DS1321
灵活的非易失控制器
锂离子电池监视器
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特点
转换CMOS SRAM到非易失
内存
无条件写保护SRAM时
V
CC
超出公差
自动切换到备用电池
供应当V
CC
发生电源故障
灵活的存储器组织
- 模式0 ： 4银行每1 SRAM
- 模式1 ： 2银行各2的SRAM
- 模式2 ：每1行有4个静态存储器
锂电池电压监视器和
即将提供先进的预警
电池故障
在低电平信号，电池电量不足的情况
电池报警输出信号
当电源出现故障时复位处理器
并拥有处理器在系统复位时
上电
可选-5 ％或-10 ％掉电检测
16引脚DIP ， 16引脚SOIC和20引脚TSSOP
套餐
-40 ° C至工业级温度范围
+85°C
引脚分配
V
CCO
V
BAT
托尔
CEI1
CEI2
A/CEI3
B/CEI4
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CCI
RST
BW
CEO1
CEO2
CEO3
CEO4
模式
DS1321 16引脚DIP
(300-mil)
V
CCO
V
BAT
托尔
CEI1
CEI2
A/CEI3
B/CEI4
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
CCI
RST
BW
CEO1
CEO2
CEO3
CEO4
模式
DS1321S 16引脚SOIC
(150-mil)
引脚说明
V
CCI
V
CCO
V
BAT
A，B
- + 5V电源输入
- SRAM电源输出
- 备份电池输入
- 地址输入
CEI1
-
CEI4
- 芯片使能输入
CEO1
-
CEO4
- 芯片使能输出
托尔
- V
CC
公差选择
BW
- 电池报警输出（开
漏）
RST
- 复位输出（开漏）
模式
- 模式输入
GND
- 地面
NC
- 无连接
V
CCO
V
BAT
托尔
CEI1
CEI2
NC
A/CEI3
B/CEI4
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CCI
RST
BW
CEO1
CEO2
NC
CEO3
CEO4
NC
模式
DS1321E 20引脚TSSOP
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111999
DS1321
描述
在DS1321灵活的非易失控制器，带有锂电池监视器是CMOS电路
解决了转换的CMOS SRAM的成非易失性存储器的应用问题。输入电源
被监测超出容限。当检测到这样的状态下，芯片使能输出
抑制来实现写保护和电池被接通，以提供静态存储器用
不间断电源。特殊的电路采用了低漏电CMOS工艺，能提供精确的电压
检测在极低的电池消耗。一个DS1321可支持多达四个的SRAM
排列的三种内存配置。
除了电池备份支持， DS1321进行监测的重要功能
剩余的锂电池容量，并提供电池前警告达到最终的寿命。
因为锂备份电池的开路电压保持相对恒定，在多数
其寿命，精确的电池监测需要加载的电池电压测量。在DS1321
通过周期性地比较所述蓄电池的电压，因为它支持的内部进行这样的测量
阻性负载与精心挑选的参考电压。如果电池电压低于参考
在这种条件下的电压，电池将很快达到最终的寿命。其结果是，电池警告
销被激活，以表示需要更换电池。
内存备份
在DS1321执行所有需要提供电池备份多达四个的回路功能
的SRAM 。首先，该装置提供从电池或系统电源开关以直接功率
(V
CCI
） 。每当V
CCI
小于V
CCTP
跳变点和V
CCI
小于电池电压V
BAT
中，
电池被切换以提供备用电源的SRAM 。此开关具有小于电压降
0.2伏。
其次， DS1321处理电源故障检测和SRAM写保护。 V
CCI
是不断
进行监控，当所述电源超出容限，精密比较器检测到电源故障，并
抑制这四个芯片使能输出，以写保护的SRAM 。这是通过
控股
CEO1
通过
CEO4
要在0.2伏特的V
CCO
当V
CCI
超出公差。如果有任何
CEI
is
有效（低电平）时被检测到电源故障时，相应的
首席执行官
信号保持为低电平，直到
CEI
信号被再次拉高。一旦
CEI
信号变为高电平时，
首席执行官
信号变为高电平，并
高举直至V后
CCI
已经返回到其额定电压电平。如果
CEI
信号不拉高
通过检测电源故障后1.5微秒，则相应的
首席执行官
被强制为高，在那个时候。这种特殊的
计划延迟写保护长达1.5 μs的保证正在进行中的任何内存访问
当电源发生故障时将正常完成。电源故障检测发生在4.75到范围
4.5伏（ 5 ％容差）时， TOL引脚连接到GND或在4.5到4.25伏的范围内（ 10 ％
公差）时TOL连接到V
CCO
.
