19-5203 ;启4/10
DS1644/DS1644P
非易失时钟RAM
www.maxim-ic.com
特点
集成的NV SRAM ，实时时钟，
水晶，电源失效控制电路和
锂能源
时钟寄存器被相同接入到
静态RAM 。这些寄存器
居于八大热门RAM单元。
拥有超过10年的完全不挥发
在没有电源的操作
BCD编码的年，月，日，星期，时，
分钟，并与闰年秒
补偿有效期至2100年
电源失效写保护允许
±10% V
CC
电源容限
DS1644只有（ DIP模块）
向上兼容的DS1643
时钟RAM ，以实现更高的
内存密度
标准的JEDEC字节宽度32K x 8静态
RAM引出线
DS1644P只有（ PowerCap模板）
表面贴装可直接
包含连接的PowerCap
电池和水晶
可更换电池（安装PowerCap ）
电源失效输出
引脚对引脚兼容于其他密度
的DS164xP时钟RAM
美国保险商实验室（ UL）的认可
销刀豆网络gurations
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28引脚密封封装
（ 720密耳扩展）
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
NC
NC
PFO
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
X1
GND V
BAT
X2
34 -PIN PowerCap模板
（使用DS9034PCX的PowerCap ）
订购信息
部分
DS1644-120+
DS1644P-120+
电压（V）的
5.0
5.0
温度范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
PIN- PACKAGE
32 EDIP （ 0.740a ）
34 *的PowerCap
顶标
DS1644+120
DS1644P+120
*DS9034-PCX,
DS9034I ， PCX ， DS9034 - PCX +要求（必须单独订购） 。
+表示无铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。顶标包括铅（ Pb）器件一个“ + ”符号。
1 14
DS1644/DS1644P
引脚说明
PDIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
-
-
-
针
POWERCAP
32
30
25
24
23
22
21
20
19
18
16
15
14
17
13
12
11
10
9
8
28
7
29
27
26
31
6
5
4
1-3,33,34
名字
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE
A10
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
RST
NC
X1, X2,
V
BAT
功能
地址输入
数据输入/输出
地
数据输入/输出
低电平有效芯片使能输入
地址输入
低电平有效输出使能输入
地址输入
低电平有效写使能输入
电源输入
低电平有效复位输出，开漏输出。需要一个上拉电阻
正确的操作。
无连接
水晶连接V
BAT
电池连接
描述
的DS1644是一个32K的×8的非易失性静态RAM与一个全功能的实时时钟，这两者都是
在访问一个字节宽格式。非易失性RAM中的计时功能上等同于任何
JEDEC标准的32K ×8 SRAM 。该装置也可以很容易被取代为ROM，EPROM和
EEPROM中，提供读/写非易失性和增加的实时时钟功能。现实
实时时钟信息驻留在最高的8个内存位置。 RTC寄存器包含一年，
月，日，星期，时，分，秒的数据在24小时BCD格式。更正的一天
月份和闰年自动进行。 RTC时钟寄存器是双缓冲来避免访问
的不正确的数据时可能出现的时钟的更新周期。双缓冲系统也可以防止
时间损失倒数计时有增无减通过访问时间寄存器的数据。在DS1644
也包含它自己的电源故障电路，取消选择设备时的V
CC
电源是一个彻头彻尾的OF-
宽容的条件。此功能可以防止不可预测的系统运行数据拿来就用的损失
低V
CC
为避免错误的访问和更新周期。
2 14
DS1644/DS1644P
套餐
该DS1644有两种封装（ 28引脚DIP和34引脚PowerCap模块）提供。 28引脚DIP
风格模块集成了晶体，锂能源和硅都在同一个包中。 34针
PowerCap模板设计了用于连接到一个单独的PowerCap触点（ DS9034PCX ）
包含晶体和电池。这种设计允许的PowerCap可以安装在顶部
完成了表面贴装工艺后DS1644P 。表面后安装的PowerCap
安装过程中防止损坏晶体和电池由于所需焊料的高温
回流。在安装PowerCap被锁定式设计，防止反向插入。 PowerCap模块板和安装PowerCap
是单独订购和运输分开的容器。为的PowerCap的部件号为
DS9034PCX.
