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DS16EV5110视频均衡器( 3D + C)为DVI , HDMI接收器端应用程序
2008年7月17日
DS16EV5110
视频均衡器( 3D + C)为DVI , HDMI接收器端
应用
概述
该DS16EV5110是一个多信道均衡器以优化
视频线延长接收器端的应用程序。它的工作BE-
吐温达到250Mbps和2.25Gbps用在普通的应用
为1.65Gbps和2.25Gbps (每个数据信道)。它包含三个
转换最小化差分信令( TMDS )数据
通道和一个时钟通道DVI的常见
和HDMI电缆。它提供的补偿趋肤效应
和介电损耗,一个普遍的现象,当传输
mitting视频市售高清视频
电缆。
输入符合DVI和HDMI的要求,并为特色的
Tures的输入均衡的编程水平。亲
均衡的可编程的情况下提供最佳的信号提振
并减少了符号间干扰。八个级别的提升
通过一个引脚接口或可选的系统是可选的
管理总线。
时钟信道长达225的时钟速率优化
MHz和功能的信号检测电路。为了最大限度地提高噪声
免疫力, DS16EV5110设有信号检测器
可编程的阈值。阈值是可调节的
通过系统管理总线(SMBus)接口。
该DS16EV5110还提供系统电源支持
通过输出管理的使能控制。其他控件
通过SMBus实现定制和OP-提供
timization针对特定应用的要求。这些CON-
trols包括可编程功能,如输出扩增
突地和提高控制以及系统级诊断。
特点
8级均衡硬性的由3个引脚或通过
SMBus接口
直流耦合输入和输出
优化的操作,从250 Mbps到2.25 Gbps的中
支持UXGA , 480 I / P , 720 I / P , 1080我的,和1080 P与
8 , 10 ,和12位色深的决议
两个DS16EV5110设备支持DVI / HDMI双链路
DVI 1.0和HDMI 1.3a标准兼容的TMDS接口
时钟通道信号检测( LOS )
启用省电待机模式
系统管理总线(SMBus )提供的控制
升压,输出幅度,使能和时钟通道信号
检测阈值
低功耗: 475mW (典型值)
在1.65 Gbps的包括电缆0.13 UI总抖动
单3.3V电源
小采用7mm x 7mm , 48引脚无引线LLP封装
-40 ° C至+ 85 ° C工作温度范围
扩展TMDS电缆可达:
1. > 40米24 AWG DVI线(为1.65Gbps )
2. > 20米28 AWG DVI线(为1.65Gbps )
3. > 20米五类/超五类/六类线(为1.65Gbps )
4. > 20米28 AWG HDMI电缆( 2.25Gbps )
应用
沉端视频应用:
投影机
高清显示器
典型用途
20216251
2008美国国家半导体公司
202162
www.national.com
DS16EV5110
引脚说明
引脚名称
C_IN-
C_IN +
D_IN0
D_IN0+
D_IN1
D_IN1+
D_IN2
D_IN2+
C_OUT-
C_OUT +
D_OUT0
D_OUT0+
D_OUT1–
D_OUT1+
D_OUT2
D_OUT2+
BST_0
BST_1
BST_2
设备控制
EN
44
我, LVCMOS启用均衡器的输入。在举行高时,选择正常运行。当保持低电平时,
待机模式被选择。 EN被拉高。信号是全局的所有数据和时钟
通道。
我, LVCMOS强制外部升压。在举行高,均衡器升压设置由BST_控制
[0: 2]引脚。当保持低电平时,均衡水平的提升,通过SMBus接口进行控制(参见
表1)
控制引脚。二月被拉高。
O, LVCMOS时钟均衡器通道信号检测输出。产生一个高时检测到信号。
动力
V
DD
引脚应连接到V
DD
飞机通过低阻抗通路。一个0.1μF的旁路
电容被连接到每个V之间
DD
引脚连接到GND平面。
接地参考。 GND应通过低阻抗连接到一个坚实的地面
路径。
在包装件的中心露出的焊盘必须被连接到接地平面。
引脚数
1
2
4
5
8
9
11
12
36
35
33
32
29
28
26
25
23
14
37
I / O类型
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
O, CML
O, CML
O, CML
O, CML
描述
反相和非反相的TMDS时钟输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接C_IN +连接到VDD和C_IN-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN0 +连接到VDD和D_IN0-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN1 +连接到VDD和D_IN1-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN2 +连接到VDD和D_IN2-至VDD 。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
高速差分I / O
均衡控制
我, LVCMOS BST_0 , BST_1和BST_2选择EQ通道均衡器提升等级。 BST_0 ,
BST_1和BST_2在内部拉低。看
表2中。
FEB
21
SD
动力
V
DD
45
3, 6, 7,
10, 13,
15, 46
22, 24,
27, 30,
31, 34
DAP
GND
GND
裸露
PAD
SDA
SDC
CS
GND
系统管理总线(SMBus )接口控制引脚
18
17
16
IO ,
LVCMOS
SMBus数据输入/输出。拉高到3.3V高-Z拉起来。
我, LVCMOS SMBus的时钟输入。拉高到3.3V高-Z拉起来。
我, LVCMOS SMBus的芯片选择。在举行高,均衡器的SMBus寄存器使能。当举行
低,均衡的SMBus寄存器被禁用。 CS内部拉低。 CS是内部
