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DS1847
双路温控
非易失可变电阻器
www.maxim-ic.com
特点
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§
§
两个线性变化,温度控制
可变电阻器
DS1847-050
-
一个50千瓦, 256位
-
一个10千瓦, 256位
DS1847-010
-
两个10千瓦, 256位
电阻设置可变每2 ℃,
获得温度数据和设备
通过2线接口控制
从3V或5V电源供电
封装:14引脚TSSOP封装, 16焊球CSBGA
工作温度: -40C至+ 95C
编程温度: 0°C至+ 70°C
引脚分配
SDA
SCL
A0
A1
A2
WP
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
H0
NC
H1
L1
NC
L0
14引脚TSSOP ( 173密耳)
顶视图
A
B
C
D
1
2
3
4
16焊球CSBGA (采用4mm x 4mm )
描述
在DS1847双路温控非易失(NV )可变电阻器由两个256
位置线性可变电阻。该DS1847-050由一个10千瓦和50千瓦的1 ,而
DS1847-010由两个10kW的电阻器;两者合并,直接到数字温度传感器。该
装置提供了一种理想的方法,在设定和温度补偿偏置电压和电流
使用最小电路的控制应用。
可变电阻器的设置存储在EEPROM存储器,并可通过行业进行访问
标准的2线串行总线。每个可变电阻器的值由温度寻址确定
查找表,从而可以通过分配一个唯一的值,以每个电阻为每2 ℃的增量-40 ℃至
+ 95 ° C温度范围内。数字温度传感器的输出也可作为一个13位, 2的补码
值通过串行总线。接口I / O引脚由SDA和SCL的。
1 17
081502
DS1847
引脚说明
姓名TSSOP BGA
V
CC
14
A3
GND
SDA
SCL
WP
7
1
2
6
D1
B2
A2
C1
描述
电源端子。
在DS1847将支持供应
电压范围为+ 3.0V至+ 5.5V 。
接地端子。
2线串行数据接口。
串行数据引脚是用于串行数据
转入和转出的DS1847 。该管脚为漏极开路,可
是线或与其它漏极开路或集电极开路接口。
2线串行时钟输入。
串行时钟输入端,用于
时钟数据到DS1847上的上升沿和时钟数据列于
下降沿。
写保护输入。
如果打开或设置为逻辑1时,所有的记忆,控制
寄存器和查找表被写保护。如果设定为逻辑0,则
器没有写保护,并可以写入。 WP引脚被拉
高内部。
地址输入。
管脚A0,A1和A2用于指定
在一个多点用于当每个DS1847的地址
配置。
地址输入。
地址输入。
电阻0的高终端。
两个电阻器,它是
不要求高的终端可以连接到一个潜在
比低终端更大。电压施加到高终端
每个电阻不能超过V的
CC
,或者去地下。
电阻器1的高终端。
电阻0的低终端。
两个电阻器,它是
不要求低的终端可以连接到一个潜在的较少
比高终端。电压施加到每个低终端
电阻不能超过V
CC
,或者去地下。
1电阻低的终端。
无连接。
无连接。
无连接。
无连接。
A0
A1
A2
H0
3
4
5
13
A1
B1
C2
A4
H1
L0
11
8
B3
D3
L1
NC
NC
NC
NC
10
9
12
C4
D4
B4
C3
D2
2 17
DS1847
DS1847框图
图1
WP
A0
A1
A2
SDA
SCL
V
CC
GND
2-Wire
接口
0h
72x8位
EEPROM
电阻0
查表
(表1)
E0h
E1h
E2h
72x8位
EEPROM
电阻1
查表
(表2)
47h
表选择字节
CON组fi guration
字节
温度
MSB字节
温度
LSB字节
地址指针
用户内存
内部地址
SELECT
用户内存
电阻器0设定
电阻器设定1
用户内存
256位
可数字
控制
10千瓦或50千瓦
电阻0
256位
可数字
10kW的控制
电阻1
数字
温度
传感器
E3h
E4h
E5h-
E6h
E7h
E8h-
EFH
F0h
F1h
F2h-
FFH
H0
L0
H1
L1
3 17
DS1847
内存
位置
00H到47H
(表选择
字节, E0H ,绝
被设置为01H或
02h中访问
查找表)
LOCATION NAME OF
用户自定义查找表
( LUT)的
位置功能
该模块包含用户定义的温度
电阻器的设置。为00h之间的值
FFH可以写在任何一个表,设置256
位置可变电阻器。第一地址
位置, 00h时,用于设定该电阻在-40℃下。
每个连续的存储器位置将包含
电阻设定为前温度为+ 2℃。
例如,存储器地址01H是地址
将设置在-38 ℃的环境下电阻。
对于默认的内存设置和编程
的查找表,参考编程的
查找数据表的表( LUT )部分。
写该字节确定其中两个的
选择为72x8 EEPROM的查找表
读取或写入。
01H (查找表1中选择)
02H (查找表2中选择)
TAU TEN AEN
E0h
表选择字节
E1h
CON组fi guration字节
TAU - 温度/地址更新
TEN - 温度更新启用
AEN - 地址更新启用
默认设置为03H , TAU = 1 , TEN = 1和
AEN = 1 。
TAU的温度和地址后变为1
更新已发生的温度下的结果
转换。用户可以写入该位为0,
检查是否有从0到1 ,以过渡
验证是否已经发生了转换。
如果TEN = 0时,将温度转换功能是
禁用。用户设置在“手册中的电阻
模式“,通过写地址和单元F0h
F1H分别控制电阻器0和1。
与AEN = 0 ,用户可以在一个测试操作
模式。从制成地址更新
温度传感器将停止。用户可以加载
内存位置插入E4H和验证
是预期中的单元F0h和为Fih值
用户定义的值。
4 17
DS1847
内存
位置
E2h
LOCATION NAME OF
温度MSB
位置功能
该字节包含13位2S的MSB
从输出补体温度
温度传感器。
S 2
7
2
6
2
5
2
4
2
3
2
2
2
1
该字节包含的LSB的13位2S
从输出补体温度
温度传感器。
2
0
2
-1
2
-2
2
-3
2
-4
X X X
例如温度读数,请参考表
2.
计算,目前电阻地址( 0H - 47H ) 。
在这个位置上的用户定义的电阻设置在
各自的查找表将被加载到
F0H和为Fih设置两个电阻。
通用用户存储器( SRAM )
内部或外部设备的地址选择。这
字节允许用户使用外部地址
销或内部寄存器的位置,以确定
设备地址。
A2 A1 A0 ENB
E3h
温度LSB
E4h
地址指针
E5H到E6H
E7h
用户内存
地址选择
ENB = 0和外部A2,A1和A0接地,
设备将使用内部地址位(A2, A1和A0)
该寄存器
ENB = 1,外部A2,A1和A0 =任意设定,
设备将使用外部地址引脚
默认设置为01H 。该器件采用外部
销,以确定其地址。
通用用户存储器( SRAM )
在用户控制的设置模式,该块
包含电阻0的设置。
在用户控制的设置模式,该块
包含电阻器1设置。
通用用户存储器( SRAM )
E8H到EFH
F0h
F1h
F2H为FFH
用户内存
电阻器0设定
电阻器设定1
用户内存
5 17
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