时钟操作 - 读取软时钟
而双缓冲寄存器结构减少了读取不正确的数据，内部更新的机会
到DS1644时钟寄存器应时钟数据之前被停止读出，以防止数据的读出中
过渡。然而，停止内部时钟的寄存器的更新过程中不影响时钟精度。
当1被写入到读出的比特，在控制寄存器中的第七最显著位的更新被中止。
只要1保持在该位置时，更新被中止。发出停止后，寄存器反映
算，也就是一天，日期和时间出席发出halt命令的那一刻。不过，
双缓冲系统的内部时钟寄存器继续更新，以使时钟精确度是
不受数据的访问。所有的DS1644寄存器的时钟后同步更新
状态复位。更新是在一秒钟内后读取位写入0 。
DS1644框图
图1
DS1644真值表
表1
V
CC
CE
OE
WE
5V
10%
<4.5V >V
BAT
＆ LT ; V
BAT
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
X
X
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
模式
DESELECT
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
DQ
高-Z
高-Z
DATA IN
数据输出
高-Z
高-Z
高-Z
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
数据保留
模式
3 14
DS1644/DS1644P
设置时钟
的MSB位的控制寄存器， （B7）是写位。设定的写入位为1时，象读位
暂停更新的DS1644寄存器。然后，用户可以使用正确的星期，日期和时间将它们加载
在24小时BCD格式的数据。复位写入位到0 ，然后这些值传送到实际的时钟
计数器，并允许恢复正常操作。
停止和启动时钟振荡器
时钟振荡器可以随时停止。以增加保质期，该振荡器可以被关闭
以最小化从电池的漏电流。该
OSC
比特是MSB为秒寄存器。将其设置为
1振荡器停振。
频率测试位
比特当天字节6为频率测试位。当频率测试位被置为逻辑1，并且
振荡器运行，对LSB秒寄存器将切换为512赫兹。当秒注册为
被读出后， DQ0线将在512 Hz的频率进行切换，只要获取条件仍然有效
（即
CE
低，
OE
低，地址秒钟注册仍然有效，稳定的） 。
时钟精度（ DIP MODULE ）
该DS1644是保证计时精确度内
1
每月分钟，在25℃ 。实时时钟是
在工厂校准由Dallas Semiconductor使用非易失性的调谐元件，并且不需要
额外的校准。出于这个原因，场时钟校准方法不可用并且不
有必要的。时钟精度也受电气环境和时应该小心，以
将RTC中的PCB布局的最低水平EMI部分。有关更多信息，请参阅
应用笔记58 。
时钟精度（ POWERCAP MODULE ）
在DS1644和DS9034PCX各自独立为精度进行测试。一旦安装在一起时，
模块通常保持时间的精确度内
1.53
每月（为35ppm ）分钟，在25℃ 。时钟
精度也受电气环境和时应该小心放置的RTC中
的PCB布局的最低水平EMI部分。有关更多信息，请参见应用笔记
58.
4 14
DS1644/DS1644P
DS1644寄存器映射， BANK1
表2
地址
7FFF
7FFE
7FFD
7FFC
7FFB
7FFA
7FF9
7FF8
OSC
=停止位
W =写位
B
7
—
X
X
X
X
X
OSC
W
B
6
—
X
X
FT
X
—
—
R
R =读位
X =未使用
B
5
—
X
-
X
—
—
—
X
数据
B
4
B
3
—
—
—
—
—
—
X
X
—
—
—
—
—
—
X
X
FT =频率测试
B
2
—
—
—
—
—
—
—
X
B
1
—
—
—
—
—
—
—
X
B
0
—
—
—
—
—
—
—
X
功能
YEAR
MONTH
日期
天
小时
分钟
秒
控制
00-99
01-12
01-31
01-07
00-23
00-59
00-59
A
注意：
所有显示的“X”位未使用，但必须设置为“0”，在写周期，以确保正确的时钟
操作。
检索数据从RAM或时钟
的DS1644是在读模式下，每当
WE
（写使能）为高，并
CE
（芯片使能）是低的。该
器架构允许的纹波通过访问任何的在NV SRAM中的地址位置。有效
数据将在T内的DQ引脚
AA
之后的最后一个地址输入是稳定的，从而提供了
CE
和
OE
访问时间和状态感到满意。如果
CE
or
OE
访问时间得不到满足，有效数据将
可在芯片的后者允许访问（叔
CEA
），或者，在输出使能访问时间（t
OEA
） 。的状态
数据输入/输出引脚（DQ）是由控制
CE
和
OE
。如果输出为t之前激活
AA
中，数据
线被驱动到一个中间状态，直到吨
AA
。如果地址输入，而改变
CE
和
OE
仍然有效，输出数据有效期为输出数据保持时间（t
OH
），但将会进入不确定
直到下一个地址的访问。
将数据写入RAM或时钟
在DS1644处于写模式时
WE
和
CE
处于其活性状态。写的是开始
引用后者发生高到低的过渡
WE
or
CE
。该地址必须保持有效
整个周期。
CE
or
WE
必须返回非活动最少的t
WR
之前的起始
另一种读或写周期。数据必须是有效的吨
DS
之前写的结尾，并保持有效吨
DH
之后。在典型应用中，该
OE
信号将是在写周期期间高。不过，
OE
可以
主动提供的小心与数据总线，以避免总线冲突。如果
OE
