DS1385/DS1387
DS1385/DS1387
分枝实时时钟4K ×8
特点
引脚分配
OER
X1
X2
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
SQW
AS0
AS1
V
BAT
IRQ
WER
RD
GND
WR
ALE
CS
OER
NC
NC
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
12
24
23
22
21
20
19
18
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16
15
14
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V
CC
SQW
AS0
AS1
NC
IRQ
WER
RD
NC
WR
ALE
CS
升级
IBM AT计算机时钟/日历
4K ×8扩展RAM
没有权力
在超过10年的运作完全非易失性
计算秒，分，时，
一周中的天，
日，月，年的闰年补偿
报警
时间，日历的二进制或BCD表示和
12–
或24小时时钟的AM和PM 12小时
模式
日光节约时间的选择
复用总线引脚效率
接口与
软件64用户RAM单元
加上4K ×8的静态RAM
- 14字节时钟和控制寄存器
- 50字节的通用RAM
- 4K ×8的SRAM访问通过使用单独的CON-
控制引脚
DS1385 24引脚DIP
（ 600密耳）
DS1387 24 -PIN
密封封装
（ 740 MIL FLUSH ）
OER
X1
X2
NC
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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12
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14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
SQW
NC
AS0
AS1
V
BAT
IRQ
WER
RD
BGND
WR
ALE
CS
NC
可编程方波输出信号
总线兼容的中断信号（ IRQ ）
三个中断
和可测试：
- 时间的日报警次/秒一次/天
- 定期利率从122
s
500毫秒
- 结束的时钟更新周期
分别是软件屏蔽
可用的
随着芯片（ DS1385或DS1385S ）或立场
嵌入式锂电池单独模块
水晶（ DS1387 ）
DS1385S 28引脚SOIC
（ 330 MIL ）
订购信息
DS1385
DS1385S
DS1387
RTC芯片; 24引脚DIP
RTC芯片; 28引脚SOIC
RTC模块; 24引脚DIP
ECopyright
1995年，由达拉斯半导体公司。
版权所有。有关的重要信息
专利和其他知识产权，请参考
Dallas Semiconductor的数据手册。
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DS1385/DS1387
引脚说明
OER
X1
X2
AD0-AD7
CS
ALE
WR
RD
WER
IRQ
漏）
AS1
AS0
SQW
V
CC
GND
V
BAT
BGND
NC
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
RAM输出使能
晶振输入
晶振输出
Mux'ed地址/数据总线
RTC片选输入
RTC地址选通
RTC写入数据选通
RTC读数据选通
RAM写入数据选通
中断请求输出（开
RAM上地址选通
RAM低地址选通
方波输出
+ 5V电源
地
电池+电源
蓄电池接地
无连接
信号说明
GND ，V
CC
–
直流电源提供给器件
这些引脚。 V
CC
是+5伏的输入。当5伏的
在正常范围内施加，该装置是完全accessi-
竹叶提取和数据可以写入和读出。当V
CC
是BE-
低4.25伏的典型，读取和写操作被禁止。
然而，报时功能继续未受
由较低的输入电压染。由于V
CC
低于3
伏典型的RAM和计时切换
切换到连接至V的能量源
BAT
引脚
的情况下， DS1385的，或者在电池内部
情况下， DS1387的。计时功能main-
tains的精度
±1
每个月分钟，在25℃再
上的电压V输入的gardless
CC
引脚。
SQW （方波输出） -
SQW引脚可以输出
从一个13的由15内部设置抽头的信号
实时时钟的分频器阶段。的频率
SQW引脚可通过编程寄存器A被改变
在表2中所示的SQW信号可以打开和
关闭使用寄存器B的服务质素监察部的SQWE位信号
仅当V
CC
小于4.25伏的典型。
AD0 - AD7 （复用双向地址/数据
公交车） -
多路公交车节约引脚，因为地址
信息和数据信息的时间共享相同的