门控与SDC 。
版权所有。不要连接。
其他
RESERV
19, 20, 38,
39, 40,41,
42, 43, 47,
48
IO =输入/输出,
注意:
I =输入, O =输出,
www.national.com
2
DS16EV5110
接线图
20216252
TOP VIEW - 不按比例
订购信息
NSID
DS16EV5110SQ
DS16EV5110SQX
磁带&卷轴数量
250
2,500
SQA48D
SQA48D
3
www.national.com
DS16EV5110
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
DD
)
LVCMOS输入电压
LVCMOS输出电压
CML输入/输出电压
结温
储存温度
铅温度。 (焊接, 5秒)
-0.5V至+ 4.0V
-0.5V + 4.0V
-0.5V至4.0V
-0.5V至4.0V
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
ESD额定值
HBM , 1.5 kΩ的, 100 pF的
CML输入
热阻
θ
JA
,没有气流
>8千伏
>10千伏
30°C/W
推荐工作
条件
(注2,3)
电源电压
(V
DD
到GND)
环境温度
3.0
-40
典型值
3.3
25
最大单位
3.6
V
+85
°C
电气特性
在推荐,除非其他指定的工作电源和温度范围内。 (注2,3)
符号
I
IH- PU
I
IH- PD
I
IL - PU
I
IL - PD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
动力
PD
N
CML输入
V
TX
V
ICMDC
V
IN
R
LI
R
IN
V
O
输入电压摆幅(启动
振幅)
输入共模电压
输入电压摆幅
差分输入回波损耗
输入阻抗
输出电压摆幅
测得的差异,在TPA
(图
2)
直流耦合要求
测量TPA (图
2)
测得的差异,在城规会
(图
2)
100 MHz- 825 MHz的,有固定的
效果去嵌入
IN +到VDD和IN连接到VDD
差分测量与OUT +
和输出终止50Ω到
VDD
测量单端
20 %至80%的差分输出的
电压,从内部1"测
输出管脚。
差异在50%的交叉
最短和最长的
频道
4
参数
条件
典型值
最大
单位
LVCMOS DC规格
高电平输入漏电流LVCMOS引脚内部上拉
电阻器
高电平输入漏电流LVCMOS引脚内部上拉
下拉电阻
低电平输入漏电流LVCMOS引脚内部上拉
电阻器
低电平输入漏电流LVCMOS引脚内部上拉
下拉电阻
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
功耗
电源噪声容限(注4 )
SD引脚,我
OH
= -3mA
SD引脚,我
OL
= 3毫安
EN =高,设备启用
EN =低,掉电模式
DC至50MHz
100
475
-10
80
-20
-10
2.0
0
2.4
0.4
700
70
+10
105
-10
+10
VDD
0.8
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
mW
mW
mV
P-P
800
V
DD
-0.3
120
10
45
50
1200
V
DD
-0.2
mV
P-P
V
mV
P-P
dB
55
CML输出
800
V
DD
-0.3
75
1200
V
DD
-0.2
240
mV
P-P
V
ps
V
OCM
t
R
, t
F
输出共模电压
转换时间
t
CCSK
国米对通道到通道
歪斜(所有4个通道)
25
ps
www.national.com
DS16EV5110
符号
t
D
TJ1
潜伏期
输出抖动
参数
条件
典型值
350
最大
单位
ps
总抖动1.65 Gbps的
20米28 AWG STP DVI线
数据路径
EQ设置0×04 PRBS7
(注5 , 6 , 7 )
20米28 AWG STP DVI线
数据路径
EQ设置0×04 PRBS7
(注5 , 6 , 7 )
时钟路径
时钟模式
(注5 , 6 , 7 )
时钟路径
时钟模式
(注5 , 6 , 7 )
(注7,8)
时钟路径
(注5 )
数据路径
(注5 )
0.13
0.17
UI
P-P
TJ2
总抖动2.25 Gbps的
0.2
UI
P-P
TJ3
总抖动在165 MHz的
0.165
UI
P-P
TJ4
总抖动在225 MHz的
0.165
3
UI
P-P
ps
RMS
RJ
比特率
F
CLK
BR
随机抖动
时钟频率
比特率
25
0.25
225
2.25
兆赫
Gbps的
注1 :
“绝对最大额定值”,表示以后可能会损坏设备的限制,包括不可操作性的设备可靠性和退化
和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值或其他条件以外的那些指示的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。推荐工作条件表示条件该设备是功能和
设备不应该超出这样的条件下操作。绝对最大数字是保证在-40°C至+ 125 ° C的结温范围内。车型
被验证,只有最大工作电压。
注2 :
典型值在V最可能的参数规范
DD
= 3.3V ,T
A
= 25 ℃,并在推荐的工作条件,在产品的时间
表征,并不能保证。
注3 :
根据上市推荐工作条件电气特性表列出了保证的性能规格除非另有修改
或由电气特性条件和/或Notes规定。
注4 :
允许的电源噪声(MV
P-P
正弦波)的典型条件下。
注5 :
规范由特性保证,而不是在生产测试。
注6 :
确定性抖动的差分输出测量(的TPC
图2),
减去测试信道之前的确定性抖动(对苯二甲酸
图2)。
随机
抖动是通过使用平均或类似装置中删除。
注7 :
总抖动是指从峰到峰的确定性抖动
(注
8)
+ 14.2次随机抖动PS
RMS
.