低前
WE
过渡低数据总线可以成为活性与由地址输入定义的读数据。低
在过渡
WE
然后禁用输出吨
WEZ
后
WE
变为有效。
5 14
DS1644/DS1644P
非易失时钟RAM
www.maxim-ic.com
特点
§
§
§
§
§
§
集成的NV SRAM ，实时时钟，
水晶，电源失效控制电路和
锂能源
时钟寄存器被相同接入到
静态RAM 。这些寄存器
居于八大热门RAM单元。
拥有超过10年的完全不挥发
在没有电源的操作
BCD编码的年，月，日，星期，时，
分钟，并与闰年秒
补偿有效期至2100年
电源失效写保护允许
±10% V
CC
电源容限
DS1644只有（ DIP模块）
向上兼容的DS1643
时钟RAM ，以实现更高的
内存密度
标准的JEDEC字节宽度32K x 8静态
RAM引出线
DS1644P只（的PowerCap
模块板）
表面贴装可直接
包含连接的PowerCap
电池和水晶
可更换电池（安装PowerCap ）
电源失效输出
引脚对引脚兼容于其他密度
的DS164xP时钟RAM
美国保险商实验室（ UL）的认可
销刀豆网络gurations
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28引脚密封封装
（ 720密耳扩展）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
§
NC
NC
NC
PFO
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
X1
GND V
BAT
X2
34 -PIN PowerCap模板
（使用DS9034PCX的PowerCap ）
的PowerCap是达拉斯半导体公司的注册商标。
订购信息
部分
DS16440120+
DS16440-120
DS1644P120+
DS1644P-120
电压
范围（V ）
5.0
5.0
5.0
5.0
TEMP RANGE PIN- PACKAGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
32 EDIP （ 0.740a ）
32 EDIP （ 0.740a ）
34 *的PowerCap
34 *的PowerCap
顶标
DS1644+120
DS1644-120
DS1644P+120
DS1644P-120
*DS9034-PCX,
DS9034I ， PCX ， DS9034 - PCX +要求（必须单独订购） 。
A“ "表示无铅产品。顶标将包括无铅器件是“ "象征。
1 13
REV ： 040805
DS1644/DS1644P
引脚说明
PDIP
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
-
-
-
针
POWERCAP
32
30
25
24
23
22
21
20
19
18
16
15
14
17
13
12
11
10
9
8
28
7
29
27
26
31
6
5
4
1-3,33,34
名字
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CE
A10
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
RST
NC
X1, X2,
V
BAT
功能
地址输入
数据输入/输出
地
数据输入/输出
低电平有效芯片使能输入
地址输入
低电平有效输出使能输入
地址输入
低电平有效写使能输入
电源输入
低电平有效复位输出，开漏输出。需要一个上拉电阻
正确的操作。
无连接
水晶连接V
BAT
电池连接
描述
的DS1644是一个32K的×8的非易失性静态RAM与一个全功能的实时时钟，这两者都是
在访问一个字节宽格式。非易失性RAM中的计时功能上等同于任何
JEDEC标准的32K ×8 SRAM 。该装置也可以很容易被取代为ROM，EPROM和
EEPROM中，提供读/写非易失性和增加的实时时钟功能。现实
实时时钟信息驻留在最高的8个内存位置。 RTC寄存器包含一年，
月，日，星期，时，分，秒的数据在24小时BCD格式。更正的一天
月份和闰年自动进行。 RTC时钟寄存器是双缓冲来避免访问
的不正确的数据时可能出现的时钟的更新周期。双缓冲系统也可以防止
时间损失倒数计时有增无减通过访问时间寄存器的数据。在DS1644
也包含它自己的电源故障电路，取消选择设备时的V
CC
电源是一个彻头彻尾的OF-
宽容的条件。此功能可以防止不可预测的系统运行数据拿来就用的损失
低V
CC
为避免错误的访问和更新周期。
2 13
DS1644/DS1644P
套餐
该DS1644有两种封装（ 28引脚DIP和34引脚PowerCap模块）提供。 28引脚DIP
风格模块集成了晶体，锂能源和硅都在同一个包中。 34针
PowerCap模板设计了用于连接到一个单独的PowerCap触点（ DS9034PCX ）
包含晶体和电池。这种设计允许的PowerCap可以安装在顶部
完成了表面贴装工艺后DS1644P 。表面后安装的PowerCap
安装过程中防止损坏晶体和电池由于所需焊料的高温
回流。在安装PowerCap被锁定式设计，防止反向插入。 PowerCap模块板和安装PowerCap
是单独订购和运输分开的容器。为的PowerCap的部件号为
DS9034PCX.
