DS1972
1024位EEPROM iButton的
www.maxim-ic.com
iButton概述
该DS1972是一个1024位的1-Wire EEPROM
组织为每个256位的四个内存页
坚固耐用的iButton封装。数据被写入到一个8-
字节暂存器中，经校验后复制到
EEPROM存储器。作为一个特殊的功能，四
内存页可以单独写保护或
进入EPROM仿真模式，其中位只能
可以从1变化为0的状态。在DS1972
通过单导线1 -Wire总线。
通信采用了标准的达拉斯
Semiconductor的1- Wire协议。每个设备都有其
不能更改的，唯一的64位ROM注册码
，由工厂光刻写入设备。该
注册号用做器件地址中
一个多点的1 -Wire网络环境。
特殊功能
§
§
§
§
§
§
1024位EEPROM存储器，分为中
256位四页
独立的存储器页面可永久
写保护或EPROM仿真
模式（ "Write到0" ）
切换点滞回和滤波优化
在噪声背景下的性能
IEC 1000-4-2 4级ESD保护（ 8kV的
联系方式， 15kV的空气，典型值）
读，写操作的宽电压范围
2.8V至5.25V范围为-40 ° C至+ 85°C
与主机通信的单一数字
信号以15.4kbps或125kbps速率应用的1-Wire
协议
唯一的工厂光刻的64位注册
号确保无差错设备选择
和绝对可溯，因为没有任何两个零件
都是一样的
内置多点控制器，用于1 -Wire网络
基于芯片的数据载体存储数字Identifi-
阳离子和信息，装甲，持久耐用
不锈钢外壳
数据可以在贴被访问对象
按钮形状自动对准杯状
探头
轻松贴有自粘背胶，
通过它的凸缘锁定或锁定带环
压在它的边缘
进行在线检测应答时，阅读器
首次上电
设计符合UL ＃ 913 （第四版）;本质
安全装置：在实体概念的使用
I级， 1区， A，B， C和D
地点，联系Dallas半导体的
认证进度
iButton的共性
§
应用
门禁控制/停车收费表
工作进程的跟踪
刀具管理
库存控制
保养/检查数据存储
§
§
§
§
§
F5和F3的MicroCan
F3 SIZE
3.10
0.51
F5 SIZE
5.89
0.51
BRANDING
16.25
51
0000006234FB
1-Wire
2D
§
§
17.35
IO
GND
IO
GND
订购信息
指令，寄存器和模式资本化
清晰度。
iButton的， 1 - Wire和的MicroCan是Dallas的商标。
半导体公司
部分
DS1972-F5#
DS1972-F3#
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
PIN- PACKAGE
F5 iButton的
F3的iButton
＃表示符合RoHS complience
联系厂家无铅符合
注意：
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
www.maxim-ic.com/errata 。
1 23
REV ： 083006
DS1972 ： 1024位EEPROM iButton的
绝对最大额定值
I / O电压为GND
I / O灌电流
工作温度范围
结温
存储温度范围
-0.5V, +6V
20mA
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
参数
I / O引脚通用数据
1 - Wire上拉电压
1 - Wire上拉电阻
输入电容
输入负载电流
高到低开关
门槛
输入低电压
低到高的开关
门槛
切换迟滞
输出低电压
符号
V
PUP
R
PUP
C
IO
I
L
V
TL
V
IL
V
TH
V
HY
V
OL
条件
（注2 ）
（注2,3）
（注4,5）
在V的I / O引脚
PUP
（注5 ， 6 ， 7 ）
（注2,8 ）
（注5，6， 9）
1.0
0.21
5
2
5
0.5
不适用（0）
65
8
480
48
15
2
60
8
60
6
60
5
6
1
1
5
1
t
RL
+
d
t
RL
+
d
640
80
60
6
240
24
75
10
120