信号路径。地址是本过程中的第一
在总线周期的部分，并且在同一引脚和信号
路径中的所述第二部分用于数据
周期。地址/数据复用不慢的AC-
在DS1385 / DS1387的，因为公交车的变化塞斯时间
从地址到数据的内部RAM中发生AC-
塞斯时间。地址必须是有效的前后期
ALE， AS0 ， AS1或的部分，此时的
DS1385 / DS1387锁存地址从AD0到AD7 。
有效的写数据必须存在，并在保持稳定
西铁或WER脉冲的后一部分。在读
周期中， DS1385 / DS1387输出8位数据
在RD或OER脉冲的后一部分。该
读周期被终止，并且在总线返回高im-
pedance状态RD或OER变高。
ALE （ RTC地址选通输入） -
正持续
地址选通脉冲提供给解复用总线。
ALE的下降沿使RTC地址为
在DS1385 / DS1387中锁定。
RD （ RTC读输入） -
RD确定的时间段
当DS1385 / DS1387驱动与RTC的公交车
读取数据。 RD信号是一个用于所述输出使能信号
把时钟缓冲器。
描述
在DS1385 / DS1387分枝实时时钟
（实时时钟）是向上兼容的接班人，在 -
dustry标准的DS1285 / DS1287 RTC的个人电脑应用
系统蒸发散。除了基本的DS1285 / DS1287 RTC
功能的片上非易失性RAM 4K字节有
被添加。
RTC的功能包括时间 - 日期时钟，一个一
百年日历，时间的日中断，周期性
中断和结束时的时钟更新周期中断。
此外，还提供与 - 50字节的用户非易失RAM
在这个基本的RTC功能，可用于存储
配置数据。时钟和用户RAM是main-
tained在没有系统的V
CC
用锂电池。
的4K ×8的附加非易失RAM ，其存储一个
大得多的系统配置的数据量相比
可能的范围内原来的50字节的区域。这是RAM
通过控制信号接入分离的RTC ，
并且也保持为从非易失性存储
锂电池。
手术
图1中的框图给出了引脚连接
与系统蒸发散的主要内部功能
DS1385 / DS1387 。以下段落描述
各引脚的功能。
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DS1385/DS1387
WR （ RTC写输入） -The
WR信号是低电平有效
信号。 WR信号定义的时间段期间
该数据被写入到被寻址的时钟寄存器。
CS （ RTC片选输入） -
片选信号
在总线周期为RTC必须被置为低电平
要访问的DS1385 / DS1387的一部分。 CS
在RD和WR时序必须保持在激活状态下
ING 。总线周期而发生不主张CS
将锁存地址，但是不会发生访问。
IRQ （中断请求输出） -
该IRQ引脚为
在DS1385 / DS1387的低电平有效输出，可以
绑在处理器上的中断输入。 IRQ输出
低，只要保持作为状态位导致跨
中断是当前和相应的中断使能
位被置位。要清除IRQ引脚，应用程序
正常读取C寄存器。
当没有中断条件都存在时， IRQ级别
处于高阻抗状态。多DE-中断
虎钳可以连接到一个IRQ总线。该IRQ总线
漏极开路输出，需要一个外部上拉
电阻器。
AS0 （ RAM地址选通零） -
的上升沿
AS0锁存低8位4K ×8 RAM AD-的
装扮。
AS1 （ RAM地址选通一） -
的上升沿
AS1锁存高四位4K ×8的RAM中的AD-
装扮。
OER （ RAM输出使能） -
OER为低电平有效，
确定的时间段时， DS1385 / DS1387
驱动器与内存总线读取数据。
WER （ RAM写使能） -
WER为低电平显
纳尔和用于执行写入4K ×8的RAM por-
化的DS1385 / DS1387的。
（ DS1385 ONLY）
X1, X2 –
对于一个标准的32.768 KHz的石英连接
水晶。订货时，要求6负载电容
pF的。内部振荡器电路是专为操作
化用水晶有一个指定的负载电容
6 pF左右（ CL ） 。晶体可以直接连接到X1
和X2引脚。没有必要对外部电容器或
电阻器。注： X1和X2是非常高的阻抗
节点。因此建议他们和晶体是
后卫炉头与地面和高频率的显
的NAL远离的晶体区域。欲了解更多
晶体的选择和晶体布局CON-信息
siderations ，请咨询应用笔记58 ， “ Crys-
TAL的注意事项与达拉斯实时时钟“ 。
V
BAT
， BGND -
电池输入任何标准的3伏lithi-
嗯细胞或其它能源。电池电压必须
2.5和3.7伏的正常运行之间举行。该
标称写保护跳闸点电压由跨设
最终电路和4.25伏的典型。最大负荷
1
A
在25 ° C和3.0V的V
BAT
应该在没有
功率可用于尺寸的外部能量源。
电池应该直接连接至V
BAT
引脚。
二极管不能放在串联电池
在V
BAT
引脚。此外，一个二极管是没有必要
由于反向充电电流保护电路是
提供内部的设备，并已通过
美国保险商实验室的UL认证要求
(E99151).