时钟操作 - 读取软时钟
而双缓冲寄存器结构减少了读取不正确的数据，内部更新的机会
到DS1644时钟寄存器应时钟数据之前被停止读出，以防止数据的读出中
过渡。然而，停止内部时钟的寄存器的更新过程中不影响时钟精度。
当1被写入到读出的比特，在控制寄存器中的第七最显著位的更新被中止。
只要1保持在该位置时，更新被中止。发出停止后，寄存器反映
算，也就是一天，日期和时间出席发出halt命令的那一刻。不过，
双缓冲系统的内部时钟寄存器继续更新，以使时钟精确度是
不受数据的访问。所有的DS1644寄存器的时钟后同步更新
状态复位。更新是在一秒钟内后读取位写入0 。
DS1644框图
图1
DS1644真值表
表1
V
CC
CE
OE
WE
5V
±
10%
<4.5V >V
BAT
＆ LT ; V
BAT
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
X
X
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
模式
DESELECT
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
DQ
高-Z
高-Z
DATA IN
数据输出
高-Z
高-Z
高-Z
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
数据保留
模式
3 13
DS1644/DS1644P
设置时钟
的MSB位的控制寄存器， （B7）是写位。设定的写入位为1时，象读位
暂停更新的DS1644寄存器。然后，用户可以使用正确的星期，日期和时间将它们加载
在24小时BCD格式的数据。复位写入位到0 ，然后这些值传送到实际的时钟
计数器，并允许恢复正常操作。
停止和启动时钟振荡器
时钟振荡器可以随时停止。以增加保质期，该振荡器可以被关闭
以最小化从电池的漏电流。该
OSC
比特是MSB为秒寄存器。将其设置为
1振荡器停振。
频率测试位
比特当天字节6为频率测试位。当频率测试位被置为逻辑1，并且
振荡器运行，对LSB秒寄存器将切换为512赫兹。当秒注册为
被读出后， DQ0线将在512 Hz的频率进行切换，只要获取条件仍然有效
（即
CE
低，
OE
低，地址秒钟注册仍然有效，稳定的） 。
时钟精度（ DIP MODULE ）
该DS1644是保证计时精确度内
±1
每月分钟，在25℃ 。实时时钟是
在工厂校准由Dallas Semiconductor使用非易失性的调谐元件，并且不需要
额外的校准。出于这个原因，场时钟校准方法不可用并且不
有必要的。时钟精度也受电气环境和时应该小心，以
将RTC中的PCB布局的最低水平EMI部分。有关更多信息，请参阅
应用笔记58 。
时钟精度（ POWERCAP MODULE ）
在DS1644和DS9034PCX各自独立为精度进行测试。一旦安装在一起时，
模块通常保持时间的精确度内
±1.53
每月（为35ppm ）分钟，在25℃ 。时钟
精度也受电气环境和时应该小心放置的RTC中
的PCB布局的最低水平EMI部分。有关更多信息，请参见应用笔记
58.
