转1 ; 4/04
RTC与恒压涓流充电器
概述
该DS12R885是一种功能下降的替代品
与DS12885实时时钟（RTC） 。该器件亲
国际志愿组织的RTC /日历，时间的日一个报警，三
可屏蔽中断共用一个中断输出，一
可编程方波以及114字节电池 - 的
备份的静态RAM 。在每月结束时的日期是
几个月少于31自动调整
天，其中包括闰年补偿。它也能操作
在24小时或12小时格式，带AM / PM阿泰
指标。精确的温度补偿电路
监视V的状态
CC
。如果主电源故障
检测时，设备会自动切换至后台
了供应。在V
BACKUP
引脚用于支持可充电
电池或超级电容，内部包括一个集成的，
始终有效的涓流充电器。该DS12R885是
通过复用字节宽接口访问，
同时支持Intel和Motorola模式。该
DS12CR887和DS12R887整合DS12R885
死了晶体和电池。
特点
涓流充电功能的充电
电池或超级电容
可选择Intel或Motorola总线时序
RTC计算秒，分，小时，星期，日期，
每月，每年有闰年补偿至
2100
中断输出有三个可独立
可屏蔽中断标志
分时日报警是一次每秒，以Once-
每天
定期利率从122μs至500ms的
最终的时钟更新周期标志
14字节的时钟和控制寄存器
114字节通用RAM与清除输入
可编程方波输出
自动电源失效检测和切换电路
+ 5.0V或+ 3.3V工作
工业温度范围
DS12CR887是密封DIP （ EDIP ）模块，带
集成电池和水晶
DS12R887 BGA模块，表面贴装
，集成晶体和充电包
电池
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
应用
嵌入式系统
电表
安全系统
网络集线器，网桥和路由器
典型工作电路
水晶
V
CC
订购信息
部分
DS12R885-5
DS12R885-33
DS12CR887-5
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN的
包
24 SO
（ 300密耳）
24 SO
（ 300密耳）
24 EDIP
（ 700密耳）
24 EDIP
（ 700密耳）
顶标
DS12R885-5
DS12R885-33
DS12CR887-5
DS12CR887-33
DS12R887-5
DS12R887-33
X1
AS
读/写
DS
X2
V
CC
RESET
RCLR
DS83C520
CS
AD(0–7)
IRQ
MOT
DS12R885
SQW
V
BACKUP
±
DS12CR887-33
超级
帽
DS12R887-5*
DS12R887-33*
-40 ° C至+ 85°C 48 BGA
-40 ° C至+ 85°C 48 BGA
GND
*未来
接触产品的工厂。
引脚配置在数据资料的最后。
______________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
绝对最大额定值
在V电压范围
CC
引脚对地.....- 0.3V至+ 6.0V
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度.......................................见IPC / JEDEC
J- STD- 020A规格
焊接温度（线索， 10秒） ................................ + 260℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= V
CC（分钟）
到V
CC（ MAX）的
, T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
电源电压（注2）
V
BACKUP
输入电压
（仅DS12R885 ）
输入逻辑1
输入逻辑0
V
CC
电源电流
（注3）
V
CC
待机电流（注4 ）
输入漏
I / O泄漏
输入电流
输出电流在2.4V
输出电流在0.4V
电源失效电压（注2 ）
VRT跳变点
涓流充电限流
电阻器
涓流充电器输出电压
符号
V
CC
V
BACKUP
V
IH
V
IL
I
CC1
I
CCS
I
IL
I
OL
I
MOT
I
OH
I
OL
V
PF
VRT
旅
R1
V
OUT
（注5 ）
（注6 ）
（注2 ）
（注2 ）
-33
-5
-33
-5
只有DS12R885
只有DS12R885
2.7
4.05
2.88
4.33
1.3
10
3.05
-33
-5
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
-33
-5
-5
-33
-1.0
-1.0
-1.0
-1.0
4.0
2.97
4.5
条件
民
2.97
4.5
2.0
2.2
-0.3
0.7
0.8
0.250
0.140
典型值
3.3
5.0
最大
3.63
5.5
V
OUT
V
CC
+
0.3
+0.8
2
2
0.5
0.3
+1.0
+1.0
+500
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
A
A
mA
mA
V
V
k
V
2
_____________________________________________________________________
RTC与恒压涓流充电器
DC电气特性（仅DS12R885 ）
(V
CC
= 0V, V
BACKUP
= 3.2V,
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
V
BACKUP
电流（ OSC开） ;
T
A
= + 25 ° C，V
BACKUP
= 3.0V
V
BACKUP
电流（振荡器）