15.5
15.5
15 -
e
2-
e
15 -
d
2-
d
15
2
5.0
s
s
s
s
s
s
民
2.8
0.3
0.05
0.46
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C ;见注1 ）
典型值
最大
单位
V
kW
pF
A
V
V
V
V
V
s
5.25
2.2
1000
6.7
4.4
0.3
4.9
1.70
0.4
（注5 ， 6 ， 10 ）
在4毫安（注11 ）
标准速度，R
PUP
= 2.2kW的
恢复时间
高速模式下，R
PUP
= 2.2kW的
t
REC
（注2,12 ）
高速模式下，前直接重置
脉冲;
PUP
= 2.2kW的
上升沿保持关闭时间
标准速度
t
REH
（注5 ， 13 ）
高速模式
时隙持续时间
标准速度
t
SLOT
（注2 ， 14 ）
高速模式
I / O引脚， 1 - Wire复位，在线检测周期
标准速度
复位低电平时间（注2 ）
t
RSTL
高速模式
标准速度
设备检测高
t
PDH
时间
高速模式
标准速度
设备检测低
t
PDL
时间
高速模式
标准速度
设备检测样品
t
MSP
时间（注2，注15 ）
高速模式
I / O引脚， 1 - Wire写
标准速度
写0低电平时间（注
t
W0L
高速模式下，V
PUP
＆ GT ; 4.5V
2, 16)
高速模式
标准速度
写1低电平时间
t
W1L
（注2，注17 ）
高速模式
I / O引脚， 1 - Wire读
标准速度
读低时间
t
RL
（注2，注18 ）
高速模式
标准速度
阅读采样时间
t
MSR
（注2，注18 ）
高速模式
s
s
s
s
2 23
DS1972 ： 1024位EEPROM iButton的
参数
EEPROM
编程电流
编程时间
写/擦除周期（恩
科蒙） （注21 ， 22 ）
数据保留
（注23 ， 24 ）
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
注10 ：
注11 ：
注12 ：
注13 ：
注14 ：
注15 ：
注16 ：
注17 ：
注18 ：
注19 ：
注20 ：
注21 ：
注22 ：
注23 ：
注24 ：
符号
I
PROG
t
PROG
N
CY
t
DR
（注5 ， 19 ）
条件
民
典型值
最大
0.8
10
单位
mA
ms
---
岁月
（注20 ）
在25℃下
在85℃ （最坏情况）
在85℃ （最坏情况）
200k
50k
10
规格在T
A
= -40°C通过设计保证，而不是只生产测试。
系统要求。
最大可允许上拉电阻是在系统1-Wire器件和1 -Wire恢复的次数的函数。该
指定的值在这里适用的系统只用一个设备和具有最小的1-Wire恢复时间。欲了解更多重
加载系统，有源上拉，如在在DS2482 -X00发现， DS2480B或DS2490可能需要。
最大值代表的内部寄生电容当V
PUP
首先应用。如果一个2.2kW的电阻是用来拉涨
数据线，V后2.5μS
PUP
已经被施加的寄生电容不会影响正常的通信。
在设计中，只有定性和/或模拟的保证。未经生产测试。
V
TL
, V
TH
和V
HY
是内部电源电压的函数，其本身是作为V的函数
PUP
, R
PUP
， 1-Wire时序，并
容性负载的IO 。低V
PUP
，较高的R
PUP
，短吨
REC
和更大的容性负载都会导致降低V的值
TL
, V
TH
,
和V
HY
.
电压低于此，对IO的下降沿时，逻辑0被检测到。
IO上的电压必须小于或等于V
白细胞介素（最大）
在任何时候船长驾驶IO为逻辑0电平。
电压高于此，在对IO的上升沿，逻辑1被检测到。
经过V
TH
在对IO的上升沿被超越，在IO上的电压具有至少V下降
HY
以被检测为逻辑“0” 。
IV特性是线性的电压小于1V 。
适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。
一个下降沿最早承认有可能在t
REH
经过V
TH
已经就前面的上升沿。
定义了最大可能的位速率。等于T
W0L(min)
+ t
REC （分钟）
.
