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DS1651 / DS3651四通道高速MOS检测放大器
1999年6月
DS1651/DS3651
四通道高速MOS检测放大器
概述
在DS1651 / DS3651是TTL兼容的高速电路
用来检测在范围广泛的MOS存储器系
统的应用程序。切换速度均有所提升
在传统意义上的放大器通过应用Schot-的
TKY技术,和三态
选通结合以下资料─
fering的汇流排组织一个高阻抗输出状态。
在DS1651 / DS3651具有积极的上拉输出和报价
集电极开路输出提供暗示“与”操作。
特点
n
n
n
n
n
n
高速
TTL兼容
输入灵敏度 -
±
7毫伏
高速巴士三态输出
标准电源电压 -
±
5V
引脚和功能与MC3430兼容
接线图
双列直插式封装
真值表
输入
V
ID
7毫瓦
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
-7毫伏
V
ID
7毫伏
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
V
ID
-7毫伏
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
L =逻辑低状态
H =高逻辑状态
打开= TRI -STATE
X =不确定状态
频闪
L
H
L
H
L
H
产量
DS3651
H
开放
X
开放
L
开放
DS007528-1
顶视图
订单号DS1651J , DS3651J或DS3651N
见NS包装数J16A或N16A
三州
是美国国家半导体公司的注册商标。
1999美国国家半导体公司
DS007528
www.national.com
典型应用
由4位一个典型的MOS存储器传感应用的4K工作
内存用人安排1103类型存储设备
DS007528-2
注意:
只有4个设备都需要一个4K字由16位内存体系。
www.national.com
2
绝对最大额定值
(注2 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
+7 V
DC
V
CC
V
EE
7 V
DC
差模输入信号电压
±
6 V
DC
范围内,V
IDR
共模输入电压范围,
±
5 V
DC
V
ICR
选通输入电压,V
我(多个)
5.5 V
DC
频闪温度范围
-65 ° C至+ 150°C
最大功率耗散(注1 ) ,在25℃
腔体套餐
1509毫瓦
模压封装
1476毫瓦
铅温度。 (焊接, 10秒)
300C
工作条件
电源电压(V
CC
)
DS1651
DS3651
电源电压(V
EE
)
DS1651
DS3651
工作温度(T
A
)
DS1651
DS3651
输出负载电流(I
OL
)
差模输入
电压范围( V
IDR
)
共模输入
电压范围( V
ICR
)
输入电压范围
(任何输入到GND) , (V
IR
)
4.5
4.75
4.5
4.75
55
0
最大
5.5
5.25
5.5
5.25
+125
+70
16
+5.0
+3.0
+3.0
单位
V
V
V
V
C
C
mA
V
V
V
5.0
3.0
5.0
电气特性
V
CC
= 5 V
DC
, V
EE
= 5 V
DC
T
A
最大值,除非另有说明(注3,4)
符号
V
IS
参数
输入灵敏度(注6 )
(共模电压
范围)
V
ICR
= 3V
V
IN
+3V
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
选通输入电压
(低态)
选通输入电压
(高邦)
选通电流(低态)
选通电流(高国)
V
CC
=最大,V
EE
=最大,V
IN
= 0.4V
V
CC
=最大,
V
EE
=最大
V
IN
= 2.4V
V
IN
= V
CC
V
IN
= 2.4V
V
IN
= V
CC
V
OH
V
OL
I
OS
I
关闭
I
CC
I
EE
输出电压(高国)
输出电压(低态)
输出电流短路
输出禁止泄漏
当前
高逻辑电平供应
当前
高逻辑电平供应
当前
V
CC
=分钟,
V
EE
=分钟
V
CC
=分钟,
V
EE
=分钟
I
O
= 400 A
I
O
= 16毫安
DS1651/DS3651
DS3651
DS1651
DS1651/DS3651
DS3651
DS1651
V
CC
=最大,V
EE
=最大
V
CC
=最大,V
EE
=最大
45
17
18
2.4
0.45
0.50
70
40
100
60
30
DS1651
DS3651
2
1.6
40
1
100
1
V
CC
=最大,V
EE
=最大
0.5
0.8
V
CC
最大
V
EE
最大
条件
典型值
最大
单位
±
7.0
2
20
mV
V
IO
I