注8 :
随机抖动贡献的均衡器被定义为平方室温(J
OUT2
J
IN2
). J
OUT
是随机抖动在以ps均衡器输出
RMS
见的TPC
图2 ;
J
IN
是随机抖动在以ps均衡器的输入
RMS
,看到TPA
图2中。
5
www.national.com
DS16EV5110视频均衡器,用于DVI ,HDMI和CAT5电缆
2007年6月
DS16EV5110
视频均衡器,用于DVI ,HDMI和CAT5电缆
概述
该DS16EV5110是2.25 Gbps的多信道均衡器OP-
timized视频电缆扩展的应用程序。它包含
3最小化传输差分讯号( TMDS ) DA-
TA通道和一个时钟通道DVI的常见
和HDMI电缆。它提供的补偿趋肤效应
和介电损耗,一个普遍的现象,当传输
mitting视频市售高清视频
电缆。
输入和输出完全支持DVI和HDMI要求一
ments ,并设有输入的可编程水平equaliza-
化。均衡的可编程水平提供最佳
信号升压并减少符号间干扰。 DE-的
副支持提供了更宽的输入直流耦合的数据通路
共模电压范围。宽输入共模
电压范围省去了外部耦合钙
pacitors ,从而降低溶液的体积和成本。
时钟信道长达225的时钟速率优化
MHz和功能的信号检测电路。为了最大限度地提高噪声
免疫力, DS16EV5110功能的可编程损失
信号阈值。阈值是可调节的,通过一个串行
管理总线(SMBus)接口。
该DS16EV5110还提供系统电源支持
通过输出管理的使能控制。其他控件
通过SMBus实现定制和OP-提供
timization针对特定应用的要求。这些CON-
trols包括可编程功能,如输出扩增
突地和提高控制以及系统级诊断。
特点
8级均衡硬性的由3个引脚或通过
SMBus接口
直流耦合输入和输出
优化的操作,从250 Mbps到2.25 Gbps的中
支持UXGA , 480 I / P , 720 I / P , 1080我的,和1080 P与
8 , 10 ,和12位色深的决议
两个DS16EV5110设备支持DVI / HDMI双链路
DVI 1.0 , HDMI 1.2A和HDMI 1.3兼容的TMDS
接口
时钟通道信号检测( LOS )
启用省电待机模式
串行管理总线(SMBus )提供的控制
升压,输出幅度,使能和时钟通道信号
检测阈值
低功耗: 475mW (典型值)
在1.65 Gbps的包括电缆0.13 UI总抖动
单3.3V电源
小采用7mm x 7mm , 48引脚无引线LLP封装
-40 ° C至+ 85 ° C工作温度范围
扩展TMDS电缆可达:
1. > 40米24 AWG DVI线
2. > 20米28 AWG DVI线
3. > 20米五类/超五类/六类电缆
4. > 20米2.25 Gbps的超过28 AWG HDMI电缆
应用
DVI / HDMI网线延长器/切换器
数码路由器和交换机
投影机
高清显示器
典型用途
20216224
2007美国国家半导体公司
202162
www.national.com
DS16EV5110
引脚说明
引脚名称
C_IN-
C_IN +
D_IN0
D_IN0+
D_IN1
D_IN1+
D_IN2
D_IN2+
C_OUT-
C_OUT +
D_OUT0
D_OUT0+
D_OUT1–
D_OUT1+
D_OUT2
D_OUT2+
BST_0
BST_1
BST_2
设备控制
EN
FEB
44
21
我, CMOS
我, CMOS
开启均衡器的输入。在举行高时,选择正常运行。当保持低电平时,
待机模式被选择。 EN内部拉高。
强制外部升压。当高举,均衡器升压设置由BST_控制
[0: 2]引脚。当保持低电平时,均衡水平的提升,通过SMBus接口进行控制(参见
表1)
控制引脚。二月被拉高。
均衡器时钟通道信号检测输出。产生在检测信号中的高。
V
DD
引脚应连接到V
DD
飞机通过低阻抗通路。一个0.01μF旁路
电容被连接到每个V之间
DD
引脚连接到GND平面。
接地参考。 GND应通过低阻抗连接到一个坚实的地面
路径。
在包装件的中心露出的焊盘必须被连接到接地平面。
引脚数
1
2
4
5
8
9
11
12
36
35
33
32
29
28
26
25
23
14
37
I / O类型
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
O, CML
O, CML
O, CML
O, CML
描述
反相和非反相的TMDS时钟输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接C_IN +连接到VDD和C_IN-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN0 +连接到VDD和D_IN0-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN1 +连接到VDD和D_IN1-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN2 +连接到VDD和D_IN2-至VDD 。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
高速差分I / O
均衡控制
我, CMOS
BST_0 , BST_1和BST_2选择EQ通道均衡器提升等级。 BST_0 ,
BST_1和BST_2在内部拉低。
SD
动力
V
DD
45
3, 6, 7,
10, 13,
15, 46
22, 24,
27, 30,
31, 34
PAD
O, CMOS
一,电源
GND
一,电源
裸露
PAD
SDA
SDC
CS
一,电源
串行管理总线(SMBus )接口控制引脚
18
17
16
我, CMOS
我, CMOS
我, CMOS
数据输入。内部拉高。
时钟输入。内部拉高。
片选。当高举,均衡的SMBus寄存器使能。当保持低电平时,