地址地图
在DS1385 / DS1387的地址映射中示出
图2.地址映射由RTC和的
4K ×8 NV SRAM部分。该RTC部分包含
50字节的用户RAM中，包含10字节的RAM
RTC的时间，日历和报警数据，和4字节
其中用于控制和状态。所有64个字节可以
直接写入或读出，除了以下内容：
1.寄存器C和D是只读的。
2.位7寄存器A的是只读的。
3.秒字节的高序位是只读的。
RTC（实时时钟）的
RTC的功能是一样的DS1287实时
时钟。访问RTC被实现四个
控制： ALE ， RD ， WR和CS 。该RTC是在同一
在DS1287但下列情况除外：
1.对DS1285 / DS1287的MOT引脚不存在
在DS1385 / DS1387 。该总线选择capabili-
在DS1285 / DS1287的TY已被淘汰。只
英特尔总线接口时序适用。
2.对DS1285 / DS1287的复位引脚不为压力
耳鼻喉科的DS1385 / DS1387 。在DS1385 / DS1387
将操作相同的DS1285 / DS1287与
RESET连接到V
CC
.
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DS1385/DS1387
DS1385/DS1387
分枝实时时钟4K ×8
特点
引脚分配
OER
X1
X2
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
12
24
23
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20
19
18
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15
14
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V
CC
SQW
AS0
AS1
V
BAT
IRQ
WER
RD
GND
WR
ALE
CS
OER
NC
NC
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
GND
1
2
3
4
5
6
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9
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12
24
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20
19
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17
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15
14
13
V
CC
SQW
AS0
AS1
NC
IRQ
WER
RD
NC
WR
ALE
CS
升级
IBM AT计算机时钟/日历
4K ×8扩展RAM
没有权力
在超过10年的运作完全非易失性
计算秒，分，时，
一周中的天，
日，月，年的闰年补偿
报警
时间，日历的二进制或BCD表示和
12–
或24小时时钟的AM和PM 12小时
模式
日光节约时间的选择
复用总线引脚效率
接口与
软件64用户RAM单元
加上4K ×8的静态RAM
- 14字节时钟和控制寄存器
- 50字节的通用RAM
- 4K ×8的SRAM访问通过使用单独的CON-
控制引脚
DS1385 24引脚DIP
（ 600密耳）
DS1387 24 -PIN
密封封装
（ 740 MIL FLUSH ）
OER
X1
X2
NC
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
NC
GND
1
2
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6
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8
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12
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14
28
27
26
25
24
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21
