刻ROM

每个DS1986包含一个唯一的ROM代码是64位长。第8位是1 -Wire家族

代码。接下来的48位是唯一的序列号。最后8位是前56位的CRC校验码。（见

图3 ）的64位ROM和ROM功能控制部分允许DS1986操作为1线

设备，并按照1 -Wire协议中的部分“ 1 - Wire总线系统”所描述。内存

读取和编程DS1986的EPROM所要求的功能都无法访问，直到

ROM功能协议已得到满足。该协议的ROM功能流程图中描述

（图8）。 1- Wire总线主机必须首先提供六个ROM功能命令之一： 1 ）读取ROM ，

2 ）匹配ROM ， 3）搜索ROM ，或4 ）跳过ROM ， 5 ）的高速模式跳过ROM ，或6 ）的高速模式匹配

只读存储器。经过ROM功能序列已成功执行，总线主机可再提供

记忆功能中的任何一个专用命令的DS1986 （图5）。

激光刻入ROM的1 - Wire CRC校验码的多项式X生成

+ X

+ 1。

关于Dallas Semiconductor的1- Wire循环冗余校验信息在本书中的

的DS19xx iButton的标准。该移位寄存器作为CRC校验累加器被初始化为零。

然后，开始的家族码的最低显著位，一次一个位被移入后的

家族码第八位已输入，则序列号输入。之后的第48位

序列号已被输入，在移位寄存器中的CRC值。移入8位

CRC后，移位寄存器为全零。

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DS1986

DS1986框图

图1

4 27

DS1986

等级结构1 -Wire协议

图2

公共汽车

主

1-Wire总线

其他

器件

DS1986

命令

级别：

可用的

命令：

读取ROM

匹配ROM

搜索ROM

跳过ROM

的Overdrive Skip ROM

OVERDRIVE MATCH ROM

数据字段

影响：

64位ROM

不适用

64位ROM

1 - Wire ROM功能

命令（参见图9 ）

DS1986 - 特定

记忆功能

COMMANDS

（参见图6）

写存储器

写状态

阅读记忆

阅读状态

延伸阅读资料

64K位EPROM

EPROM状态字节

64K位EPROM

EPROM状态字节

64K位EPROM

64位光刻ROM

科幻gure 3

8位CRC校验码

最高位

LSB MSB

48-位序列号

8位家族码（ 0FH ）

LSB MSB

最低位

65536 - BITS EPROM

图4中的存储器映射显示了DS1986的，其被配置为65536位EPROM部

256页，每页32字节。 8位暂存器是充当一个缓冲器时，一个额外的寄存器

编程存储器。数据首先被存入暂存器，然后验证通过读取16位

CRC从确认收到正确的数据和地址的DS1986 。如果缓冲区内容

正确的，一个编程电压应当施加和数据的字节将被写入到所选择的

地址在存储器中。编程时内存这个过程保证了数据的完整性。的详细信息

读取和编程DS1986的65536位EPROM部分在内存中给出

功能命令一节。

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