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DS1321
内存配置
在DS1321可通过MODE引脚为四个连接的三个不同的安排进行配置
的SRAM 。 MODE引脚的状态被锁在V
CCI
= V
CCTP
上电。参见图1详细信息。
内存配置
图1
MODE = GND （ 4银行SRAM 1个） ：
MODE = V
CCO
（ 2银行SRAM 2个） ：
浮动模式（1间4静态存储器BANK ） ：
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DS1321
电池电压监测
在DS1321自动执行在工厂编程的时间周期电池电压监测
间隔24小时。这种监测开始T内
REC
经过V
CCI
上升超过V
CCTP
而被暂停
当发生电源故障。
每24小时周期（T后
BTCN
）已经过去时， DS1321连接V
BAT
一个内部1 MΩ =测试
电阻器（R
INT
）一秒钟（叔
BTPW
） 。在这1秒中，若V
BAT
落在出厂下方
可编程电池电压跳变点（V
BTP
） ，电池报警输出
BW
为有效。而
BW
is
活跃，电池测试将与t期进行
BTCW
检测电池的拆卸和更换。
曾经断言，
BW
保持有效，直到电池物理删除，并用新的电池更换。
电池每V后仍然重新测试
CC
电，但是，即使
BW
活跃在掉电。如果
电池被认为是比V更高
BTP
在这样的测试中，
BW
被拉高，经常24小时
恢复测试。
BW
具有漏极开路输出驱动器。
更换电池以下
BW
活化通常与V完成
CCI
标称使SRAM数据
不会丢失。更换电池时，旧电池脱离和之间的最小持续时间
新电池安装（T
BDBA
）必须达到或
BW
会不会停用以下附件新的
电池。应
BW
未停用为此，新的电池可以分离为吨
BDBA
然后重新
附清除
BW
.
注： DS1321不能持续监控所连接的电池，因为这种监测会
大大减少了电池的寿命。作为一个结果， DS1321只测试电池一秒出
每24小时，不监视电池测试之间的任何方式。如果良好的电池（一个
以前未标记有
BW
）的电池测试之间移除时， DS1321不得
立即感测所述切除，并且可以不激活
BW
直到下一个预定的电池测试。如果一个电池
然后，重新安装在DS1321 ，电池可能无法进行测试，直至下一个预定的测试。
注：电池监视仅在测试时可以定期在整个做一个有用的技术
寿命的锂电池。由于DS1321只执行电池监测时， V
CC
是名义上的，
这对于过度长时间可以完全耗尽其锂电池掉电系统
没有收到任何先进的警告。为了防止这种情况发生，系统使用DS1321
电池监视功能，应加电，周期性地（每几个月至少一次），以
执行电池测试。此外，任何时候
BW
后一开机就第一电池测试被激活时，
数据完整性应通过校验和或其它技术来进行检查。
电源监控
在DS1321自动检测出超差的电源条件，并警告处理器为基础的
即将发生电源故障的系统。当V
CCI
低于由TOL引脚定义的触发点水平
(V
CCTP
）中，V
CCI
比较器激活复位信号
RST
。复位发生在4.75至4.5伏特的范围内
（5 ％容限）时， TOL引脚连接到GND或在4.5至4.25伏的范围内（10％
公差）时TOL连接到V
CCO
.
也可以作为在电上电复位。 V后
CCI
超过V
CCTP
,
RST
将于活性
200毫秒的名义（T
RPU
） 。这个复位周期足够长，以防止在系统运行
上电瞬态和允许吨
REC
到期。
RST
具有漏极开路输出驱动器。
RST
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DS1321
保鲜模式
当电池被首先附着到DS1321而不V
CC
应用电力，设备不
立即提供电池备份电源V
CCO
。只有在V
CCI
超过V
CCTP
后来又低于
双方V
CCTP
和V
BAT
将DS1321离开保鲜模式，并提供电池备份电源。
该模式允许在制造过程中被连接的电池，但不使用，直到系统具有后
被激活的第一次。其结果是，没有电池的能量储存和运输过程中被排出。
功能框图
图2
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