DS1689/DS1693
3V / 5V串行实时时钟
与NV RAM控制器
www.maxim-ic.com
特点
采用工业标准的DS1287 PC
时钟以及增强的特性：
+ 3V或+ 5V操作
64位硅序列号
64位客户专用ROM或
额外的序列号可用
电源控制电路支持系统
上电从日期/时间报警或按键
关闭
自动电池备份和写
保护外部SRAM
晶振选择位允许RTC
同为6.0pF或12.5pF的晶体
114字节的用户NV RAM
辅助电池输入
RAM清零输入
世纪寄存器
32kHz的输出电源管理
32 - V位
CC
本站历时计数器
32 - V位
BAT
本站历时计数器
16位POWER循环计数器
兼容于原装现有的BIOS
DS1287功能
作为IC （ DS1689 ）或独立
嵌入式电池和晶体模块
(DS1693)
可在工业温度
VERSION
计时算法包括闰年
补偿有效期至2100年
销刀豆网络gurations
V
BAUX
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
RCLR
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
PWR
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
CEI
首席执行官
V
CCI
V
CCO
SQW
北卡罗来纳州
IRQ
PSEL
RD
北卡罗来纳州
WR
ALE
CS
KS
V
BAUX
X1
X2
RCLR
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
PWR
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
CEI
首席执行官
V
CCI
V
CCO
SQW
V
BAT
IRQ
PSEL
RD
GND
WR
ALE
CS
KS
DS1693
DIP封装
（ 740密耳）
SO
（ 330密耳）
订购信息
部分
DS1689S
DS1689S+
DS1689SN
DS1689SN+
DS1689S/T&R
DS1689S+T&R
DS1689SN/T&R
DS1689SN+T&R
DS1693
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
电压（V）的
35
35
35
35
35
35
35
35
35
PIN- PACKAGE
28 SO （ 0.330 “ ）
28 SO （ 0.330 “ ）
28 SO （ 0.330 “ ）
28 SO （ 0.330 “ ）
28 SO （ 0.330 “ ） /带卷&
28 SO （ 0.330 “ ） /带卷&
28 SO （ 0.330 “ ） /带卷&
28 SO （ 0.330 “ ） /带卷&
28 EDIP （ 0.740 “ ）
顶标*
DS1689S
DS1689S
DS1689S
DS1689S
DS1689S
DS1689S
DS1689S
DS1689S
DS1693
+
表示无铅/符合RoHS标准的器件。
*
A“ +”的顶标随时随地表示无铅/符合RoHS标准的器件。一个“N”是指工业温度装置。
1 36
DS1689
REV ： 112105
DS1689/DS1693
引脚说明
针
SO
EDIP
名字
功能
辅助电池供电。需要辅助电池输入
Kickstart和唤醒功能。该输入也支持
时钟/日历和外部NV RAM若V
BAT
是在较低的电压或
不存在。标准+ 3V锂电池或其它能源
都可以使用。电池电压必须+ 2.5V和+ 3.7V之间举行
正确操作。如果V
BAUX
不打算使用它应该是
接地和辅助电池的使能位银行1 ，注册4BH ，
应= 0 。
对于标准的32.768kHz石英晶体的连接。对于最大
精度， DS1689必须与晶体，其具有可用于
无论是为6.0pF或12.5pF的指定负载电容。晶体选择
在扩展控制寄存器4B （ CS ）位用于选择操作
一个为6.0pF或12.5pF的晶体。晶体可以直接附连到
X1和X2引脚。没有必要对外部电容器或电阻器。
注意： X1和X2是非常高阻抗节点。建议
他们和晶体被后卫炉头与地面的高
频信号避开从晶体区域。
关于水晶的选择和水晶布局的详细信息
的考虑，参考
应用笔记58 ：水晶思考
达拉斯实时时钟。
在DS1689也可以通过一个驱动
外部32.768kHz的振荡器。在这种配置中， X1脚是