符号
I
BACKUP2
（注7 ）
条件
民
典型值
800
最大
1000
100
单位
nA
nA
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
I
BACKUPDR
（注7 ）
AC电气特性
(V
CC
= 4.5V至5.5V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
周期
脉冲宽度， DS低或R / W高
脉冲宽度， DS高或R / W低
输入兴衰
R / W保持时间
R / W设置时间DS / E之前
片选建立时间之前
DS或读/写
芯片选择保持时间
读数据保持时间
写数据保持时间
地址有效时间落入
地址保持时间为AS秋季
延迟时间DS / E为升
脉冲宽度高
延迟时间，对于DS / E上升
输出数据从DS延时
或读/写
数据建立时间
复位脉冲宽度
IRQ
从DS发布
IRQ
从发行
RESET
符号
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
R
, t
F
t
RWH
t
RWS
t
CS
t
CH
t
DHR
t
DHW
t
翔升
t
AHL
t
ASD
PW
ASH
t
ASED
t
DDR
t
DSW
t
RWL
t
IRDS
t
IRR
（注8）
0
10
5
0
5
0
20
5
10
30
35
15
50
5
0
0
2
2
60
35
条件
民
180
80
65
30
典型值
最大
DC
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
_____________________________________________________________________
3
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
AC电气特性
(V
CC
= 2.97V到3.63V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
周期
脉冲宽度， DS低或R / W高
脉冲宽度， DS高或R / W低
输入兴衰
R / W保持时间
R / W设置时间之前DS
片选建立时间之前
DS或读/写
芯片选择保持时间
读数据保持时间
写数据保持时间
地址有效时间落入
地址保持时间为AS秋季
延迟时间DS以升
脉冲宽度高
延迟时间，对于DS崛起
输出数据从DS延时
或读/写
数据建立时间
复位脉冲宽度
IRQ
从DS发布
IRQ
从发行
RESET
符号
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
R
, t
F
t
RWH
t
RWS
t
CS
t
CH
t
DHR
t
DHW
t
翔升
t
AHL
t
ASD
PW
ASH
t
ASED
t
DDR
t
DSW
t
RWL
t
IRDS
t
IRR
（注8）
0
15
8
0
5
0
30
15
15
45
55
20
70
5
0
0
2
2
80
55
条件
民
280
130
90
30
典型值
最大
DC
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
4
_____________________________________________________________________
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
摩托罗拉总线读/写时序
PW
ASH
AS
t
ASD
t
CYC
DS
PW
EL
t
RWS
读/写
t
CH
CS
t
CS
t
DSW
AD0–AD7
写
t
翔升
AD0–AD7
读
t
AHL
t
DHR
t
DDR
t
DHW
PW
EH
t
RWH
t
ASED
英特尔总线写时序
t
CYC
AS
t
ASD
DS
t
ASD
读/写
PW
翔升
t
CS
CS
t
翔升
AD0–AD7
写
t
AHL
t
DSW
t
DHW
PW
EH
t
CH
PW
ASH
_____________________________________________________________________
5
转1 ; 4/04
RTC与恒压涓流充电器
概述
该DS12R885是一种功能下降的替代品
与DS12885实时时钟（RTC） 。该器件亲
国际志愿组织的RTC /日历，时间的日一个报警，三
可屏蔽中断共用一个中断输出，一
可编程方波以及114字节电池 - 的
备份的静态RAM 。在每月结束时的日期是
几个月少于31自动调整
天，其中包括闰年补偿。它也能操作
在24小时或12小时格式，带AM / PM阿泰
指标。精确的温度补偿电路
监视V的状态
CC
。如果主电源故障
检测时，设备会自动切换至后台
了供应。在V
BACKUP
引脚用于支持可充电
电池或超级电容，内部包括一个集成的，
始终有效的涓流充电器。该DS12R885是
通过复用字节宽接口访问，
同时支持Intel和Motorola模式。该
DS12CR887和DS12R887整合DS12R885
死了晶体和电池。
特点
涓流充电功能的充电
电池或超级电容
可选择Intel或Motorola总线时序
RTC计算秒，分，小时，星期，日期，
每月，每年有闰年补偿至
2100
中断输出有三个可独立
可屏蔽中断标志
分时日报警是一次每秒，以Once-
每天
定期利率从122μs至500ms的
最终的时钟更新周期标志
14字节的时钟和控制寄存器
114字节通用RAM与清除输入
可编程方波输出
自动电源失效检测和切换电路
+ 5.0V或+ 3.3V工作
工业温度范围
DS12CR887是密封DIP （ EDIP ）模块，带
集成电池和水晶
