DS1345Y/AB
1024K非易失SRAM
带电池监视器
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特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
电源监控器复位处理器时，
V
CC
功率损失发生，并持有处理器
在V重置
CC
斜升
剩余容量电池监控检查
每日
读取和写入存取时间快为70ns
没有写次数限制
典型待机电流50μA
升级为128K ×8 SRAM ， EEPROM或
FL灰
锂电池与电路断开，
维持保鲜状态加电了
第一次
满
±10%
V
CC
工作范围（ DS1345Y ）
或可选
±5%
V
CC
工作范围
(DS1345AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
PowerCap模块（ PCM ）封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供
备用锂电池
- 标准引脚所有非易失
（ NV ） SRAM产品
- 分离的PowerCap允许
拆卸方便使用普通螺丝刀
引脚分配
BW
A15
A16
RST
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
GND V
BAT
34引脚PowerCap模块（ PCM ）
（使用DS9034PC POWERCAP ）
引脚说明
A0 – A16
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
RST
BW
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 复位输出
- 电池报警输出
- 电源（ + 5V ）
- 地面
- 无连接
描述
在DS1345 1024K NV SRAM是1,048,576位，全静态， NV SRAM的组织为131,072字
由8位。每个NV SRAM均自带锂电池能量源和控制电路，该电路
连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，锂
能量信号源自动切换，写保护将无条件使能，防止
数据损坏。此外， DS1345设备有专门的电路用于监视的状态
V
CC
和锂电池内部的状态。在PowerCap模块封装的DS1345器件
直接表面贴装，并通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的NV
SRAM模块。该装置可代替的128k ×8的SRAM ，EEPROM或闪存器件。
1 12
032904
DS1345Y/AB
读取模式
在DS1345设备上执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高）和
CE
（芯片
使能）和
OE
（输出使能）有效（低） 。由17地址输入指定的唯一地址
(A
0
– A
16
）定义其中的131072个字节的数据是要被访问。有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
那
CE
和
OE
（输出使能）访问时间还纳。如果
OE
和
CE
存取时间是不
满足，则数据存取，必须从后面存在的信号测量（
CE
or
OE
）和限制性
参数是吨
CO
为
CE
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
在DS1345器件执行写入周期时的
WE
和
CE
信号处于激活（低电平）状态
地址后输入是稳定的。的后面存在的下降沿
CE
or
WE
将确定的开始
写周期。写周期是由早期的上升沿终止
CE
or
WE
。所有地址输入
必须保持有效的整个写周期。
WE
必须返回到高状态的最小恢复
时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。该
OE
控制信号应保持无效（高）
在写周期，以避免总线竞争。但是，如果启用输出驱动器（
CE
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1345AB为V全功能的能力
CC
由4.5V大于4.75V和写保护。
该DS1345Y为V全功能的能力
CC
由4.25V大于4.5V和写保护。
数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。非易失性静态
RAM的不断监视V
CC
。如果电源电压衰减，在NV SRAM的自动写入
保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高阻抗。由于V
CC
瀑布
低于约2.7V时，电源开关电路将锂电池到RAM ，以
保留的数据。在上电期间，当V
CC
上述上升约2.7V时，电源开关电路
连接外部V
CC
到RAM中，并断开锂电池的能量来源。正常RAM操作
V后可以恢复
CC
超过4.75V为DS1345AB和4.5V的DS1345Y 。
系统电源监控
DS1345设备必须监视外部V中的能力
CC
电源。当一个彻头彻尾的容忍
被检测的电源条件下，对NV SRAM的警告即将发生的电力的基于处理器的系统
通过断言失败
RST
。上电时，
RST
保持有效的200ms的名义，以防止系统
操作过程中电瞬变，并支持T
REC
结束。
RST
具有漏极开路输出驱动器。
电池监控
在DS1345设备自动在24小时的时间定期进行电池电压监测
间隔。这种监测开始T内
REC
经过V
CC
上升超过V
TP
而暂停时，电源
发生故障。
以后每24小时的周期已经过去，所述电池连接到内部1MΩ =被测电阻为1
第二个。在这1秒中，如果电池电压低于电池电压跳闸点（ 2.6V ），则
电池报警输出
BW
为有效。曾经断言，
BW
保持有效，直到该模块被替换。
电池每V后仍然重新测试
CC
电，但是，即使
BW
是活动的。如果电池电压
发现在这样的测试会比2.6V高，
BW
撤除和定期24小时测试
重新开始。
BW
具有漏极开路输出驱动器。
2 12
DS1345Y/AB
套餐
34引脚PowerCap模块集成了SRAM内存和NV控制以及联系人
连接到在DS9034PC的PowerCap锂电池。 PowerCap模块封装的设计
允许安装没有经受了备用锂电池到DS1345 PCM设备是表面
破坏性的高温回流焊接。经过DS1345 PCM的回流焊接，一个是DS9034PC
啪在PCM的顶部，以形成一个完整的NV SRAM模块。该DS9034PC被锁定式设计，防止
不当的附件。 DS1345的PowerCap模块和DS9034PC PowerCaps单独订购，
运在单独的容器中。看到DS9034PC数据手册了解更多信息。
3 12
DS1345Y/AB
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
*
-0.3V至+ 6.0V
0 ° C至70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1345AB电源电压
DS1345Y电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
0.8
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
直流电气
特征
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
= 2.2V
待机电流
CE
= V
CC
-0.5V
工作电流
写保护电压（ DS1345AB ）
写保护电压（ DS1345Y ）
(V
CC
= 5V
±=5%
为DS1345AB ）
(t
A
：见注10 ）（V
CC
= 5V
±=10%
为DS1345Y ）
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
V
TP
4.50
4.25
4.62
4.37
民
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
200
50
600
150
85
4.75
4.5
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
mA
mA
A
A
mA
V
V
14
14
笔记
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
5
5
最大
10
10
pF
pF
(t
A
= 25°C)
单位
笔记
4 12
