DS16149 DS36149 DS16179 DS36179六角MOS驱动器
1986年2月
DS16149 DS36149 DS16179 DS36179六角MOS驱动器
概述
该DS16149 DS36149和DS16179 DS36179是十六进制
MOS驱动器，设计用于驱动大电容输出
负载高达500 pF的与MOS存储系统相关
PNP输入晶体管来降低输入电流
让大扇出这些驱动程序需要memo-
Ry的系统的电路，具有肖特基钳位晶体管的对数
IC最小的传播延迟和禁用的控制
放置在输出逻辑' 1 '状态（见真值表）
这是在MOS RAM应用场合特别有用
组地址线必须在过程中的逻辑' 1'的'状态
刷新
该DS16149 DS36149有15
X
电阻器串联
的输出以抑制所引起的快速开关瞬变
荷兰国际集团输出DS16179 DS36179有直接的低阻抗
ANCE输出为具有或不具有一个外部电阻器的使用
特点
Y
Y
Y
高速能力
典型值9 NS驱动50 pF的
典型值29 ns的驱动500 pF的
内置15
X
阻尼电阻（ DS16149 DS36149 ）
相同的引脚输出为DM8096和DM74366
原理图
TL F 7553 - 1
C
1995年全国半导体公司
TL F 7553
RRD - B30M105印制在U S A
开关特性
(V
CC
e
5V
符号
t
R
t
LH
t
HL
参数
上升时间
从禁止输入延迟
到逻辑' 1'， '
从禁止输入延迟
为逻辑'' 0''
T
A
e
25℃ ） （注4 ） （续）
条件
民
典型值
6
26
15
11
最大
9
35
22
18
单位
ns
ns
ns
ns
C
L
e
50 pF的
C
L
e
500 pF的
（图
1
)
R
L
e
2的kX到GND
C
L
e
50 pF的（图
2
)
R
L
e
2的kX到V
CC
C
L
e
50 pF的（图
3
)
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件，实际的设备
手术
注2
除非另有说明，最小最大限制适用跨越
b
55 ℃
a
125℃的温度范围内为DS16149和DS16179与跨过0 ℃至
a
70℃范围内为DS36149和DS36179所有典型值是对于T
A
e
25 C和V
CC
e
5V
注3
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压，所有引用到地面，除非另有说明，所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
注4
当测量的输出驱动电流，用于DS16179切换响应和DS36179 15
X
电阻器应放置在串联的每个输出
这个电阻是内部的DS16149 DS36149和不需要添加
接线图
双列直插封装
真值表
禁止输入
DIS 1
0
0
0
1
1
X
e
不在乎
输入
0
1
X
X
X
产量
1
0
1
1
1
DIS2
0
0
1
0
1
TL F 7553 - 2
顶视图
订单号DS16149J DS36149J DS16179J
DS36179J DS36149N或DS36179N
见NS包装数J16A或N16A
AC测试电路和开关时间波形
t
S
g
t
S
g
t
R
t
F
TL F 7553 - 3
图1
3
QQ：2880707522 复制