连接到外部振荡器信号和X2脚被浮置。
低电平有效RAM清零输入。如果通过软件启用，以
RCLR
低将导致114字节的用户内存结算。当
启用后，
RCLR
可以与否V激活
CC
是否存在。
复用的地址/数据总线。多路公交车节约引脚，因为
地址信息和数据信息的时间共享相同的信号
路径。该地址是在总线的第一部分期间本
循环，并且在同一引脚和信号路径用于在所述数据
周期的第二部分。地址/数据复用不慢
因为从地址总线切换到访问DS1689的时间
在内部RAM的存取时间产生的数据。地址必须是
前有效的ALE的后部，在该时刻的
DS1689 / DS1693锁存地址。有效的写数据必须
现在和期间的后面部分保持稳定
WR
脉搏。在一个
读出周期中， DS1689 /
期间的后面部分DS1693输出8位数据
RD
脉搏。读周期被终止，并且在总线返回到高
阻抗状态
RD
转换为高。地址/数据总线还
用作用于外部扩展RAM中的双向数据通路。
1
1
V
BAUX
2, 3
—
X1, X2
4
4
RCLR
5–12
5–12
AD0–AD7
2 36
DS1689/DS1693
针
SO
EDIP
名字
功能
有源功率很低，在中断输出。该
PWR
销意
用作一个开/关控制系统的电源。随着V
CC
电压
从DS1689 / DS1693中删除，
PWR
可以自动地
通过从Kickstart中输入激活
KS
销或从一个唤醒
中断。一旦在系统接通电源时，状态
PWR
可以
通过在达拉斯寄存器位控制。
地面上。直流电源提供给该装置在这个引脚上。
低电平有效Kickstart的输入。当V
CC
从除去
DS1689 / DS1693 ，该系统可以响应上电至一
在低电平有效过渡
KS
针，如可从生成的
键关闭。 V
BAUX
必须存在和辅助电池使能位
（ ABE ）必须被设置为1，如果该kickstart的功能时，与该
KS
销必须上拉至V
BAUX
供应量。而V
CC
被施加，所述
KS
引脚可以用作中断输入。
低电平有效的片选输入。此信号必须被拉低
在总线周期为DS1689的实时时钟部/ DS1693是
访问。
CS
期间必须保持在激活状态下
RD
和
WR
时序。总线周期，其中发生与ALE断言，但没有
断言，
CS
将锁存地址。但是，没有数据传送将
发生。
地址选通输入（高电平有效） 。在地址选通脉冲
引脚用于解复用总线。 ALE的原因下降沿
RTC的地址要在DS1689 / DS1693中锁定。
低电平有效写数据选通。该
WR
信号是一个低电平有效
信号。该
WR
信号定义的时间段期间，数据是
写入寻址寄存器。
低有效的读数据选通。
RD
确定的时间段时
在DS1689 / DS1693驱动与RTC总线读取数据。该
RD
信号是一个使能信号为时钟的输出缓冲器。
+ 3V或+ 5V电源选择。当PSEL为逻辑1 ， 5V操作
选择。当PSEL是逻辑0或浮置，该装置是在
自动感测模式，并确定操作基于正确的模式
上的电压V
CCI
.
低电平有效中断请求输出（漏极开路） 。该
IRQ
引脚
在DS1689 / DS1693的低电平有效输出，可以绑
中断的处理器的输入。该
IRQ
输出保持低电平，只要
作为状态位引起的中断是存在的
相应的中断使能位被置位。要清除
IRQ
引脚上，
应用软件必须清除所有已启用的标志位贡献
IRQ的
活动状态。当没有中断条件都存在时，
IRQ
电平是在高阻抗状态。多个中断设备
可以连接到一个
IRQ
总线。该
IRQ
脚是漏极开路
输出，需要一个外部上拉电阻。
电池输入的任何标准3V锂电池或其它能源
源。电池电压必须为2.5V和3.7V之间举行
正确的操作。
3 36
13
13
PWR
14, 19
14
GND
15
15
KS
16
16
CS
17
18
20
17
18
20
ALE
WR
RD
21
21
PSEL
22
22
IRQ
23
—
V
BAT
DS1689/DS1693
针
SO
EDIP
名字
功能
方波输出。 SQW引脚可以输出从一个信号
通过实时的15个内部分频器阶段提供13个抽头
时钟。 SQW引脚的频率可以通过改变
如表2所示的SQW信号编程寄存器A可
开启和关闭使用注册B.一个32kHz时的SQWE位来打开
SQW信号被输出时SQWE = 1时，启用的32kHz （ E32K ）
在扩展寄存器04BH位为逻辑1和V
CC
高于V
PF
. A
32kHz的方波也可当V
CC
小于V
PF
if
E32K = 1， ABE = 1，并且电压被施加到V
BAUX
.