吨区间后，
RSTL
在此期间，一个总线主控器可以保证采样逻辑0上的IO ，如果有一个DS1972本。下限
为t
PDH （最大）
;最高限额为t
PDH （分钟）
+ t
PDL （分钟）
.
高亮显示的数字不符合与传统的1-Wire产品标准。请参阅下面的对照表。
e
代表所需的上拉电路的时间从V拉IO电压上升
IL
到V
TH
.
d
代表所需的上拉电路的时间从V拉IO电压上升
IL
在公交车的投入门槛高
高手。
从IO EEPROM的编程期间电流消耗。在编程期间在IO上拉电路
应该是这样的，在IO上的电压大于或等于VPUP （分钟）。如果VPUP系统接近VPUP （分钟），然后低
RPUP的阻抗旁路，可在编程过程中被激活，可能需要增加。
间隔开始吨
WiLMIN
对于E / S字节的有效复制暂存器的最后一个时隙上的IO领先的下降沿后
序列。间隔结束一次设备的自定时EEPROM编程周期结束和当前的抽
设备已经从我回来
PROG
到我
L
.
写周期耐力下降为T
A
增加。
不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。
数据保留被降解为T
A
增加。
由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试数据表等价
限制在操作温度范围下的可靠性试验确定。
参数
t
SLOT
（含吨
REC
)
t
RSTL
t
PDH
t
PDL
t
W0L
1)
LEGACY VALUES
标准速度
高速模式
民
最大
民
最大
61s
（民主）。
7s
（民主）。
480s
（民主）。
48s
80s
15s
60s
2s
6s
60s
240s
8s
24s
60s
120s
6s
16s
DS1972 VALUES
标准速度
高速模式
民
最大
民
最大
1)
1)
65s
（民主）。
8s
（民主）。
480s
640s
48s
80s
15s
60s
2s
6s
60s
240s
8s
24s
60s
120s
6s
15.5s
有意变化，较长的恢复时间要求，由于修改的1 -Wire前端。
附件的示例
部分
DS9096P
DS9101
DS9093RA
DS9093A
DS9092
描述
自粘垫胶
多功能夹
安装固定环
卡入式FOB
iButton读取探头
3 23
DS1972 ： 1024位EEPROM iButton的
描述
在DS1972集成了1024位EEPROM ，具有高达7用户读/写字节的8字节的寄存器/控制页，
和一个全功能的1 - Wire接口在一个坚固的iButton封装。每个DS1972都有它自己的64位ROM
注册号，由工厂光刻提供绝对的可追溯性保证唯一的标识。数据
通过1- Wire协议，只需要一个单一的数据触点和一个地回路串行传输。该
DS1972有一个称为暂存器的辅助存储区，即写入主时充当缓冲器
存储器或寄存器页。数据首先写入到它可以被读回的暂存器。的数据后
得到了验证，复制暂存器命令将数据传送到最终的存储单元。的应用
DS1972包括访问控制/停车收费表，工作进程的跟踪，刀具管理，库存控制，以及
维修/检查数据的存储。软件与DS1972的通信是可以免费下载
从http://www.maxim-ic.com/products/ibutton/网站。
概观
在图1中的框图显示了主要的控制部分和存储单元之间的关系
DS1972 。该DS1972有四个主要的数据部件： 1 ） 64位光刻ROM ， 2 ） 64位暂存器， 3 ）四个32字节
EEPROM中的页面，和4） 64位寄存器页。 1-Wire总线协议的层次结构显示在图
2.总线主机必须首先提供七个ROM功能命令中的一条， 1 ）读ROM ， 2 ）匹配ROM ， 3 ）
搜索ROM ， 4 ）跳过ROM ， 5 ）恢复， 6 ）高速模式跳过ROM或7 ）的高速模式匹配ROM 。一旦完成
以标准速度执行了Overdrive ROM命令，器件进入高速模式，所有
随后的通信发生在更高的速度。所需的这些ROM功能命令的协议是
图9描述后成功执行ROM功能命令后，记忆功能成为
访问的主机可以提供四个内存操作命令中的任何一个。该协议为这些
记忆功能的命令在图7中描述。
所有数据都读入和写出最显著位。
