DS1847
双路温控
非易失可变电阻器
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特点
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两个线性变化,温度控制
可变电阻器
DS1847-050
-
一个50千瓦, 256位
-
一个10千瓦, 256位
DS1847-010
-
两个10千瓦, 256位
电阻设置可变每2 ℃,
获得温度数据和设备
通过2线接口控制
从3V或5V电源供电
封装:14引脚TSSOP封装, 16焊球CSBGA
工作温度: -40C至+ 95C
编程温度: 0°C至+ 70°C
引脚分配
SDA
SCL
A0
A1
A2
WP
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
VCC
H0
NC
H1
L1
NC
L0
14引脚TSSOP ( 173密耳)
顶视图
A
B
C
D
1
2
3
4
16焊球CSBGA (采用4mm x 4mm )
描述
在DS1847双路温控非易失(NV )可变电阻器由两个256
位置线性可变电阻。该DS1847-050由一个10千瓦和50千瓦的1 ,而
DS1847-010由两个10kW的电阻器;两者合并,直接到数字温度传感器。该
装置提供了一种理想的方法,在设定和温度补偿偏置电压和电流
使用最小电路的控制应用。
可变电阻器的设置存储在EEPROM存储器,并可通过行业进行访问
标准的2线串行总线。每个可变电阻器的值由温度寻址确定
查找表,从而可以通过分配一个唯一的值,以每个电阻为每2 ℃的增量-40 ℃至
+ 95 ° C温度范围内。数字温度传感器的输出也可作为一个13位, 2的补码
值通过串行总线。接口I / O引脚由SDA和SCL的。
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081502
DS1847
内存
位置
00H到47H
(表选择
字节, E0H ,绝
被设置为01H或
02h中访问
查找表)
LOCATION NAME OF
用户自定义查找表
( LUT)的
位置功能
该模块包含用户定义的温度
电阻器的设置。为00h之间的值
FFH可以写在任何一个表,设置256
位置可变电阻器。第一地址
位置, 00h时,用于设定该电阻在-40℃下。
每个连续的存储器位置将包含
电阻设定为前温度为+ 2℃。
例如,存储器地址01H是地址
将设置在-38 ℃的环境下电阻。
对于默认的内存设置和编程
的查找表,参考编程的
查找数据表的表( LUT )部分。
写该字节确定其中两个的
选择为72x8 EEPROM的查找表
读取或写入。
01H (查找表1中选择)
02H (查找表2中选择)
TAU TEN AEN
E0h
表选择字节
E1h
CON组fi guration字节
TAU - 温度/地址更新
TEN - 温度更新启用
AEN - 地址更新启用
默认设置为03H , TAU = 1 , TEN = 1和
AEN = 1 。
TAU的温度和地址后变为1
更新已发生的温度下的结果
转换。用户可以写入该位为0,
检查是否有从0到1 ,以过渡
验证是否已经发生了转换。
如果TEN = 0时,将温度转换功能是
禁用。用户设置在“手册中的电阻
模式“,通过写地址和单元F0h
F1H分别控制电阻器0和1。
与AEN = 0 ,用户可以在一个测试操作
模式。从制成地址更新
温度传感器将停止。用户可以加载
内存位置插入E4H和验证
是预期中的单元F0h和为Fih值
用户定义的值。
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DS1847
内存
位置
E2h
LOCATION NAME OF
温度MSB
位置功能
该字节包含13位2S的MSB
从输出补体温度
温度传感器。
S 2
7
2
6
2
5
2
4
2
3
2
2
2
1
该字节包含的LSB的13位2S
从输出补体温度
温度传感器。
2
0
2
-1
2
-2
2
-3
2
-4
X X X
例如温度读数,请参考表
2.
计算,目前电阻地址( 0H - 47H ) 。
在这个位置上的用户定义的电阻设置在
各自的查找表将被加载到
F0H和为Fih设置两个电阻。
通用用户存储器( SRAM )
内部或外部设备的地址选择。这
字节允许用户使用外部地址
销或内部寄存器的位置,以确定
设备地址。
A2 A1 A0 ENB
E3h
温度LSB
E4h
地址指针
E5H到E6H
E7h
用户内存
地址选择
ENB = 0和外部A2,A1和A0接地,
设备将使用内部地址位(A2, A1和A0)
该寄存器
ENB = 1,外部A2,A1和A0 =任意设定,
设备将使用外部地址引脚
默认设置为01H 。该器件采用外部
销,以确定其地址。
通用用户存储器( SRAM )
在用户控制的设置模式,该块
包含电阻0的设置。
在用户控制的设置模式,该块
包含电阻器1设置。
通用用户存储器( SRAM )
E8H到EFH
F0h
F1h
F2H为FFH
用户内存
电阻器0设定
电阻器设定1
用户内存
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