DS16EV5110
引脚说明
引脚名称
C_IN-
C_IN +
D_IN0
D_IN0+
D_IN1
D_IN1+
D_IN2
D_IN2+
C_OUT-
C_OUT +
D_OUT0
D_OUT0+
D_OUT1–
D_OUT1+
D_OUT2
D_OUT2+
BST_0
BST_1
BST_2
设备控制
EN
44
我, LVCMOS启用均衡器的输入。在举行高时,选择正常运行。当保持低电平时,
待机模式被选择。 EN被拉高。信号是全局的所有数据和时钟
通道。
我, LVCMOS强制外部升压。在举行高,均衡器升压设置由BST_控制
[0: 2]引脚。当保持低电平时,均衡水平的提升,通过SMBus接口进行控制(参见
表1)
控制引脚。二月被拉高。
O, LVCMOS时钟均衡器通道信号检测输出。产生一个高时检测到信号。
动力
V
DD
引脚应连接到V
DD
飞机通过低阻抗通路。一个0.1μF的旁路
电容被连接到每个V之间
DD
引脚连接到GND平面。
接地参考。 GND应通过低阻抗连接到一个坚实的地面
路径。
在包装件的中心露出的焊盘必须被连接到接地平面。
引脚数
1
2
4
5
8
9
11
12
36
35
33
32
29
28
26
25
23
14
37
I / O类型
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
一,慢性粒细胞白血病
O, CML
O, CML
O, CML
O, CML
描述
反相和非反相的TMDS时钟输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接C_IN +连接到VDD和C_IN-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN0 +连接到VDD和D_IN0-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN1 +连接到VDD和D_IN1-至VDD 。
反相和非反相TMDS数据输入到均衡器。片上50Ω端接
电阻连接D_IN2 +连接到VDD和D_IN2-至VDD 。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
反相和从所述均衡器的非反相TMDS输出。集电极开路。
高速差分I / O
均衡控制
我, LVCMOS BST_0 , BST_1和BST_2选择EQ通道均衡器提升等级。 BST_0 ,
BST_1和BST_2在内部拉低。看
表2中。
FEB
21
SD
动力
V
DD
45
3, 6, 7,
10, 13,
15, 46
22, 24,
27, 30,
31, 34
DAP
GND
GND
裸露
PAD
SDA
SDC
CS
GND
系统管理总线(SMBus )接口控制引脚
18
17
16
IO ,
LVCMOS
SMBus数据输入/输出。拉高到3.3V高-Z拉起来。
我, LVCMOS SMBus的时钟输入。拉高到3.3V高-Z拉起来。
我, LVCMOS SMBus的芯片选择。在举行高,均衡器的SMBus寄存器使能。当举行
低,均衡的SMBus寄存器被禁用。 CS内部拉低。 CS是内部
门控与SDC 。
版权所有。不要连接。
其他
RESERV
19, 20, 38,
39, 40,41,
42, 43, 47,
48
IO =输入/输出,
注意:
I =输入, O =输出,
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