图1.框图
寄生电源
I / O
1-Wire
功能控制
64-bit
光刻ROM
内存
功能
控制单元
DS1972
CRC16
发电机
64-bit
暂存器
数据存储器
的4页
256位每个
注册页面
64位
4 23
DS1972 ： 1024位EEPROM iButton的
图2.等级结构1 -Wire协议
DS1972命令级别：
可用的
命令：
读取ROM
匹配ROM
搜索ROM
跳过ROM
简历
高速模式跳过
高速模式匹配
写暂存器
读暂存器
复制暂存器
阅读记忆
数据字段
影响：
64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG
64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG
64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG
RC-标志
RC-标志
RC-标志， OD-标志
64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG ， OD- FLAG
64位暂存器，旗帜
64位暂存器
数据存储器，寄存器页
数据存储器，寄存器页
1 - Wire ROM功能
命令（参见图9 ）
DS1972-specific
记忆功能
命令（参见图7）
64位光刻ROM
每个DS1972包含一个唯一的ROM代码是64位长。第8位是1 - Wire家族码。下一个
48位的唯一序列号。最后8位是CRC（循环冗余校验）的前56位。看
图3的细节。 1- Wire CRC校验码的多项式发生器由移位寄存器产生和
8
5
4
异或门，如图4所示的多项式为： X + X + X + 1 。关于Dallas的1-Wire信息
CRC是可用
应用笔记27 。
移位寄存器初值为0 。然后从家族码的最低显著位，一个位在
每次移入后已经进入了家族码的第8位，则序列号输入。后
序列号的最后一位被输入，在移位寄存器中的CRC值。移入8位的
返回CRC移位寄存器为全0 。
图3. 64位光刻ROM
最高位
8-Bit
CRC码
最高位
最低位
最高位
48位序列号
最低位
最低位
8位家族
代码（ 2DH ）
最高位
最低位
图4的1-Wire CRC发生器
多项式= X + X + X + 1
8
5
4
1
舞台
st
2
舞台
nd
3
舞台
rd
4
舞台
th
5
舞台
th
6
舞台
th
7
舞台
th
8
舞台
th
X
0
X
1
X
2
X
3
X
4
X
5
X
6
X
7
X
8
输入数据
5 23
19-4888 ;转3 ; 4/10
1024位EEPROM iButton的
概述
该DS1972是一个1024位的1-Wire
EEPROM芯片奥尔加
认列之为每256位在四页存储
坚固耐用的iButton
封装。数据被写入到一个8字节
暂存器，核实，然后复制到EEPROM
内存。作为一个特殊的功能，这四个内存页
可以单独进行写保护或将它们置于EPROM
仿真模式，其中位只能从改变
1到0的状态。 DS1972的通信通过
单芯1 -Wire总线。通信跟着
低点标准的1 -Wire协议。每个设备都有其
不能更改的，唯一的64位ROM注册码
，由工厂光刻写入设备。该稳压
册号用于寻址该设备在一个mul-
tidrop ， 1 -Wire网络环境。
特点
1024位EEPROM存储器，分为中
256位四页
独立的存储器页面可永久
写保护或EPROM仿真模式
（ “写入0 ” ）
切换点滞回和滤波优化
在噪声背景下的性能
IEC 1000-4-2 4级ESD保护（ ± 8kV的
联系方式， ± 15kV气隙放电，典型值）
读，写操作在很宽的电压范围
从2.8V至5.25V范围为-40 ° C至+ 85°C
与主机通信的单一数字
信号以15.4kbps或125kbps速率应用的1-Wire
协议
DS1972
应用
门禁控制/停车收费表
工作进程的跟踪
刀具管理
库存控制
保养/检查数据存储
iButton的共性
唯一的工厂光刻的64位注册
数确保无错的器件选择和
绝对可溯，因为没有任何两个器件
一样
内置多点控制器，用于1 -Wire网络