DS12R887 BGA模块，表面贴装
，集成晶体和充电包
电池
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
应用
嵌入式系统
电表
安全系统
网络集线器，网桥和路由器
典型工作电路
水晶
V
CC
订购信息
部分
DS12R885-5
DS12R885-33
DS12CR887-5
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN的
包
24 SO
（ 300密耳）
24 SO
（ 300密耳）
24 EDIP
（ 700密耳）
24 EDIP
（ 700密耳）
顶标
DS12R885-5
DS12R885-33
DS12CR887-5
DS12CR887-33
DS12R887-5
DS12R887-33
X1
AS
读/写
DS
X2
V
CC
RESET
RCLR
DS83C520
CS
AD(0–7)
IRQ
MOT
DS12R885
SQW
V
BACKUP
±
DS12CR887-33
超级
帽
DS12R887-5*
DS12R887-33*
-40 ° C至+ 85°C 48 BGA
-40 ° C至+ 85°C 48 BGA
GND
*未来
接触产品的工厂。
引脚配置在数据资料的最后。
______________________________________________
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1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
绝对最大额定值
在V电压范围
CC
引脚对地.....- 0.3V至+ 6.0V
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度.......................................见IPC / JEDEC
J- STD- 020A规格
焊接温度（线索， 10秒） ................................ + 260℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= V
CC（分钟）
到V
CC（ MAX）的
, T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
电源电压（注2）
V
BACKUP
输入电压
（仅DS12R885 ）
输入逻辑1
输入逻辑0
V
CC
电源电流
（注3）
V
CC
待机电流（注4 ）
输入漏
I / O泄漏
输入电流
输出电流在2.4V
输出电流在0.4V
电源失效电压（注2 ）
VRT跳变点
涓流充电限流
电阻器
涓流充电器输出电压
符号
V
CC
V
BACKUP
V
IH
V
IL
I
CC1
I
CCS
I
IL
I
OL
I
MOT
I
OH
I
OL
V
PF
VRT
旅
R1
V
OUT
（注5 ）
（注6 ）
（注2 ）
（注2 ）
-33
-5
-33
-5
只有DS12R885
只有DS12R885
2.7
4.05
2.88
4.33
1.3
10
3.05
-33
-5
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
-33
-5
-5
-33
-1.0
-1.0
-1.0
-1.0
4.0
2.97
4.5
条件
民
2.97
4.5
2.0
2.2
-0.3
0.7
0.8
0.250
0.140
典型值
3.3
5.0
最大
3.63
5.5
V
OUT
V
CC
+
0.3
+0.8
2
2
0.5
0.3
+1.0
+1.0
+500
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
A
A
mA
mA
V
V
k
V
2
_____________________________________________________________________
RTC与恒压涓流充电器
DC电气特性（仅DS12R885 ）
(V
CC
= 0V, V
BACKUP
= 3.2V,
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
V
BACKUP
电流（ OSC开） ;
T
A
= + 25 ° C，V
BACKUP
= 3.0V
V
BACKUP
电流（振荡器）
符号
I
BACKUP2
（注7 ）
条件
民
典型值
800
最大
1000
100
单位
nA
nA
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
I
BACKUPDR
（注7 ）
AC电气特性
(V
CC
= 4.5V至5.5V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
周期
脉冲宽度， DS低或R / W高
脉冲宽度， DS高或R / W低
输入兴衰
R / W保持时间
R / W设置时间DS / E之前
片选建立时间之前
DS或读/写
芯片选择保持时间
读数据保持时间
写数据保持时间
地址有效时间落入
地址保持时间为AS秋季
延迟时间DS / E为升
脉冲宽度高
延迟时间，对于DS / E上升
输出数据从DS延时
或读/写
数据建立时间
复位脉冲宽度
IRQ
从DS发布
IRQ
从发行
RESET
符号
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
R
, t
F
t
RWH
t
RWS
t
CS
t
CH
t
DHR
t
DHW
t
翔升
t
AHL
t
ASD
PW
ASH
t
ASED
t
DDR
t
DSW
t
RWL
t