均衡器的SMBus寄存器被禁止。 CS内部拉低。 CS内部与门
SDC 。
版权所有。不要连接。
其他
RESERV
19, 20, 38,
39, 40,41,
42, 43, 47,
48
注意:
I =输入O =输出
www.national.com
2
DS16EV5110
接线图
20216226
3
www.national.com
DS16EV5110
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
DD
)
CMOS输入电压
CMOS输出电压
CML输入/输出电压
结温
储存温度
铅温度。 (焊接, 5秒)
-0.5V至+ 4.0V
0.5V + 4.0V
-0.5V至4.0V
-0.5V至4.0V
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
ESD额定值
HBM , 1.5 kΩ的, 100 pF的
CML输入
热阻
θ
JA
,没有气流
>8千伏
>10千伏
30°C/W
推荐工作
条件
(注2,3)
电源电压
(V
DD
到GND)
环境温度
3.0
40
典型值
3.3
25
最大单位
3.6
V
+85
°C
电气特性
在推荐,除非其他指定的工作电源和温度范围内。 (注2,3)
符号
I
IH- PU
I
IH- PD
I
IL - PU
I
IL - PD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
动力
P
N
电源功耗
电源噪声容限(注4 )
EN =高,设备启用
EN =低,掉电模式
50赫兹 - 100赫兹
100赫兹 - 10兆赫
10兆赫 - 825兆赫
测得的差异,在TPA
(图
1)
直流耦合要求
测量TPB (图
1)
100 MHz- 825 MHz的,有固定的
效果去嵌入
IN +到VDD和IN连接到VDD
差分测量与OUT +
和输出终止50Ω到
VDD
测量单端
20 %至80%的差分输出的
电压,从内部1"测
输出管脚。
差异在50%的交叉
最短和最长的
频道
4
参数
条件
典型值
最大
单位
LVCMOS DC规格
高电平输入漏电流的CMOS引脚内部上拉
电阻器
高电平输入漏电流的CMOS引脚内部下拉
电阻器
低电平输入漏电流的CMOS引脚内部上拉
电阻器
低电平输入漏电流的CMOS引脚内部下拉
电阻器
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
SD引脚
SD引脚
475
100
40
10
—10
80
—20
—10
2.0
0
2.4
0.4
700
70
+10
105
—10
+10
VDD
0.8
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
mW
mW
mV
P-P
mV
P-P
mV
P-P
CML输入
V
IN
V
ICMDC
R
LI
R
IN
V
O
输入电压摆幅
输入共模电压
差分输入回波损耗
输入阻抗
输出电压摆幅
800
V
DD
-0.3
10
45
50
55
1200
V
DD
-0.2
mV
P-P
V
dB
CML输出
800
V
DD
-0.3
75
1200
V
DD
-0.2
240
mV
P-P
V
ps
V
OCM
t
R
, t
F
输出共模电压
转换时间
t
CCSK
国米对通道到通道
歪斜(所有4个通道)
25
ps
www.national.com
DS16EV5110
符号
t
D
TJ1
潜伏期
输出抖动
参数
条件
典型值
350
最大
单位
ps
总抖动1.65 Gbps的
20米28 AWG STP DVI线
数据路径
EQ设置0×04 PRBS7
(注5 , 6 , 7 )
20米28 AWG STP DVI线
数据路径
EQ设置0×04 PRBS7
(注5 , 6 , 7 )
时钟路径
时钟模式
(注5 , 6 , 7 )
时钟路径
时钟模式
(注5 , 6 , 7 )
(注7,8)
时钟路径
(注5 )
数据路径
(注5 )
0.13
0.17
UI
P-P
TJ2
总抖动2.25 Gbps的
0.2
UI
P-P
TJ3
总抖动在165 MHz的
0.165
UI
P-P
TJ4
总抖动在225 MHz的
0.165
3
UI
P-P
psRMS
RJ
比特率
F
CLK
BR
随机抖动
时钟频率
比特率
25
0.25
225
2.25
兆赫
Gbps的
注1 :
“绝对最大额定值”,表示以后可能会损坏设备的限制,包括不可操作性的设备可靠性和退化
和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值或其他条件以外的那些指示的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。推荐工作条件表示条件该设备是功能和
设备不应该超出这样的条件下操作。绝对最大数字是保证在-40°C至+ 125 ° C的结温范围内。车型
被验证,只有最大工作电压。
注2 :
典型值在V最可能的参数规范
DD
= 3.3V ,T
A
= 25 ℃,并在推荐的工作条件,在产品的时间
表征,并不能保证。
注3 :
根据上市推荐工作条件电气特性表列出了保证的性能规格除非另有修改
或由电气特性条件和/或Notes规定。典型规格仅估计,并不能保证。
注4 :
允许的电源噪声(MV
P-P
正弦波)的典型条件下。
注5 :
规范由特性保证,而不是在生产测试。
注6 :
确定性抖动的差分输出测量(的TPC
图1),
减去测试信道之前的确定性抖动(对苯二甲酸
图1)。
随机
抖动是通过使用平均或类似装置中删除。
注7 :
总抖动是指从峰到峰的确定性抖动
(注
(J
OUT2
8)
+ 14.2次随机抖动。
注8 :
随机抖动贡献的均衡器被定义为平方室温
J
IN2
). J
OUT
为随机抖动在PS- RMS均衡器输出,见TPC