基于芯片的数据载体存储数字
识别和信息，装甲的
坚固耐用的不锈钢外壳，
数据可以在贴被访问对象
按钮形状自动对准杯状
探头
轻松贴有自粘背胶，
通过它的凸缘锁定或锁定带环
压在它的边缘
进行在线检测应答时，阅读器
首次上电
附件的示例
部分
DS9096P
DS9101
DS9093RA
DS9093A
DS9092
附件
自粘垫胶
多功能夹
安装固定环
卡入式FOB
iButton读取探头
销刀豆网络gurations
F3 SIZE
3.10mm
0.51mm
F5 SIZE
5.89mm
0.51mm
BRANDING
订购信息
部分
16.25mm
iB
tTON
.c
u
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
F5 iButton的
F3的iButton
om
DS1972-F5+
DS1972-F3+
52
YY
2D
1-Wire
5
17.35mm
0000006234FB
W
WZ
ZZ
D
S197
+表示
一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
IO
GND
IO
GND
1 - Wire和iButton是马克西姆的注册商标
集成产品公司
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
-F
2
1024位EEPROM iButton的
DS1972
绝对最大额定值
IO电压范围为GND .......................................- 0.5V至+ 6V
IO灌电流............................................... .................... 20毫安
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
IO引脚：通用数据
1 - Wire上拉电压
1 - Wire上拉电阻
输入电容
输入负载电流
高到低开关阈值
输入低电压
低到高的开关阈值
切换迟滞
输出低电压
恢复时间
（注2，注12 ）
V
PUP
R
PUP
C
IO
I
L
V
TL
V
IL
V
TH
V
HY
V
OL
（注2 ）
（注2,3）
（注4,5）
IO引脚在V
PUP
（注5 ， 6 ， 7 ）
（注2,8 ）
（注5，6， 9）
（注5 ， 6 ， 10 ）
在4毫安（注11 ）
标准速度，R
PUP
= 2.2k
高速模式下，R
PUP
= 2.2k
高速模式下，前直接重置
脉冲;
PUP
= 2.2k
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
5
2
5
0.5
65
8
480
48
15
2
60
8
60
6
640
80
60
6
240
24
75
10
5.0
μs
μs
μs
1.0
0.21
0.05
0.5
2.8
0.3
5.25
2.2
1000
6.7
V
PUP
-
1.8
0.5
V
PUP
-
1.0
1.70
0.4
V
k
pF
μA
V
V
V
V
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
t
REC
上升沿保持关闭时间
（注5 ， 13 ）
时隙持续时间
（注2，注14 ）
t
REH
t
SLOT
不适用（0）
IO引脚： 1 - Wire复位，在线检测周期
复位低电平时间（注2 ）
在线检测高电平时间
在线检测低电平时间
在线检测采样时间
（注2，注15 ）
t
RSTL
t
PDH
t
PDL
t
MSP
μs
μs
μs
μs
2
_______________________________________________________________________________________
1024位EEPROM iButton的
电气特性（续）
(T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
IO引脚： 1 - Wire写
标准速度
写0低电平时间
（注2 ， 16 ， 17 ）
写1低电平时间