IRDS
t
IRR
（注8）
0
10
5
0
5
0
20
5
10
30
35
15
50
5
0
0
2
2
60
35
条件
民
180
80
65
30
典型值
最大
DC
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
_____________________________________________________________________
3
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
AC电气特性
(V
CC
= 2.97V到3.63V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
周期
脉冲宽度， DS低或R / W高
脉冲宽度， DS高或R / W低
输入兴衰
R / W保持时间
R / W设置时间之前DS
片选建立时间之前
DS或读/写
芯片选择保持时间
读数据保持时间
写数据保持时间
地址有效时间落入
地址保持时间为AS秋季
延迟时间DS以升
脉冲宽度高
延迟时间，对于DS崛起
输出数据从DS延时
或读/写
数据建立时间
复位脉冲宽度
IRQ
从DS发布
IRQ
从发行
RESET
符号
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
R
, t
F
t
RWH
t
RWS
t
CS
t
CH
t
DHR
t
DHW
t
翔升
t
AHL
t
ASD
PW
ASH
t
ASED
t
DDR
t
DSW
t
RWL
t
IRDS
t
IRR
（注8）
0
15
8
0
5
0
30
15
15
45
55
20
70
5
0
0
2
2
80
55
条件
民
280
130
90
30
典型值
最大
DC
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
4
_____________________________________________________________________
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
摩托罗拉总线读/写时序
PW
ASH
AS
t
ASD
t
CYC
DS
PW
EL
t
RWS
读/写
t
CH
CS
t
CS
t
DSW
AD0–AD7
写
t
翔升
AD0–AD7
读
t
AHL
t
DHR
t
DDR
t
DHW
PW
EH
t
RWH
t
ASED
英特尔总线写时序
t
CYC
AS
t
ASD
DS
t
ASD
读/写
PW
翔升
t
CS
CS
t
翔升
AD0–AD7
写
t
AHL
t
DSW
t
DHW
PW
EH
t
CH
PW
ASH
_____________________________________________________________________
5
转1 ; 4/04
RTC与恒压涓流充电器
概述
该DS12R885是一种功能下降的替代品
与DS12885实时时钟（RTC） 。该器件亲
国际志愿组织的RTC /日历，时间的日一个报警，三
可屏蔽中断共用一个中断输出，一
可编程方波以及114字节电池 - 的
备份的静态RAM 。在每月结束时的日期是
几个月少于31自动调整
天，其中包括闰年补偿。它也能操作
在24小时或12小时格式，带AM / PM阿泰
指标。精确的温度补偿电路
监视V的状态
CC
。如果主电源故障
检测时，设备会自动切换至后台
了供应。在V
BACKUP
引脚用于支持可充电
电池或超级电容，内部包括一个集成的，
始终有效的涓流充电器。该DS12R885是
通过复用字节宽接口访问，
同时支持Intel和Motorola模式。该
DS12CR887和DS12R887整合DS12R885
死了晶体和电池。
特点
涓流充电功能的充电
电池或超级电容
可选择Intel或Motorola总线时序
RTC计算秒，分，小时，星期，日期，
每月，每年有闰年补偿至
2100
中断输出有三个可独立
可屏蔽中断标志
分时日报警是一次每秒，以Once-
每天
定期利率从122μs至500ms的
最终的时钟更新周期标志
14字节的时钟和控制寄存器
114字节通用RAM与清除输入
可编程方波输出
自动电源失效检测和切换电路
+ 5.0V或+ 3.3V工作
工业温度范围
DS12CR887是密封DIP （ EDIP ）模块，带
集成电池和水晶
DS12R887 BGA模块，表面贴装
，集成晶体和充电包
电池
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
应用
嵌入式系统
电表
安全系统
网络集线器，网桥和路由器
典型工作电路
水晶
V
CC
订购信息
部分
DS12R885-5
DS12R885-33
DS12CR887-5
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN的
包
24 SO
（ 300密耳）
24 SO
（ 300密耳）
24 EDIP
（ 700密耳）
24 EDIP
（ 700密耳）
顶标
DS12R885-5
DS12R885-33
DS12CR887-5
DS12CR887-33
DS12R887-5
DS12R887-33
X1
AS
读/写
DS
X2
V
CC
RESET
RCLR
DS83C520
CS
AD(0–7)
IRQ
MOT
DS12R885
SQW
V
BACKUP
±
DS12CR887-33
超级
帽
DS12R887-5*
DS12R887-33*
-40 ° C至+ 85°C 48 BGA
-40 ° C至+ 85°C 48 BGA
GND
*未来
接触产品的工厂。
引脚配置在数据资料的最后。