科幻gure
1;
J
IN
是随机抖动在以ps有效值均衡器的输入端,见的TPA
图1 。
5
www.national.com
DS16EV5110视频均衡器,用于DVI ,HDMI和CAT5电缆
2007年5月
DS16EV5110
视频均衡器,用于DVI ,HDMI和CAT5电缆
概述
该DS16EV5110是2.25 Gbps的多信道均衡器OP-
timized视频电缆扩展的应用程序。它包含
3转换最小化差分信令( TMDS )数据
通道和一个时钟通道DVI的常见
和HDMI电缆。它提供的补偿趋肤效应
和介电损耗,一个普遍的现象,当传输
mitting视频市售高清视频
电缆。
输入和输出完全支持DVI和HDMI要求一
ments ,并设有输入的可编程水平equaliza-
化。这提供了最佳的信号增强,降低了跨
符号间干扰。该器件支持直流耦合数据
路径提供了更宽的输入共模电压范围。
这省去了外部耦合电容,
从而降低溶液的体积和成本。
时钟信道长达225的时钟速率优化
MHz和功能的信号检测电路。为了最大限度地提高噪声
免疫力, DS16EV5110功能的可编程损失
信号阈值。阈值是可调节的,通过一个串行
管理总线(SMBus)接口。
该DS16EV5110还提供系统电源支持
通过输出管理的使能控制。其他控件
通过SMBus实现定制和OP-提供
timization针对特定应用的要求。这些指令
CLUDE可编程功能,如输出幅度和
升压控制以及系统级诊断。
特点
8级均衡硬性的由3个引脚或通过
SMBus接口
直流耦合输入和输出
优化的操作,从250 Mbps到2.25 Gbps的中
支持UXGA , 480 I / P , 720 I / P , 1080我的,和1080 P与
8 , 10 ,和12位色深的决议
两个DS16EV5110设备支持DVI / HDMI双链路
DVI 1.0 , HDMI 1.2A和HDMI 1.3兼容的TMDS
接口
时钟通道信号检测( LOS )
启用省电待机模式
串行管理总线(SMBus )提供的控制
升压,输出幅度,使能和时钟通道信号
检测阈值
低功耗: 475mW (典型值)
在1.65 Gbps的包括电缆0.13 UI总抖动
单3.3V电源
小采用7mm x 7mm , 48引脚无引线LLP封装
-40 ° C至+ 85 ° C工作温度范围
扩展TMDS电缆可达:
1. > 40米24 AWG DVI线
2. > 20米28 AWG DVI线
3. > 20米五类/超五类/六类电缆
4. > 20米2.25 Gbps的超过28 AWG HDMI电缆
应用
DVI / HDMI网线延长器/切换器
数码路由器和交换机
投影机
高清显示器
典型用途
20216224
2007美国国家半导体公司
202162
www.national.com
DS16EV5110
引脚说明
引脚名称
C_IN-
C_IN +
D_IN0
D_IN0+
D_IN1
D_IN1+
D_IN2
D_IN2+
C_OUT-
C_OUT +
D_OUT0
D_OUT0+
D_OUT1–
D_OUT1+
D_OUT2
D_OUT2+
BST_0
BST_1
BST_2
设备控制
EN
FEB
44
21
我, CMOS
我, CMOS
开启均衡器的输入。在举行高时,选择正常运行。当保持低电平时,
待机模式被选择。 EN内部拉高。
强制外部升压。当高举,均衡器升压设置由BST_控制
[0: 2]引脚。当保持低电平时,均衡水平的提升,通过SMBus接口进行控制(参见
表1)
控制引脚。二月被拉高。
均衡器时钟通道信号检测输出。产生在检测信号中的高。
V
DD
引脚应连接到V
DD
飞机通过低阻抗通路。一个0.01μF旁路
电容被连接到每个V之间
DD
引脚连接到GND平面。
接地参考。 GND应通过低阻抗连接到一个坚实的地面
路径。
在包装件的中心露出的焊盘必须被连接到接地平面。
引脚数
1
2
4
5
8
9
11
12
36
35
33
32
29
28
26
25
23
14
37
I / O类型
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
O, CML
O, CML
O, CML
O, CML
描述
反相和非反相的TMDS时钟输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接C_IN +连接到VDD和C_IN-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN0 +连接到VDD和D_IN0-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN1 +连接到VDD和D_IN1-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN2 +连接到VDD和D_IN2-至VDD 。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
高速差分I / O
均衡控制
我, CMOS
BST_0 , BST_1和BST_2选择EQ通道均衡器提升等级。 BST_0 ,
BST_1和BST_2在内部拉低。
SD
动力
V
DD
45
3, 6, 7,
10, 13,
15, 46
22, 24,
27, 30,
31, 34
PAD
O, CMOS
一,电源
GND
一,电源
裸露
PAD
SDA
SDC
CS
一,电源
串行管理总线(SMBus )接口控制引脚
18
17
16
我, CMOS
我, CMOS
我, CMOS
数据输入。内部拉高。
时钟输入。内部拉高。
片选。当高举,均衡的SMBus寄存器使能。当保持低电平时,
均衡器的SMBus寄存器被禁止。 CS内部拉低。 CS内部与门
SDC 。
版权所有。不要连接。
其他
RESERV
19, 20, 38,
39, 40,41,
42, 43, 47,