（注2，注17 ）
IO引脚： 1 - Wire读
读低时间
（注2，注18 ）
阅读采样时间
（注2，注18 ）
EEPROM
编程电流
编程时间
写/擦除周期（耐力）
（注21 ， 22 ）
数据保留
（注23 ， 24 ， 25 ）
I
PROG
t
PROG
N
CY
t
DR
（注5 ， 19 ）
（注20 ）
AT + 25°C
在+ 85°C （最坏情况）
在+ 85°C （最坏情况）
200k
50k
40
岁月
0.8
10
mA
ms
t
RL
t
MSR
标准速度
高速模式
标准速度
高速模式
5
1
t
RL
+
t
RL
+
15 -
2-
15
2
μs
μs
t
W0L
高速模式下，V
PUP
＆ GT ; 4.5V
高速模式
t
W1L
标准速度
高速模式
60
5
6
1
1
120
15.5
15.5
15
2
μs
μs
符号
条件
民
典型值
最大
单位
DS1972
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
注10 ：
注11 ：
注12 ：
注13 ：
注14 ：
注15 ：
注16 ：
注17 ：
注18 ：
注19 ：
规格在T
A
= -40°C通过设计保证，而不是只生产测试。
系统要求。
最大可允许上拉电阻是在系统1-Wire器件和1 -Wire恢复的次数的函数。
这里提供的数值适用于系统只有一个设备，并具有最小的1-Wire恢复时间。欲了解更多
重负载系统，有源上拉，如在在DS2482 -X00发现， DS2480B或DS2490可能需要。
最大值代表的内部寄生电容当V
PUP
首先应用。如果采用2.2kΩ电阻器用于拉
将数据线， 2.5μs之后V
PUP
得到了应用，该寄生电容不影响正常的通信。
通过设计，表征，和/或仅仿真保证。未经生产测试。
V
TL
, V
TH
和V
HY
是内部电源电压的函数，这是作为V的函数
PUP
, R
PUP
， 1-Wire时序，并
容性负载的IO 。低V
PUP
，较高的R
PUP
，短吨
REC
和较重的容性负载的所有引线，以降低的值
V
TL
, V
TH
和V
HY
.
电压低于此，对IO的下降沿时，逻辑0被检测到。
IO电压必须小于或等于V
ILMAX
在任何时候船长驾驶IO为逻辑0电平。
电压高于此，在对IO的上升沿，逻辑1被检测到。
经过V
TH
在对IO的上升沿被超越，在IO电压必须至少V降
HY
以被检测为逻辑0 。
IV特性是线性的电压小于1V 。
适用于连接到一个1-Wire总线的单个设备。
一个下降沿最早承认有可能在t
REH
经过V
TH
已经就前面的上升沿。
定义了最大可能的位速率。等于T
W0LMIN
+ t
RECMIN
.
吨区间后，
RSTL
在此期间，一个总线主控器可以保证采样逻辑0上的IO ，如果有一个DS1972本。
下限为t
PDHMAX
;最高限额为t
PDHMIN
+ t
PDLMIN
.
在数字
胆大
是
不
按照传统的1线的产品标准。见
比较表。
ε
在图11中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升
IL
到V
TH
。实际
拉为低电平最长期限为主控为t
W1LMAX
+ t
F
-
ε
和T
W0LMAX
+ t
F
-
ε,
分别。
δ
在图11中表示需要上拉电路的时间从V拉IO电压上升
IL
到输入 - 高
门槛总线主控的。实际的最长期限为师傅线拉低为t
RLMAX
+ t
F
.
从IO EEPROM的编程期间电流消耗。在编程过程中对IO上拉电路接口
缬氨酸应当使得在IO上的电压大于或等于V
PUPMIN
。如果V
PUP
在系统接近V
PUPMIN
, a
的R低阻抗旁路
PUP
，其可在编程过程中被激活，可能需要添加。
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3
1024位EEPROM iButton的
DS1972
注20 ：
间隔开始吨
REHMAX
后尾上升沿IO为E / S字节的有效复制暂存器的最后一个时隙
序列。间隔结束一次设备的自定时EEPROM编程周期结束，并通过汲取的电流
该设备已经从我回来
PROG
到我
L
.