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1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
绝对最大额定值
在V电压范围
CC
引脚对地.....- 0.3V至+ 6.0V
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度.......................................见IPC / JEDEC
J- STD- 020A规格
焊接温度（线索， 10秒） ................................ + 260℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= V
CC（分钟）
到V
CC（ MAX）的
, T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
电源电压（注2）
V
BACKUP
输入电压
（仅DS12R885 ）
输入逻辑1
输入逻辑0
V
CC
电源电流
（注3）
V
CC
待机电流（注4 ）
输入漏
I / O泄漏
输入电流
输出电流在2.4V
输出电流在0.4V
电源失效电压（注2 ）
VRT跳变点
涓流充电限流
电阻器
涓流充电器输出电压
符号
V
CC
V
BACKUP
V
IH
V
IL
I
CC1
I
CCS
I
IL
I
OL
I
MOT
I
OH
I
OL
V
PF
VRT
旅
R1
V
OUT
（注5 ）
（注6 ）
（注2 ）
（注2 ）
-33
-5
-33
-5
只有DS12R885
只有DS12R885
2.7
4.05
2.88
4.33
1.3
10
3.05
-33
-5
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
-33
-5
-5
-33
-1.0
-1.0
-1.0
-1.0
4.0
2.97
4.5
条件
民
2.97
4.5
2.0
2.2
-0.3
0.7
0.8
0.250
0.140
典型值
3.3
5.0
最大
3.63
5.5
V
OUT
V
CC
+
0.3
+0.8
2
2
0.5
0.3
+1.0
+1.0
+500
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
A
A
mA
mA
V
V
k
V
2
_____________________________________________________________________
RTC与恒压涓流充电器
DC电气特性（仅DS12R885 ）
(V
CC
= 0V, V
BACKUP
= 3.2V,
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
V
BACKUP
电流（ OSC开） ;
T
A
= + 25 ° C，V
BACKUP
= 3.0V
V
BACKUP
电流（振荡器）
符号
I
BACKUP2
（注7 ）
条件
民
典型值
800
最大
1000
100
单位
nA
nA
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
I
BACKUPDR
（注7 ）
AC电气特性
(V
CC
= 4.5V至5.5V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
周期
脉冲宽度， DS低或R / W高
脉冲宽度， DS高或R / W低
输入兴衰
R / W保持时间
R / W设置时间DS / E之前
片选建立时间之前
DS或读/写
芯片选择保持时间
读数据保持时间
写数据保持时间
地址有效时间落入
地址保持时间为AS秋季
延迟时间DS / E为升
脉冲宽度高
延迟时间，对于DS / E上升
输出数据从DS延时
或读/写
数据建立时间
复位脉冲宽度
IRQ
从DS发布
IRQ
从发行
RESET
符号
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
R
, t
F
t
RWH
t
RWS
t
CS
t
CH
t
DHR
t
DHW
t
翔升
t
AHL
t
ASD
PW
ASH
t
ASED
t
DDR
t
DSW
t
RWL
t
IRDS
t
IRR
（注8）
0
10
5
0
5
0
20
5
10
30
35
15
50
5
0
0
2
2
60
35
条件
民
180
80
65
30
典型值
最大
DC
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
_____________________________________________________________________
3
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
AC电气特性
(V
CC
= 2.97V到3.63V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
周期
脉冲宽度， DS低或R / W高
脉冲宽度， DS高或R / W低
输入兴衰
R / W保持时间
R / W设置时间之前DS
片选建立时间之前
DS或读/写
芯片选择保持时间
读数据保持时间
写数据保持时间
地址有效时间落入
地址保持时间为AS秋季
延迟时间DS以升
脉冲宽度高
延迟时间，对于DS崛起
输出数据从DS延时
或读/写
数据建立时间
复位脉冲宽度
IRQ
从DS发布
IRQ
从发行
RESET
符号
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