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19
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V
CC
SQW
NC
AS0
AS1
V
BAT
IRQ
WER
RD
BGND
WR
ALE
CS
NC
可编程方波输出信号
总线兼容的中断信号（ IRQ ）
三个中断
和可测试：
- 时间的日报警次/秒一次/天
- 定期利率从122
s
500毫秒
- 结束的时钟更新周期
分别是软件屏蔽
可用的
随着芯片（ DS1385或DS1385S ）或立场
嵌入式锂电池单独模块
水晶（ DS1387 ）
DS1385S 28引脚SOIC
（ 330 MIL ）
订购信息
DS1385
DS1385S
DS1387
RTC芯片; 24引脚DIP
RTC芯片; 28引脚SOIC
RTC模块; 24引脚DIP
ECopyright
1995年，由达拉斯半导体公司。
版权所有。有关的重要信息
专利和其他知识产权，请参考
Dallas Semiconductor的数据手册。
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DS1385/DS1387
引脚说明
OER
X1
X2
AD0-AD7
CS
ALE
WR
RD
WER
IRQ
漏）
AS1
AS0
SQW
V
CC
GND
V
BAT
BGND
NC
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
RAM输出使能
晶振输入
晶振输出
Mux'ed地址/数据总线
RTC片选输入
RTC地址选通
RTC写入数据选通
RTC读数据选通
RAM写入数据选通
中断请求输出（开
RAM上地址选通
RAM低地址选通
方波输出
+ 5V电源
地
电池+电源
蓄电池接地
无连接
信号说明
GND ，V
CC
–
直流电源提供给器件
这些引脚。 V
CC
是+5伏的输入。当5伏的
在正常范围内施加，该装置是完全accessi-
竹叶提取和数据可以写入和读出。当V
CC
是BE-
低4.25伏的典型，读取和写操作被禁止。
然而，报时功能继续未受
由较低的输入电压染。由于V
CC
低于3
伏典型的RAM和计时切换
切换到连接至V的能量源
BAT
引脚
的情况下， DS1385的，或者在电池内部
情况下， DS1387的。计时功能main-
tains的精度
±1
每个月分钟，在25℃再
上的电压V输入的gardless
CC
引脚。
SQW （方波输出） -
SQW引脚可以输出
从一个13的由15内部设置抽头的信号
实时时钟的分频器阶段。的频率
SQW引脚可通过编程寄存器A被改变
在表2中所示的SQW信号可以打开和
关闭使用寄存器B的服务质素监察部的SQWE位信号
仅当V
CC
小于4.25伏的典型。
AD0 - AD7 （复用双向地址/数据
公交车） -
多路公交车节约引脚，因为地址
信息和数据信息的时间共享相同的
信号路径。地址是本过程中的第一
在总线周期的部分，并且在同一引脚和信号
路径中的所述第二部分用于数据
周期。地址/数据复用不慢的AC-
在DS1385 / DS1387的，因为公交车的变化塞斯时间
从地址到数据的内部RAM中发生AC-
塞斯时间。地址必须是有效的前后期
ALE， AS0 ， AS1或的部分，此时的
DS1385 / DS1387锁存地址从AD0到AD7 。
有效的写数据必须存在，并在保持稳定
西铁或WER脉冲的后一部分。在读
周期中， DS1385 / DS1387输出8位数据
在RD或OER脉冲的后一部分。该
读周期被终止，并且在总线返回高im-
pedance状态RD或OER变高。
ALE （ RTC地址选通输入） -
正持续
地址选通脉冲提供给解复用总线。
ALE的下降沿使RTC地址为
在DS1385 / DS1387中锁定。
RD （ RTC读输入） -
RD确定的时间段
当DS1385 / DS1387驱动与RTC的公交车
读取数据。 RD信号是一个用于所述输出使能信号
把时钟缓冲器。
描述
在DS1385 / DS1387分枝实时时钟
（实时时钟）是向上兼容的接班人，在 -
dustry标准的DS1285 / DS1287 RTC的个人电脑应用
系统蒸发散。除了基本的DS1285 / DS1287 RTC
功能的片上非易失性RAM 4K字节有
被添加。
RTC的功能包括时间 - 日期时钟，一个一
百年日历，时间的日中断，周期性
中断和结束时的时钟更新周期中断。
此外，还提供与 - 50字节的用户非易失RAM