注21 ：
写周期耐力下降为T
A
增加。
注22 ：
不是100 ％生产测试;通过可靠性监视器采样保证。
注23 ：
数据保留被降解为T
A
增加。
注24 ：
由100％的产量试验在升高的温度下进行更短的时间保证;该生产测试，以等价
在工作温度范围内的数据表限制了可靠性测试确定。
注25 ：
EEPROM的写入可以成为无功能的数据保留时间超过后。长期存放在高温温
peratures不推荐;该设备可10年后，在+ 125°C失去其写入能力或40年，在+ 85°C 。
比较表
LEGACY VALUES
参数
标准速度
(μs)
民
t
SLOT
（包括T
REC
)
t
RSTL
t
PDH
t
PDL
t
W0L
61
480
15
60
60
最大
（未定义）
（未定义）
60
240
120
高速模式
(μs)
民
7
48
2
8
6
最大
（未定义）
80
6
24
16
DS1972 VALUES
标准速度
(μs)
民
65*
480
15
60
60
最大
（未定义）
640
60
240
120
高速模式
(μs)
民
8*
48
2
8
6
最大
（未定义）
80
6
24
15.5
*意向
改变;较长的恢复时间要求，由于修改的1 - Wire前端。
注意：
在数字
胆大
是
不
按照传统的1线的产品标准。
4
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1024位EEPROM iButton的
详细说明
在DS1972集成了1024位EEPROM ，一个
多达7用户读/写8字节的寄存器/控制页
字节和一个全功能的1 - Wire接口在一个坚固的
iButton封装。每个DS1972都有它自己的64位ROM
注册号，由工厂光刻写入芯片
提供绝对保证独一无二的身份
可追溯性。数据是通过1-串行传输
Wire协议，只需要一个单一的数据接触
和一个地回路。在DS1972具有附加
存储区域称为充当暂存器
写入主存储器或寄存器时，缓冲
页。数据首先被存入暂存器从
它可以被读回。后的数据已被验证，一
复制暂存器命令将数据传送到其
最终的存储单元。在DS1972中的应用
包括访问控制/停车表，工作正在进行中
跟踪工具的管理，库存控制，并
维修/检查数据的存储。免费软件
与DS1972通信提供的
www.maxim-ic.com/ibutton 。
寄生电源
DS1972
IO
1-Wire
功能控制
64-BIT
光刻ROM
DS1972
内存
功能
控制单元
CRC-16
发电机
数据存储器
的4页
256位每个
注册页面
64位
64-BIT
暂存器
概观
图1中的框图表示的关系
的主控制器和存储单元之间
DS1972 。该DS1972有四个主要的数据部件：
64位光刻ROM ， 64位暂存器， 4个32字节
EEPROM中的页面，和一个64位寄存器页。
1- Wire协议的层次结构
如图2所示，主机必须首先提供
七条ROM功能命令之一：阅读
ROM ，匹配ROM ， ROM搜索，跳过ROM ，简历，
高速模式跳过ROM或Overdrive - Match ROM命令。上
图1.框图
在高速模式跳过ROM或Overdrive-完成
在标准的匹配ROM命令执行
速度，器件进入高速模式，所有
随后的通信发生在更高的
速度。所需的这些ROM操作协议
可用的命令：
DS1972命令级别：
1 - Wire ROM功能命令
（参见图9）
读取ROM
匹配ROM
搜索ROM
跳过ROM
简历
OVERDRIVE - SKIP ROM
OVERDRIVE - MATCH ROM
数据场受影响：
64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG
64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG
64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG
RC-标志
RC-标志
RC-标志， OD-标志
64位REG 。 ＃ ， RC- FLAG ， OD- FLAG
DS1972-SPECIFIC
存储器操作命令
（参见图7 ）
写暂存器
读暂存器
复制暂存器
阅读记忆
64位暂存器，旗帜
64位暂存器
数据存储器，寄存器页
数据存储器，寄存器页
图2.等级结构1 -Wire协议
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5
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