DS1685 / DS1687 3V / 5V实时时钟
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温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
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-40 ° C至+ 85°C
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电压
(V)
3
3
5
5
5
5
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5
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3
3
5
5
3
3
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3
5
5
3
3
5
PIN- PACKAGE
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24 DIP ( 0.600 “ )
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24 DIP ( 0.600 “ )
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28 PLCC
28 PLCC
28 PLCC
28 PLCC
28 PLCC
28 PLCC
28 PLCC
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28 PLCC /磁带&卷轴
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28 PLCC /磁带&卷轴
28 PLCC /磁带&卷轴
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24 SO ( 0.300 “ )
24 SO ( 0.300 “ )
顶标*
DS1685-3
DS1685-3
DS1685-5
DS1685-5
DS1685-5
DS1685-5
DS1685E-3
DS1685E-3
DS1685E
DS1685E
DS1685E-3
DS1685E-3
DS1685E
DS1685E
DS1685E-3
DS1685E-3
DS1685E
DS1685E
DS1685E-3
DS1685E-3
DS1685E
DS1685E
DS1685Q-3
DS1685Q-3
DS1685Q-5
DS1685Q-5
DS1685Q-3
DS1685Q-3
DS1685Q-5
DS1685Q-5
DS1685Q-5
DS1685Q-3
DS1685Q-3
DS1685Q-5
DS1685Q-5
DS1685S-3
DS1685S-3
DS1685S-5
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DS1685 / DS1687 3V / 5V实时时钟
部分*
DS1685S-5+
DS1685SN-3
DS1685SN-5
DS1685SN-5/T&R
DS1685S-3/T&R
DS1685S-3+T&R
DS1685S-5/T&R
DS1685S-5+T&R
DS1687-3
DS1687-3+
DS1687-5
DS1687-5+
DS1687-3IND
DS1687-3IND+
DS1687-5IND
DS1687-5IND+
温度范围
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
电压
(V)
5
3
5
5
3
3
5
5
3
3
5
5
3
3
5
5
PIN- PACKAGE
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24 SO ( 0.300 “ )
24 SO ( 0.300 “ )
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顶标*
DS1685S-5
DS1685S-3
DS1685S-5
DS1685S-5
DS1685S-3
DS1685S-3
DS1685S-5
DS1685S-5
DS1687-3
DS1687-3
DS1687-5
DS1687-5
DS1687-3
DS1687-3
DS1687-5
DS1687-5
+表示无铅/符合RoHS标准的器件。 A“ +”的顶标随时随地表示无铅/符合RoHS标准的器件。
*
一个“ N”或“ IND ”表示工业温度级器件。
典型工作电路
3 39
DS1685 / DS1687 3V / 5V实时时钟
详细说明
在DS1685 / DS1687设计成接班人行业标准的DS1285实时时钟( RTC ) ,
DS1385 , DS1485 , DS1585和PC的RTC 。这些器件可提供具有工业标准的DS1285时钟功能
无论是+ 3.0V或+ 5.0V操作。 DS1685还包含了一些增强功能,包括硅
序列号,电源开/关控制电路, 242字节的用户NV SRAM ,以及32.768kHz的输出用于维持
电源管理活动。
在DS1685 / DS1687电源控制电路允许系统被供电由外部刺激如
键盘或通过一个日期和时间(唤醒)的报警。 PWR输出可以由一个或者它们被触发
的事件,并且可以被用来打开外部电源。 PWR引脚由软件控制,这样当
一个任务完成时,系统电源可以被关闭。
的DS1685是具有上述特征的时钟/日历芯片。外部晶振和电池是
仅需要的组件以保持时间的日和存储器状态在断电的情况下。在DS1687
采用了DS1685芯片,一个32.768kHz晶体,并在一个完整的,独立的计时锂电池
EDIP 。整个单元在Dallas Semiconductor的完全测试,使得至少10年的计时和
数据保留在没有V的
CC
得到保障。
手术
图1中的方框图显示了与DS1685 / DS1687的主要内部功能的引脚连接。
以下段落描述了每个引脚的功能。
4 39
DS1685 / DS1687 3V / 5V实时时钟
引脚说明
针
DS1685
DIP ,SO
TSSOP
PLCC
DS1687
EDIP
低电平有效上电输出,开漏。该
PWR
销旨在用于
作为开/关控制系统的电源。随着V
CC
从电压删除
在DS1685 / DS1687 ,
PWR
可以从一个kickstart的自动激活
由输入
KS
销或从一个唤醒中断。一旦系统
接通电源时,状态
PWR
可以由位在达拉斯被控制
寄存器。该
PWR
引脚可通过一个上拉电阻到连接
正电源。上拉电源的电压应不大于
5.5V.
无连接。引脚缺少设计。
对于标准的32.768kHz石英晶体的连接。对于最大
精度, DS1685必须与晶体,其具有特定的负载被用于
无论是为6.0pF或12.5pF的电容。在扩展的晶体选择( CS )位
控制寄存器4B用于选择与为6.0pF或12.5pF的操作
水晶。晶体可以直接附连到X1和X2引脚。没有
无需外部电容或电阻。注: X1和X2是非常高
阻抗节点。因此建议他们和晶体是特派守
环纹与地面和该高频信号被保持远离
晶区。
复用的,双向地址/数据总线。地址是本
在总线周期的第一部分,并且在同一引脚和信号路径中
在周期的第二部分被用于数据。地址/数据
复不慢DS1685的存取时间,因为公交车
在内部RAM的访问时间从地址到数据发生变化。
地址必须事先到ALE的后部分有效,而此时
DS1685 / DS1687锁存地址。有效的写数据必须存在和
期间的后面部分保持稳定
WR
脉搏。在一个读周期,该
期间的后面部分DS1685 / DS1687输出8位数据
RD
脉搏。读周期被终止,并且在总线返回到高
阻抗状态
RD
转换为高。地址/数据总线还用作
作为用于扩展RAM的双向数据通路。
地
片选输入,低电平有效。片选信号必须被置为低电平
在总线周期为DS1685的实时时钟部/ DS1687是
访问。
CS
期间必须保持在激活状态下
RD
和
WR
时序。
总线周期的发生与ALE断言,但不主张
CS
将
锁存地址。然而,将不会发生数据传输。
地址选通输入,高电平有效。在地址选通引脚上的脉冲
用于解复用总线。 ALE的下降沿使RTC
地址要在DS1685 / DS1687中锁定。
写输入,低电平有效。该
WR
信号是一个低电平有效信号。该
WR
信号定义在此期间,数据被写入到被寻址的时间段
注册。
读取输入,低电平有效。
RD
确定的时间段时
DS1685 / DS1687驱动与RTC总线读取数据。该
RD
信号是一个
使能信号为时钟的输出缓冲器。
名字
功能
1
2
1
PWR
—
1, 11, 13,
18
3
2, 3, 16,
20
—
北卡罗来纳州
2
X1
3
4
—
X2
4–11
5–10, 12,
14
4–11
AD0–AD7
12, 16
15, 20
12
GND
13
16
13
CS
14
17
14
ALE
15
19
15
WR
17
21
17
RD
5 39