48
注意:
I =输入O =输出
www.national.com
2
DS16EV5110
接线图
20216226
3
www.national.com
DS16EV5110
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
DD
)
CMOS输入电压
CMOS输出电压
CML输入/输出电压
结温
储存温度
铅温度。 (焊接, 5秒)
-0.5V至+ 4.2V
-0.5V至(Ⅴ
DD
+ 0.5V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+ 0.5V)
-0.3V到(V
DD
+ 0.3V)
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
ESD额定值
HBM , 1.5 kΩ的, 100 pF的
CML输入
热阻
θ
JA
,没有气流
>8千伏
>10千伏
30°C/W
推荐工作
条件
(注2,3)
电源电压
(V
DD
到GND)
环境温度
3.0
40
典型值
3.3
25
最大单位
3.6
V
+85
°C
电气特性
在推荐,除非其他指定的工作电源和温度范围内。 (注2,3)
符号
I
IH- PU
I
IH- PD
I
IL - PU
I
IL - PD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
动力
P
N
电源功耗
电源噪声容限(注4 )
EN =高,设备启用
EN =低,掉电模式
50赫兹 - 100赫兹
100赫兹 - 10兆赫
10兆赫 - 825兆赫
测得的差异,在TPA
(图
1)
直流耦合要求
测量TPB (图
1)
100 MHz- 825 MHz的,有固定的
效果去嵌入
IN +到VDD和IN连接到VDD
差分测量与OUT +
和输出终止50Ω到
VDD
测量单端
20 %至80%的差分输出的
电压,从内部1"测
输出管脚。
差异在50%的交叉
最短和最长的
频道
4
参数
条件
典型值
最大
单位
LVCMOS DC规格
高电平输入漏电流的CMOS引脚内部上拉
电阻器
高电平输入漏电流的CMOS引脚内部下拉
电阻器
低电平输入漏电流的CMOS引脚内部上拉
电阻器
低电平输入漏电流的CMOS引脚内部下拉
电阻器
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
SD引脚
SD引脚
475
100
40
10
—10
80
—20
—10
2.0
0
2.4
0.4
700
70
+10
105
—10
+10
VDD
0.8
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
mW
mW
mV
P-P
mV
P-P
mV
P-P
CML输入
V
IN
V
ICMDC
R
LI
R
IN
V
O
输入电压摆幅
输入共模电压
差分输入回波损耗
输入阻抗
输出电压摆幅
800
V
DD
-0.3
10
45
50
55
1200
V
DD
-0.2
mV
P-P
V
dB
CML输出
800
V
DD
-0.3
75
1200
V
DD
-0.2
240
mV
P-P
V
ps
V
OCM
t
R
, t
F
输出共模电压
转换时间
t
CCSK
国米对通道到通道
歪斜(所有4个通道)
25
ps
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DS16EV5110
符号
t
D
TJ1
潜伏期
输出抖动
参数
条件
典型值
350
最大
单位
ps
总抖动1.65 Gbps的
20米28 AWG STP DVI线
数据路径
EQ设置0×04 PRBS7
(注5 , 6 , 7 )
20米28 AWG STP DVI线
数据路径
EQ设置0×04 PRBS7
(注5 , 6 , 7 )
时钟路径
时钟模式
(注5 , 6 , 7 )
时钟路径
时钟模式
(注5 , 6 , 7 )
(注7,8)
时钟路径
(注5 )
数据路径
(注5 )
0.13
0.17
UI
P-P
TJ2
总抖动2.25 Gbps的
0.2
UI
P-P
TJ3
总抖动在165 MHz的
0.165
UI
P-P
TJ4
总抖动在225 MHz的
0.165
3
UI
P-P
psRMS
RJ
比特率
F
CLK
BR
随机抖动
时钟频率
比特率
25
0.25
225
2.25
兆赫
Gbps的
注1 :
“绝对最大额定值”,表示以后可能会损坏设备的限制,包括不可操作性的设备可靠性和退化
和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值或其他条件以外的那些指示的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。推荐工作条件表示条件该设备是功能和
设备不应该超出这样的条件下操作。
注2 :
典型值在V最可能的参数规范
DD
= 3.3V ,T
A
= 25 ℃,并在推荐的工作条件,在产品的时间
表征,并不能保证。
注3 :
根据上市推荐工作条件电气特性表列出了保证的性能规格除非另有修改
或由电气特性条件和/或Notes规定。典型规格仅估计,并不能保证。
注4 :
允许的电源噪声(MV
P-P
正弦波)的典型条件下。
注5 :
规范由特性保证,而不是在生产测试。
注6 :
确定性抖动的差分输出测量(的TPC
图1),
减去测试信道之前的确定性抖动(对苯二甲酸
图1)。
随机
抖动是通过使用平均或类似装置中删除。
注7 :
总抖动是指从峰到峰的确定性抖动
(注
(J
OUT2
8)
+ 14.2次随机抖动。
注8 :
随机抖动贡献的均衡器被定义为平方室温
J
IN2
). J
OUT
为随机抖动在PS- RMS均衡器输出,见TPC
科幻gure
1;
J
IN
是随机抖动在以ps有效值均衡器的输入端,见的TPA