IB
I
IO
V
白细胞介素(S )
V
IH( S)
I
白细胞介素(S )
I
白细胞介素(S )
mV
A
A
V
V
mA
A
mA
A
mA
V
V
mA
A
A
mA
mA
V
CC
=最大,V
EE
=最大值, (注5 )
V
CC
=最大,V
EE
=最大
3
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开关特性
V
CC
= 5 V
DC
, V
EE
= 5 V
DC
, T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
t
PHL ( D)
t
PLH ( D)
t
POH (S )
t
PHO (S)
t
POL (S )
t
巴勒斯坦解放组织(S )
参数
高到低逻辑电平传输
延迟时间(差分输入)
由低到高逻辑电平传输
延迟时间(差分输入)
TRI -STATE到高逻辑电平
传播延迟时间(频闪)
高逻辑电平为三态
传播延迟时间(频闪)
TRI -STATE为低逻辑电平
传播延迟时间(频闪)
低逻辑电平为三态
传播延迟时间(频闪)
条件
5毫伏+ V
IS
,
(图
2)
5毫伏+ V
IS
,
(图
2)
(图
1)
(图
1)
(图
1)
(图
1)
DS1651/
DS3651
DS1651/
DS3651
DS1651/
DS3651
DS1651/
DS3651
DS1651/
DS3651
DS1651/
DS3651
典型值
23
22
16
7
19
14
最大
45
55
21
18
27
29
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1 :
减免腔封装10.1毫瓦/ C 25℃以上;减免模压封装11.8毫瓦/ C 25℃以上。
注2 :
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。除了“工作温度范围”他们
不意味着暗示该设备应在这些限制下工作。的“电气特性”表中提供了实际设备的运行状况。
注3 :
除非另有说明,最小/最大极限穿越0°C至+ 70°C范围内为DS3651和整个-55℃ + 125℃范围内申请DS1651 。所有
典型值是在t
A
= 25 ° C,V
CC
= 5V和V
EE
= 5V.
注4 :
所有电流到器件引脚示为阳性,总分器件管脚为否定时,所有的电压参考接地除非另有注明。显示所有值
为最大或最小的绝对值基础。
注5 :
只有一个输出在时间应短。
注6 :
一个参数与感测放大器设计时,这是首要关心的是,什么是意识上午所需的最小差分输入电压
plifier输入端,以保证一个给定的输出的逻辑状态。该参数通常被称为阈值电压。这是众所周知的设计考虑
阈值电压是由输入偏置电流,偏置电流,网络源极电阻,和电压增益的困扰。作为设计方便, DS1651和
DS3651被指定为一个参数,称为输入灵敏度(V
IS
) 。这个参数考虑了输入失调电流和偏置电流,并保证
最小输入差分电压以引起相对于200Ω的每个输入端的最大源阻抗给定的输出的逻辑状态。
开关时间波形
DS007528-3
注意:
信道B的输出被测所示,其它信道也同样进行试验。
延迟
t
巴勒斯坦解放组织(S )
)
t
POL (S )
t
PHO (S)
t
POH (S )
V1
100毫伏
100毫伏
GND
GND
V2
GND
GND
100毫伏
100毫伏
S1
关闭
关闭
关闭
开放
S2
关闭
开放
关闭
关闭
C
L
15 pF的
50 pF的
15 pF的
50 pF的
C
L
包括夹具和探头电容。
E
IN
波形特征:吨
TLH
和T
THL
10毫微秒测定10 %至90%
PRR = 1 MHz的
占空比= 50 %
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4
AC测试电路
t
巴勒斯坦解放组织(S )
t
PHO (S)
DS007528-4
DS007528-5
t
POL (S )
t
POH (S )
DS007528-6
DS007528-7
图1.频闪传播延迟吨
巴勒斯坦解放组织(S )
, t
POL (S )
, t
PHL (S )
和T
POH (S )
DS007528-8
注意:
信道B的输出被测所示,其它信道也同样进行试验。
S1在“B”为DS1651 / DS3651 ,C
L
= 50 pF的总的DS1651 / DS3651 。
DS007528-9
E
IN
波形特征:
t
TLH
和T
THL
10毫微秒测定10 %至90%
PRR = 1 MHz时,占空比= 500纳秒
图2.差分输入的传输延时T
PLH ( D)
和T
PHL ( D)
5
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