R
, t
F
t
RWH
t
RWS
t
CS
t
CH
t
DHR
t
DHW
t
翔升
t
AHL
t
ASD
PW
ASH
t
ASED
t
DDR
t
DSW
t
RWL
t
IRDS
t
IRR
（注8）
0
15
8
0
5
0
30
15
15
45
55
20
70
5
0
0
2
2
80
55
条件
民
280
130
90
30
典型值
最大
DC
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
4
_____________________________________________________________________
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
摩托罗拉总线读/写时序
PW
ASH
AS
t
ASD
t
CYC
DS
PW
EL
t
RWS
读/写
t
CH
CS
t
CS
t
DSW
AD0–AD7
写
t
翔升
AD0–AD7
读
t
AHL
t
DHR
t
DDR
t
DHW
PW
EH
t
RWH
t
ASED
英特尔总线写时序
t
CYC
AS
t
ASD
DS
t
ASD
读/写
PW
翔升
t
CS
CS
t
翔升
AD0–AD7
写
t
AHL
t
DSW
t
DHW
PW
EH
t
CH
PW
ASH
_____________________________________________________________________
5
转1 ; 4/04
RTC与恒压涓流充电器
概述
该DS12R885是一种功能下降的替代品
与DS12885实时时钟（RTC） 。该器件亲
国际志愿组织的RTC /日历，时间的日一个报警，三
可屏蔽中断共用一个中断输出，一
可编程方波以及114字节电池 - 的
备份的静态RAM 。在每月结束时的日期是
几个月少于31自动调整
天，其中包括闰年补偿。它也能操作
在24小时或12小时格式，带AM / PM阿泰
指标。精确的温度补偿电路
监视V的状态
CC
。如果主电源故障
检测时，设备会自动切换至后台
了供应。在V
BACKUP
引脚用于支持可充电
电池或超级电容，内部包括一个集成的，
始终有效的涓流充电器。该DS12R885是
通过复用字节宽接口访问，
同时支持Intel和Motorola模式。该
DS12CR887和DS12R887整合DS12R885
死了晶体和电池。
特点
涓流充电功能的充电
电池或超级电容
可选择Intel或Motorola总线时序
RTC计算秒，分，小时，星期，日期，
每月，每年有闰年补偿至
2100
中断输出有三个可独立
可屏蔽中断标志
分时日报警是一次每秒，以Once-
每天
定期利率从122μs至500ms的
最终的时钟更新周期标志
14字节的时钟和控制寄存器
114字节通用RAM与清除输入
可编程方波输出
自动电源失效检测和切换电路
+ 5.0V或+ 3.3V工作
工业温度范围
DS12CR887是密封DIP （ EDIP ）模块，带
集成电池和水晶
DS12R887 BGA模块，表面贴装
，集成晶体和充电包
电池
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
应用
嵌入式系统
电表
安全系统
网络集线器，网桥和路由器
典型工作电路
水晶
V
CC
订购信息
部分
DS12R885-5
DS12R885-33
DS12CR887-5
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN的
包
24 SO
（ 300密耳）
24 SO
（ 300密耳）
24 EDIP
（ 700密耳）
24 EDIP
（ 700密耳）
顶标
DS12R885-5
DS12R885-33
DS12CR887-5
DS12CR887-33
DS12R887-5
DS12R887-33
X1
AS
读/写
DS
X2
V
CC
RESET
RCLR
DS83C520
CS
AD(0–7)
IRQ
MOT
DS12R885
SQW
V
BACKUP
±
DS12CR887-33
超级
帽
DS12R887-5*
DS12R887-33*
-40 ° C至+ 85°C 48 BGA
-40 ° C至+ 85°C 48 BGA
GND
*未来
接触产品的工厂。
引脚配置在数据资料的最后。
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对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
绝对最大额定值
在V电压范围
CC
引脚对地.....- 0.3V至+ 6.0V
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度.......................................见IPC / JEDEC
J- STD- 020A规格
焊接温度（线索， 10秒） ................................ + 260℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
(V
CC
= V
CC（分钟）
到V
CC（ MAX）的
, T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
电源电压（注2）
V
BACKUP
输入电压
（仅DS12R885 ）
输入逻辑1
输入逻辑0
V
CC
电源电流
（注3）
V
CC
待机电流（注4 ）
输入漏
I / O泄漏
输入电流
输出电流在2.4V
输出电流在0.4V
电源失效电压（注2 ）
VRT跳变点
涓流充电限流
电阻器
涓流充电器输出电压
符号