在这个基本的RTC功能，可用于存储
配置数据。时钟和用户RAM是main-
tained在没有系统的V
CC
用锂电池。
的4K ×8的附加非易失RAM ，其存储一个
大得多的系统配置的数据量相比
可能的范围内原来的50字节的区域。这是RAM
通过控制信号接入分离的RTC ，
并且也保持为从非易失性存储
锂电池。
手术
图1中的框图给出了引脚连接
与系统蒸发散的主要内部功能
DS1385 / DS1387 。以下段落描述
各引脚的功能。
012496 2/20
DS1385/DS1387
WR （ RTC写输入） -The
WR信号是低电平有效
信号。 WR信号定义的时间段期间
该数据被写入到被寻址的时钟寄存器。
CS （ RTC片选输入） -
片选信号
在总线周期为RTC必须被置为低电平
要访问的DS1385 / DS1387的一部分。 CS
在RD和WR时序必须保持在激活状态下
ING 。总线周期而发生不主张CS
将锁存地址，但是不会发生访问。
IRQ （中断请求输出） -
该IRQ引脚为
在DS1385 / DS1387的低电平有效输出，可以
绑在处理器上的中断输入。 IRQ输出
低，只要保持作为状态位导致跨
中断是当前和相应的中断使能
位被置位。要清除IRQ引脚，应用程序
正常读取C寄存器。
当没有中断条件都存在时， IRQ级别
处于高阻抗状态。多DE-中断
虎钳可以连接到一个IRQ总线。该IRQ总线
漏极开路输出，需要一个外部上拉
电阻器。
AS0 （ RAM地址选通零） -
的上升沿
AS0锁存低8位4K ×8 RAM AD-的
装扮。
AS1 （ RAM地址选通一） -
的上升沿
AS1锁存高四位4K ×8的RAM中的AD-
装扮。
OER （ RAM输出使能） -
OER为低电平有效，
确定的时间段时， DS1385 / DS1387
驱动器与内存总线读取数据。
WER （ RAM写使能） -
WER为低电平显
纳尔和用于执行写入4K ×8的RAM por-
化的DS1385 / DS1387的。
（ DS1385 ONLY）
X1, X2 –
对于一个标准的32.768 KHz的石英连接
水晶。订货时，要求6负载电容
pF的。内部振荡器电路是专为操作
化用水晶有一个指定的负载电容
6 pF左右（ CL ） 。晶体可以直接连接到X1
和X2引脚。没有必要对外部电容器或
电阻器。注： X1和X2是非常高的阻抗
节点。因此建议他们和晶体是
后卫炉头与地面和高频率的显
的NAL远离的晶体区域。欲了解更多
晶体的选择和晶体布局CON-信息
siderations ，请咨询应用笔记58 ， “ Crys-
TAL的注意事项与达拉斯实时时钟“ 。
V
BAT
， BGND -
电池输入任何标准的3伏lithi-
嗯细胞或其它能源。电池电压必须
2.5和3.7伏的正常运行之间举行。该
标称写保护跳闸点电压由跨设
最终电路和4.25伏的典型。最大负荷
1
A
在25 ° C和3.0V的V
BAT
应该在没有
功率可用于尺寸的外部能量源。
电池应该直接连接至V
BAT
引脚。
二极管不能放在串联电池
在V
BAT
引脚。此外，一个二极管是没有必要
由于反向充电电流保护电路是
提供内部的设备，并已通过
美国保险商实验室的UL认证要求
(E99151).
地址地图
在DS1385 / DS1387的地址映射中示出
图2.地址映射由RTC和的
4K ×8 NV SRAM部分。该RTC部分包含
50字节的用户RAM中，包含10字节的RAM
RTC的时间，日历和报警数据，和4字节
其中用于控制和状态。所有64个字节可以
直接写入或读出，除了以下内容：
1.寄存器C和D是只读的。
2.位7寄存器A的是只读的。
3.秒字节的高序位是只读的。
RTC（实时时钟）的
RTC的功能是一样的DS1287实时
时钟。访问RTC被实现四个
控制： ALE ， RD ， WR和CS 。该RTC是在同一
在DS1287但下列情况除外：
1.对DS1285 / DS1287的MOT引脚不存在
在DS1385 / DS1387 。该总线选择capabili-
在DS1285 / DS1287的TY已被淘汰。只
英特尔总线接口时序适用。
2.对DS1285 / DS1287的复位引脚不为压力
耳鼻喉科的DS1385 / DS1387 。在DS1385 / DS1387
将操作相同的DS1285 / DS1287与
RESET连接到V
CC
.
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QQ：2880707522 复制
