DS1345W
3.3V 1024K非易失SRAM
带电池监视器
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特点
§
§
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§
§
§
§
§
§
§
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
电源监控器复位处理器时,
V
CC
功率损失发生,并持有处理器
在V重置
CC
斜升
剩余容量电池监控检查
每日
读取和写入存取时间快100纳秒
没有写次数限制
典型待机电流为50μA
升级为128K ×8 SRAM , EEPROM或
FL灰
锂电池与电路断开,
维持保鲜状态加电了
第一次
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ,指定为IND
PowerCap模块( PCM )封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供
备用锂电池
- 标准引脚所有非易失
SRAM产品
- 分离的PowerCap允许
拆卸方便使用普通螺丝刀
引脚分配
BW
A15
A16
RST
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
GND V
BAT
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34引脚PowerCap模块( PCM )
(使用DS9034PC POWERCAP )
引脚说明
A0-A16
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
RST
BW
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 复位输出
- 电池报警输出
- 电源( +3.3伏)
- 地面
- 无连接
描述
该DS1345W 3.3V 1024K非易失SRAM是一种1,048,576位,全静态非易失SRAM
由8位, 131,072字。每个NV SRAM均自带锂电池及
控制电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这样的条件
发生时,锂电池便自动接通,写保护将无条件
使能,防止数据被破坏。此外, DS1345W具有专用电路监测
V状态
CC
和锂电池内部的状态。 PowerCap模块DS1345W设备
包可以直接表面安装,并且通常与DS9034PC PowerCap配合形成
完整的非易失SRAM模块。该装置可代替的128k ×8的SRAM,EEPROM被用于或
Flash组件。
1 12
071701
DS1345W
读取模式
该DS1345W执行一个读周期时
WE
(写使能)处于非活动状态(高)和
CE
(芯片
使能)和
OE
(输出使能)有效(低) 。由17地址输入指定的唯一地址
(A
0
- A
16
)定义其中的131072个字节的数据是要被访问。有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
加
(访问时间)的最后一个地址输入信号之后是稳定的,从而提供
那
CE
和
OE
(输出使能)访问时间还纳。如果
OE
和
CE
存取时间是不
满足,则数据存取,必须从后面出现的信号测量(
CE
or
OE
)和限制性
参数是吨
CO
为
CE
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
该DS1345W执行一个写周期每当
WE
和
CE
信号是在后的有效(低电平)状态
地址输入是稳定的。后期出现下降沿
CE
or
WE
将确定的开始
写周期。写周期是由早期的上升沿终止
CE
or
WE
。所有地址输入必须
保持有效的整个写周期。
WE
必须返回到高状态的最小恢复时间
(t
WR
)另一个循环之前可以启动。该
OE
控制信号应在保持非活动状态(高)
写周期,以避免总线冲突。但是,如果启用输出驱动器(
CE
和
OE
活跃的),那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1345W为V全功能的能力
CC
大于3.0伏,写保护2.8
伏。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。非易失性
静态RAM,不断监视V
CC
。如若电源电压衰减,在NV SRAM的自动
写保护自己,所有的输入变得“不关心” ,所有输出变为高阻抗。由于V
CC
低于约2.5伏下降时,功率开关电路将锂电池到
RAM保存数据。在上电期间,当V
CC
上升到高于约2.5伏时,电源
开关电路连接外部V
CC
到RAM中,并断开锂电池的能量来源。正常
经过V RAM运行就可以恢复
CC
超过3.0伏。
系统电源监控
该DS1345W有监控外部V的能力
CC
电源。当超出容限的力量
在检测到电源状态下,非易失SRAM警告即将发生的电源故障一个基于处理器的系统
通过认定
RST
。上电时,
RST
保持有效的200ms的名义,以防止系统运行
在上电瞬间,并支持T
REC
结束。
RST
具有漏极开路输出驱动器。
电池监控
该DS1345W自动执行一个24小时的时间间隔定期电池电压监测。
这种监测开始T内
REC
经过V
CC
上升超过V
TP
而被暂停的时候停电
发生。
以后每24小时的周期已经过去,所述电池连接到一个内部测试1MΩ电阻为1
第二个。在此1秒,如果电池电压低于电池电压跳闸点( 2.6V ),则
电池报警输出
BW
为有效。曾经断言,
BW
保持有效,直到该模块被替换。
电池每V后仍然重新测试
CC
电,但是,即使
BW
是活动的。如果电池电压
发现在这样的测试会比2.6V高,
BW
撤除和定期24小时测试
重新开始。
BW
具有漏极开路输出驱动器。
2 12
DS1345W
保鲜
每个DS1345W是从达拉斯半导体附带的锂电池能量源断开,
保证充分的能量的能力。当V
CC
首先应用的水平大于V
TP
中,锂
能量源使能电池备份操作。
套餐
34引脚PowerCap模块集成了SRAM存储器和非易失性控制到一个模块的基础
随着在DS9034PC的PowerCap连接到锂电池触点。在安装PowerCap
模块封装设计允许DS1345W设备进行表面安装,而不使锂电池
备用电池,以破坏性的高温回流焊接。经过DS1345W是回流焊接中,
DS9034PC卡扣在PCM上的顶部,以形成一个完整的非易失SRAM模块。该
DS9034PC是键控,以防止不适当的依恋。 DS1345W模组基地和DS9034PC
PowerCaps单独订购和运输分开的容器。看到DS9034PC数据表
进一步的信息。
3 12
DS1345W
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
*
-0.3V至+ 4.6V
0 ° C至70 ° C, -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70 ° C, -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值,设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下,长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
3.0
2.2
0.0
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
0.4
(T
A
:见注10 )
单位
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
V
IH
V
CC
输出电流@ 2.2V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
= 2.2V
待机电流
CE
= V
CC
-0.2V
工作电流
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
符号
C
IN
C
I / O
2.8
民
民
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
(T
A
:见注10 )(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
mA
mA
A
A
mA
V
14
14
笔记
50
30
2.9
典型值
5
5
250
150
50
3.0
最大
10
10
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
单位
pF
pF
(T
A
= 25°C)
笔记
4 12