图1 。
5
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DS16EV5110视频均衡器,用于DVI ,HDMI和CAT5电缆
2007年5月
DS16EV5110
视频均衡器,用于DVI ,HDMI和CAT5电缆
概述
该DS16EV5110是2.25 Gbps的多信道均衡器OP-
timized视频电缆扩展的应用程序。它包含
3转换最小化差分信令( TMDS )数据
通道和一个时钟通道DVI的常见
和HDMI电缆。它提供的补偿趋肤效应
和介电损耗,一个普遍的现象,当传输
mitting视频市售高清视频
电缆。
输入和输出完全支持DVI和HDMI要求一
ments ,并设有输入的可编程水平equaliza-
化。这提供了最佳的信号增强,降低了跨
符号间干扰。该器件支持直流耦合数据
路径提供了更宽的输入共模电压范围。
这省去了外部耦合电容,
从而降低溶液的体积和成本。
时钟信道长达225的时钟速率优化
MHz和功能的信号检测电路。为了最大限度地提高噪声
免疫力, DS16EV5110功能的可编程损失
信号阈值。阈值是可调节的,通过一个串行
管理总线(SMBus)接口。
该DS16EV5110还提供系统电源支持
通过输出管理的使能控制。其他控件
通过SMBus实现定制和OP-提供
timization针对特定应用的要求。这些指令
CLUDE可编程功能,如输出幅度和
升压控制以及系统级诊断。
特点
8级均衡硬性的由3个引脚或通过
SMBus接口
直流耦合输入和输出
优化的操作,从250 Mbps到2.25 Gbps的中
支持UXGA , 480 I / P , 720 I / P , 1080我的,和1080 P与
8 , 10 ,和12位色深的决议
两个DS16EV5110设备支持DVI / HDMI双链路
DVI 1.0 , HDMI 1.2A和HDMI 1.3兼容的TMDS
接口
时钟通道信号检测( LOS )
启用省电待机模式
串行管理总线(SMBus )提供的控制
升压,输出幅度,使能和时钟通道信号
检测阈值
低功耗: 475mW (典型值)
在1.65 Gbps的包括电缆0.13 UI总抖动
单3.3V电源
小采用7mm x 7mm , 48引脚无引线LLP封装
-40 ° C至+ 85 ° C工作温度范围
扩展TMDS电缆可达:
1. > 40米24 AWG DVI线
2. > 20米28 AWG DVI线
3. > 20米五类/超五类/六类电缆
4. > 20米2.25 Gbps的超过28 AWG HDMI电缆
应用
DVI / HDMI网线延长器/切换器
数码路由器和交换机
投影机
高清显示器
典型用途
20216224
2007美国国家半导体公司
202162
www.national.com
DS16EV5110
引脚说明
引脚名称
C_IN-
C_IN +
D_IN0
D_IN0+
D_IN1
D_IN1+
D_IN2
D_IN2+
C_OUT-
C_OUT +
D_OUT0
D_OUT0+
D_OUT1–
D_OUT1+
D_OUT2
D_OUT2+
BST_0
BST_1
BST_2
设备控制
EN
FEB
44
21
我, CMOS
我, CMOS
开启均衡器的输入。在举行高时,选择正常运行。当保持低电平时,
待机模式被选择。 EN内部拉高。
强制外部升压。当高举,均衡器升压设置由BST_控制
[0: 2]引脚。当保持低电平时,均衡水平的提升,通过SMBus接口进行控制(参见
表1)
控制引脚。二月被拉高。
均衡器时钟通道信号检测输出。产生在检测信号中的高。
V
DD
引脚应连接到V
DD
飞机通过低阻抗通路。一个0.01μF旁路
电容被连接到每个V之间
DD
引脚连接到GND平面。
接地参考。 GND应通过低阻抗连接到一个坚实的地面
路径。
在包装件的中心露出的焊盘必须被连接到接地平面。
引脚数
1
2
4
5
8
9
11
12
36
35
33
32
29
28
26
25
23
14
37
I / O类型
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
O, CML
O, CML
O, CML
O, CML
描述
反相和非反相的TMDS时钟输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接C_IN +连接到VDD和C_IN-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN0 +连接到VDD和D_IN0-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN1 +连接到VDD和D_IN1-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN2 +连接到VDD和D_IN2-至VDD 。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
高速差分I / O
均衡控制
我, CMOS
BST_0 , BST_1和BST_2选择EQ通道均衡器提升等级。 BST_0 ,
BST_1和BST_2在内部拉低。
SD
动力
V
DD
45
3, 6, 7,
10, 13,
15, 46
22, 24,
27, 30,
31, 34
PAD
O, CMOS
一,电源
GND
一,电源
裸露
PAD
SDA
SDC
CS
一,电源
串行管理总线(SMBus )接口控制引脚
18
17
16
我, CMOS
我, CMOS
我, CMOS
数据输入。内部拉高。
时钟输入。内部拉高。
片选。当高举,均衡的SMBus寄存器使能。当保持低电平时,
均衡器的SMBus寄存器被禁止。 CS内部拉低。 CS内部与门
SDC 。
版权所有。不要连接。
其他
RESERV
19, 20, 38,
39, 40,41,
42, 43, 47,
48