V
CC
V
BACKUP
V
IH
V
IL
I
CC1
I
CCS
I
IL
I
OL
I
MOT
I
OH
I
OL
V
PF
VRT
旅
R1
V
OUT
（注5 ）
（注6 ）
（注2 ）
（注2 ）
-33
-5
-33
-5
只有DS12R885
只有DS12R885
2.7
4.05
2.88
4.33
1.3
10
3.05
-33
-5
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
-33
-5
-5
-33
-1.0
-1.0
-1.0
-1.0
4.0
2.97
4.5
条件
民
2.97
4.5
2.0
2.2
-0.3
0.7
0.8
0.250
0.140
典型值
3.3
5.0
最大
3.63
5.5
V
OUT
V
CC
+
0.3
+0.8
2
2
0.5
0.3
+1.0
+1.0
+500
单位
V
V
V
V
mA
mA
A
A
A
mA
mA
V
V
k
V
2
_____________________________________________________________________
RTC与恒压涓流充电器
DC电气特性（仅DS12R885 ）
(V
CC
= 0V, V
BACKUP
= 3.2V,
T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
V
BACKUP
电流（ OSC开） ;
T
A
= + 25 ° C，V
BACKUP
= 3.0V
V
BACKUP
电流（振荡器）
符号
I
BACKUP2
（注7 ）
条件
民
典型值
800
最大
1000
100
单位
nA
nA
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
I
BACKUPDR
（注7 ）
AC电气特性
(V
CC
= 4.5V至5.5V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
周期
脉冲宽度， DS低或R / W高
脉冲宽度， DS高或R / W低
输入兴衰
R / W保持时间
R / W设置时间DS / E之前
片选建立时间之前
DS或读/写
芯片选择保持时间
读数据保持时间
写数据保持时间
地址有效时间落入
地址保持时间为AS秋季
延迟时间DS / E为升
脉冲宽度高
延迟时间，对于DS / E上升
输出数据从DS延时
或读/写
数据建立时间
复位脉冲宽度
IRQ
从DS发布
IRQ
从发行
RESET
符号
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
R
, t
F
t
RWH
t
RWS
t
CS
t
CH
t
DHR
t
DHW
t
翔升
t
AHL
t
ASD
PW
ASH
t
ASED
t
DDR
t
DSW
t
RWL
t
IRDS
t
IRR
（注8）
0
10
5
0
5
0
20
5
10
30
35
15
50
5
0
0
2
2
60
35
条件
民
180
80
65
30
典型值
最大
DC
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
_____________________________________________________________________
3
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
AC电气特性
(V
CC
= 2.97V到3.63V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ） （注1 ）
参数
周期
脉冲宽度， DS低或R / W高
脉冲宽度， DS高或R / W低
输入兴衰
R / W保持时间
R / W设置时间之前DS
片选建立时间之前
DS或读/写
芯片选择保持时间
读数据保持时间
写数据保持时间
地址有效时间落入
地址保持时间为AS秋季
延迟时间DS以升
脉冲宽度高
延迟时间，对于DS崛起
输出数据从DS延时
或读/写
数据建立时间
复位脉冲宽度
IRQ
从DS发布
IRQ
从发行
RESET
符号
t
CYC
PW
EL
PW
EH
t
R
, t
F
t
RWH
t
RWS
t
CS
t
CH
t
DHR
t
DHW
t
翔升
t
AHL
t
ASD
PW
ASH
t
ASED
t
DDR
t
DSW
t
RWL
t
IRDS
t
IRR
（注8）
0
15
8
0
5
0
30
15
15
45
55
20
70
5
0
0
2
2
80
55
条件
民
280
130
90
30
典型值
最大
DC
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
4
_____________________________________________________________________
RTC与恒压涓流充电器
DS12R885/DS12CR887/DS12R887
摩托罗拉总线读/写时序
PW
ASH
AS
t
ASD
t
CYC
DS
PW
EL
t
RWS
读/写
t
CH
CS
t
CS
t
DSW
AD0–AD7
写
t
翔升
AD0–AD7
读
t
AHL
t
DHR
t
DDR
t
DHW
PW
EH
t
RWH
t
ASED
英特尔总线写时序
t
CYC
AS
t
ASD
DS
t
ASD
读/写
PW
翔升
t
CS
CS
t
翔升
AD0–AD7
写
t
AHL
t
DSW
t
DHW
PW
EH
t
CH
PW
ASH
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5
QQ：2881677436 复制