4 13
DS1644/DS1644P
DS1644寄存器映射， BANK1
表2
地址
7FFF
7FFE
7FFD
7FFC
7FFB
7FFA
7FF9
7FF8
OSC
=停止位
W =写位
B
7
—
X
X
X
X
X
OSC
W
B
6
—
X
X
FT
X
—
—
R
R =读位
X =未使用
B
5
—
X
-
X
—
—
—
X
数据
B
4
B
3
—
—
—
—
—
—
X
X
—
—
—
—
—
—
X
X
FT =频率测试
B
2
—
—
—
—
—
—
—
X
B
1
—
—
—
—
—
—
—
X
B
0
—
—
—
—
—
—
—
X
功能
YEAR
MONTH
日期
天
小时
分钟
秒
控制
00-99
01-12
01-31
01-07
00-23
00-59
00-59
A
注意：
所有显示的“X”位未使用，但必须设置为“0”，在写周期，以确保正确的时钟
操作。
检索数据从RAM或时钟
的DS1644是在读模式下，每当
WE
（写使能）为高，并
CE
（芯片使能）是低的。该
器架构允许的纹波通过访问任何的在NV SRAM中的地址位置。有效
数据将在T内的DQ引脚
AA
之后的最后一个地址输入是稳定的，从而提供了
CE
和
OE
访问时间和状态感到满意。如果
CE
or
OE
访问时间得不到满足，有效数据将
可在芯片的后者允许访问（叔
CEA
），或者，在输出使能访问时间（t
OEA
） 。的状态
数据输入/输出引脚（DQ）是由控制
CE
和
OE
。如果输出为t之前激活
AA
中，数据
线被驱动到一个中间状态，直到吨
AA
。如果地址输入，而改变
CE
和
OE
仍然有效，输出数据有效期为输出数据保持时间（t
OH
），但将会进入不确定
直到下一个地址的访问。
将数据写入RAM或时钟
在DS1644处于写模式时
WE
和
CE
处于其活性状态。写的是开始
引用后者发生高到低的过渡
WE
or
CE
。该地址必须保持有效
整个周期。
CE
or
WE
必须返回非活动最少的t
WR
之前的起始
另一种读或写周期。数据必须是有效的吨
DS
之前写的结尾，并保持有效吨
DH
之后。在典型应用中，该
OE
信号将是在写周期期间高。不过，
OE
可以
主动提供的小心与数据总线，以避免总线冲突。如果
OE
低前
WE
过渡低数据总线可以成为活性与由地址输入定义的读数据。低
在过渡
WE
然后禁用输出吨
WEZ
后
WE
变为有效。
5 13
DS9034PCX
初步
DS9034PCX
的PowerCap水晶
特点
提供10年的电池备用电源非
挥发性时钟RAM的PowerCap模块
包（PCM）的
捕捉
直接在表面安装的PowerCap
模块板
支队便可方便拆卸
兼容这些34针的PowerCap模块：
- DS1644P -XXX
- DS1646P -XXX
- DS1647P -XXX
引脚说明
V
BAT
GND
X1, X2
- 3伏电池输出
=地面
- 32.768 kHz晶振的连接
绝对最大额定值*
工作温度
储存温度
0 ° C至70℃
-20 ° C至+ 70°C
水晶特点
标称频率
负载Capcitance
32.768千赫
6 pF的
描述
该DS9034PCX的PowerCap被设计成一个
卡入式锂源动力的非易失时间 -
保持RAM的达拉斯半导体公司的直接河畔
面贴装PowerCap模块（PCM）的包。
经过PowerCap模板已被焊接在
放置和清洗， DS9034PCX的PowerCap是
啪在PCM板的顶部，以形成一个完整的
PowerCap模块封装。在安装PowerCap被锁上对
防止不正确的附件。该DS9034PCX可
通过将普通螺丝刀插入一个容易去除
支队功能，并轻轻地撬向外
向上到从的PowerCap释放的PowerCap
模块板。
电池特性
额定电压
标称容量
化学
数据保存寿命
3V
130 mAhr表示
李（ CF ）×
10年（ 25 ° C）
*这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件的
在这个操作部分的说明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对
极限条件下的长时间
时间会影响其可靠性。
ECopyright
1995年，由达拉斯半导体公司。
版权所有。有关的重要信息
专利和其他知识产权，请参考
Dallas Semiconductor的数据手册。
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