外部SRAM电源输出。该引脚在内部
连接到V
CCI
当V
CCI
是在额定范围。不过，
电源故障时，V
CCO
在内部连接到V
BAT
或V
BAUX
（以较大者为准） 。对于5V操作，切换从V
CCI
对
备用电源时出现V
CCI
低于V的大
BAT
和
V
BAUX
。对于3V操作，切换从V
CCI
到备用电源
发生在V
PF
如果V
PF
小于V
BAT
和V
BAUX
。如果V
PF
较大
比V
BAT
和V
BAUX
，从V开关
CCI
到备用电源
发生在V
CCI
低于V的大
BAT
和V
BAUX
.
+ 3V或+ 5V电源。直流电源提供给器件
这些引脚。选择5V工作时， PSEL引脚为逻辑1 。
如果PSEL是浮动的或逻辑0 ，该装置是在自动探测模式和
确定基于在V的工作电压
CCI
电压
的水平。
低电平有效的RAM芯片使能输出。当电源是有效的，
首席执行官
将等于
CEI 。
当功率是无效的，
首席执行官
将驱动高
不管
CEI 。
低电平有效的RAM芯片使能输入。
CEI
应该是驱动低
使外部RAM 。
无连接
24
24
SQW
25
25
V
CCO
26
26
V
CCI
27
28
—
27
28
2, 3,
19, 23
首席执行官
CEI
北卡罗来纳州
4 36
DS1689/DS1693
详细说明
在DS1689 / DS1693是实时时钟（RTC ），设计作为接班人的行业标准
DS1285 ， DS1385 ， DS1485 ， DS1585和PC的实时时钟。这些器件提供业界
与为+ 3.0V或+ 5.0V操作和自动的新功能的标准DS1285时钟功能
备份和写保护到外部SRAM 。在DS1689还集成了许多增强
的功能，包括一个硅序列号，电源开/关控制电路，和114个字节的用户NV的
SRAM ，上电定时器计时和功率循环计数器。
每个DS1689 / DS1693单独用一个唯一的64位序列号。制造，以及一个
另外的64位客户的具体ROM或序列号。序列号被编程和测试
在达拉斯，以确保没有两个设备都是一样的。序列号可用于以电子方式确定
一个系统用于例如建立一个网络节点地址或进行维护跟踪。
客户可以预约从达拉斯半导体公司提供的数字块。
序列化的RTC还包含电源控制电路，它允许系统上电
通过外部的刺激，诸如键盘或通过一个日期和时间（唤醒）的报警。该
PWR
输出引脚
可通过任一事件时或任一被触发，并且可以被用来打开外部电源。
该
PWR
销是在软件控制下，这样，当一个任务完成时，系统电源然后可
关闭。
在DS1689 / DS1693掺入电源接通经过时间计数器，一个上电循环计数器，并且一个
电池供电，连续计数器。这三个计数器提供有价值的信息进行维护
和保修要求。
自动备份和写保护外部SRAM通过V提供
CCO
和
首席执行官
销。用于永久供电的实时时钟的锂电池也可用于保留的RAM
在不存在的V数据
CC
通过V电源
CCO
引脚。该芯片使能输出到RAM （ CEO）是
在电源瞬态控制，以防止数据损坏。
的DS1689是具有上述特征的时钟/日历芯片。外部晶振和电池
是维持时间的日和存储器状态在断电的情况下所需的唯一组分。
在DS1693采用了DS1689芯片， 32.768kHz的晶体，并在一个完整的，自锂电池
包含的计时模块。整个单元在Dallas Semiconductor的完全测试，这样一
至少10年的计时和数据保留在没有Ⅴ的
CC
得到保障。
手术
图1中的方框图显示了与的主要内部功能的引脚连接
DS1689 / DS1693 。以下段落描述了每个引脚的功能。
5 36
QQ：2880707522 复制
