DS14C88 DS14C88T QUAD CMOS线路驱动器
1996年2月
DS14C88 DS14C88T
QUAD CMOS线路驱动器
概述
该DS14C88和DS14C88T引脚对引脚兼容，
DS1488 MC1488设计为接口线路驱动器
数据终端设备（DTE）与数据电路终接
设备（DCE ），这些设备翻译标准TTL
CMOS逻辑电平的水平，符合EIA- 232 - D和
CCITT V 28标准
该设备制造的低门槛CMOS金属栅极
技术，该器件可提供非常低的功率消耗
化相比，它的两极当量500
mA
(DS14C88)
对25 MA（ DS1488 ）
该DS14C88 DS14C88T消除简化设计
需要外部的压摆率控制电容变化率
设置片上按照EIA- 232D控制
消除了输出电容
特点
Y
Y
Y
Y
Y
符合EIA - 232D和CCITT V 28标准
工业温度范围
b
40℃
a
85 C DS14C88T
低功耗
宽电源电压范围
g
5V至
g
12V
采用SOIC封装
接线图
TL F 11105 - 1
订单号DS14C88N DS14C88M DS14C88TJ DS14C88TN或DS14C88TM
见NS包装数J14A N14A或M14A
C
1996年美国国家半导体公司
TL F 11105
RRD - B30M36印制在U S A
HTTP
WWW国家COM
开关特性
在推荐工作条件，除非otheriwse规定（图
2
和
3
） （注5,6 ）
符号
t
PLH
参数
传播延迟
从低到高
条件
V
a
E A
4
5V
V
b
E B
4
5V
民
典型值
15
12
12
15
1 35
13
02
02
V
a
E A
4
5V
V
b
E B
4
5V
10
10
250
200
150
30
最大
60
50
40
60
50
40
单位
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ns
ns
V
ms
V
a
E A
9 0V V
b
E B
9 0V
V
a
E A
12V
V
b
E B
12V
t
PHL
传播延迟
前高后低
V
a
E A
4 5V V
b
E B
4 5V
V
a
E A
9
0V
V
b
E B
9
0V
V
a
E A
12V V
b
E B
12V
t
r
t
f
TSK
上升时间（注7 ）
下降时间（注7 ）
典型传播
延迟偏差
V
a
E A
9 0V V
b
E B
9 0V
V
a
E A
12V
V
b
E B
12V
S
R
输出压摆率
（注7 ）
R
L
e
3的kX 7的kX
C
L
e
15 pF至2500 pF的
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证，他们的目的不是意味着设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性'的表指定设备的运行状况
注2
减免N包装12 1毫瓦CJ包12 9毫瓦C和男包8 5毫瓦C以上
a
25 C
注3
I
OS
a
我
OS
b
值是1输出的时间。如果一个以上的输出被短路同时器件功耗可能超过
注4
电源（V
a
V
b
）和GND引脚连接到接地的输出电阻测试（R
O
)
注5
AC输入测试波形，用于测试目的吨
r
e
t
f
s
20纳秒V
IH
e
2V V
IL
e
0 8V （ 0 6V在V
a
e
4 5V V
b
E B
4 5V)
注6
输入上升和曼仕龙时间不得超过5
ms
注7：
输出压摆率上升时间和下降时间的测量
a
3 0V到
b
3 0V电平的输出波形
注8
C
L
包括夹具和探头电容
注9
ESD额定值（ HBM 1 5的kX 100 pF的）
t
1 0千伏
3
HTTP
WWW国家COM
DS14C88四路CMOS线路驱动器
1998年5月
DS14C88
QUAD CMOS线路驱动器
概述
该DS14C88 ，引脚对引脚兼容的DS1488 /
MC1488 ，是专为数据接口，一个四线路驱动器
终端设备（DTE）与数据电路终接
设备（DCE） 。该器件转换标准TTL /
CMOS逻辑电平的水平，符合EIA- 232 - D和
CCITT V.28标准。
该设备制造的低门槛CMOS金属栅极
技术。该器件可提供非常低的功率消耗
化相比，它的两极当量： 500 μA （ DS14C88 ）
对25 MA（ DS1488 ） 。
的DS14C88通过省去了简化设计
外压摆率控制电容。在AC-压摆率控制
设置在片cordance以EIA - 232D ，消除了
输出电容器。
特点
n
n
n
n
符合EIA - 232D和CCITT V.28标准
低功耗
宽电源电压范围：
±
5V至
±
12V
采用SOIC封装
接线图
DS011105-1
订单号DS14C88N ，或DS14C88M
见NS包装数N14A或M14A
1998美国国家半导体公司
DS011105
www.national.com
开关特性
（注5,6）
在推荐工作条件，除非otheriwse规定（图
2, 3)
符号
t
PLH
参数
传播延迟
从低到高
t
PHL
传播延迟
前高后低
t
r
t
f
TSK
上升时间（注7 ）
下降时间（注7 ）
典型传播
延迟偏差
S
R
输出压摆率
（注7 ）
V = +4.5V, V = 4.5V
V
+
= +9.0V, V
= 9.0V
V
+
= +12V, V
= 12V
R
L
= 3 kΩ至7千欧
C
L
= 15 pF至2500 pF的
+
条件
= +4.5V, V
= 4.5V
V
V
+
= +9.0V, V
= 9.0V
+
民
典型值
1.5
1.2
1.2
1.5
1.35
1.3
最大
6.0
5.0
4.0
6.0
5.0
4.0
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
ns
ns
ns
V = +12V, V = 12V
V
+
= +4.5V, V
= 4.5V
V
+
= +9.0V, V
= 9.0V
V = +12V, V
= 12V
0.2
0.2
+
+
1.0
1.0
250
200
150
30
V / μs的
注1 ：
“绝对最大额定值”是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证。它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行。的“电气特性”表中指定的设备运行状况。
注2 ：
减免N包装12.1毫瓦/ C和M包8.5毫瓦/ C以上+ 25°C 。
注3 ：
I
OS +
我
OS-
值是1输出的时间。如果多于一个的输出被同时短路，器件功耗可能被超过。
注4 ：
电源（V
+
, V
）和GND引脚连接到接地的输出电阻测试（R
O
).
注5 ：
AC输入测试波形，用于测试目的：吨
r
= t
f
≤
20纳秒，V
IH
= 2V, V
IL
= 0.8V （ 0.6V在V
+
= 4.5V, V
= 4.5V)
注6 ：
输入上升和曼仕龙时间不得超过5微秒。
注7 ：
输出压摆率，上升时间和下降时间从+ 3.0V测量到的输出波形的-3.0V水平。
注8 ：
C
L
包括夹具和探头电容。
注9 ：
ESD额定值（ HBM ， 1.5 kΩ的， 100 pF的）
≥
1.0千伏。
参数测量信息
DS011105-2
图1.输出电阻测试电路（断电）
DS011105-3
图2.驱动负载电路
（注8）
3
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