注意:
I =输入O =输出
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2
DS16EV5110
接线图
20216226
3
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DS16EV5110
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压(V
DD
)
CMOS输入电压
CMOS输出电压
CML输入/输出电压
结温
储存温度
铅温度。 (焊接, 5秒)
-0.5V至+ 4.2V
-0.5V至(Ⅴ
DD
+ 0.5V)
-0.5V至(Ⅴ
DD
+ 0.5V)
-0.3V到(V
DD
+ 0.3V)
+150°C
-65 ° C至+ 150°C
+260°C
ESD额定值
HBM , 1.5 kΩ的, 100 pF的
CML输入
热阻
θ
JA
,没有气流
>8千伏
>10千伏
30°C/W
推荐工作
条件
(注2,3)
电源电压
(V
DD
到GND)
环境温度
3.0
40
典型值
3.3
25
最大单位
3.6
V
+85
°C
电气特性
在推荐,除非其他指定的工作电源和温度范围内。 (注2,3)
符号
I
IH- PU
I
IH- PD
I
IL - PU
I
IL - PD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
动力
P
N
电源功耗
电源噪声容限(注4 )
EN =高,设备启用
EN =低,掉电模式
50赫兹 - 100赫兹
100赫兹 - 10兆赫
10兆赫 - 825兆赫
测得的差异,在TPA
(图
1)
直流耦合要求
测量TPB (图
1)
100 MHz- 825 MHz的,有固定的
效果去嵌入
IN +到VDD和IN连接到VDD
差分测量与OUT +
和输出终止50Ω到
VDD
测量单端
20 %至80%的差分输出的
电压,从内部1"测
输出管脚。
差异在50%的交叉
最短和最长的
频道
4
参数
条件
典型值
最大
单位
LVCMOS DC规格
高电平输入漏电流的CMOS引脚内部上拉
电阻器
高电平输入漏电流的CMOS引脚内部下拉
电阻器
低电平输入漏电流的CMOS引脚内部上拉
电阻器
低电平输入漏电流的CMOS引脚内部下拉
电阻器
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
SD引脚
SD引脚
475
100
40
10
—10
80
—20
—10
2.0
0
2.4
0.4
700
70
+10
105
—10
+10
VDD
0.8
μA
μA
μA
μA
V
V
V
V
mW
mW
mV
P-P
mV
P-P
mV
P-P
CML输入
V
IN
V
ICMDC
R
LI
R
IN
V
O
输入电压摆幅
输入共模电压
差分输入回波损耗
输入阻抗
输出电压摆幅
800
V
DD
-0.3
10
45
50
55
1200
V
DD
-0.2
mV
P-P
V
dB
CML输出
800
V
DD
-0.3
75
1200
V
DD
-0.2
240
mV
P-P
V
ps
V
OCM
t
R
, t
F
输出共模电压
转换时间
t
CCSK
国米对通道到通道
歪斜(所有4个通道)
25
ps
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DS16EV5110
符号
t
D
TJ1
潜伏期
输出抖动
参数
条件
典型值
350
最大
单位
ps
总抖动1.65 Gbps的
20米28 AWG STP DVI线
数据路径
EQ设置0×04 PRBS7
(注5 , 6 , 7 )
20米28 AWG STP DVI线
数据路径
EQ设置0×04 PRBS7
(注5 , 6 , 7 )
时钟路径
时钟模式
(注5 , 6 , 7 )
时钟路径
时钟模式
(注5 , 6 , 7 )
(注7,8)
时钟路径
(注5 )
数据路径
(注5 )
0.13
0.17
UI
P-P
TJ2
总抖动2.25 Gbps的
0.2
UI
P-P
TJ3
总抖动在165 MHz的
0.165
UI
P-P
TJ4
总抖动在225 MHz的
0.165
3
UI
P-P
psRMS
RJ
比特率
F
CLK
BR
随机抖动
时钟频率
比特率
25
0.25
225
2.25
兆赫
Gbps的
注1 :
“绝对最大额定值”,表示以后可能会损坏设备的限制,包括不可操作性的设备可靠性和退化
和/或性能。该设备和/或无退化的绝对最大额定值或其他条件以外的那些指示的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。推荐工作条件表示条件该设备是功能和
设备不应该超出这样的条件下操作。
注2 :
典型值在V最可能的参数规范
DD
= 3.3V ,T
A
= 25 ℃,并在推荐的工作条件,在产品的时间
表征,并不能保证。
注3 :
根据上市推荐工作条件电气特性表列出了保证的性能规格除非另有修改
或由电气特性条件和/或Notes规定。典型规格仅估计,并不能保证。
注4 :
允许的电源噪声(MV
P-P
正弦波)的典型条件下。
注5 :
规范由特性保证,而不是在生产测试。
注6 :
确定性抖动的差分输出测量(的TPC
图1),
减去测试信道之前的确定性抖动(对苯二甲酸
图1)。
随机
抖动是通过使用平均或类似装置中删除。
注7 :
总抖动是指从峰到峰的确定性抖动
(注
(J
OUT2
8)
+ 14.2次随机抖动。
注8 :
随机抖动贡献的均衡器被定义为平方室温
J
IN2
). J
OUT
为随机抖动在PS- RMS均衡器输出,见TPC
科幻gure
1;
J
IN
是随机抖动在以ps有效值均衡器的输入端,见的TPA
图1 。
5
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