DS1265Y/AB
8M非易失SRAM
www.maxim-ic.com
特点
§
§
§
§
§
§
§
§
§
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
读取和写入存取时间快70纳秒
锂能源电
断开，维持保鲜状态，直到电源
施加首次
满
±10%
V
CC
工作范围（ DS1265Y ）
可选
±5%
V
CC
工作范围
(DS1265AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
NC
NC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
V
CC
A19
NC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
36引脚密封封装
740密耳EXTENDED
引脚说明
A0 - A19
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
- 无连接
描述
在DS1265 8M非易失性SRAM是8,388,608位，全静态非易失SRAM的组织结构
1,048,576字×8位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制
电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，
锂电池的能量源自动切换，写保护将无条件使能，以
防止数据损坏。有在其上可以执行和写周期数没有限制没有
额外的支持电路所需的微处理器接口。
1第8
110602
DS1265Y/AB
读取模式
在DS1265设备上执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高）和
CE
（芯片
使能）和
OE
（输出使能）有效（低） 。由20地址输入指定的唯一地址
(A
0
- A
19
）定义其中的1,048,576字节的数据进行访问。有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
那
CE
和
OE
（输出使能）访问时间还纳。如果
OE
和
CE
存取时间是不
满足，则数据存取，必须从后面存在的信号测量（
CE
or
OE
）和限制性
参数是吨
CO
为
CE
或T
OE
为
OE
而不是吨
加
.
写模式
在DS1265器件执行写入周期时
WE
和
CE
信号有效（低电平）地址之后
输入是稳定的。的后面存在的下降沿
CE
or
WE
将确定的写入周期的开始。
写周期是由早期的上升沿终止
CE
or
WE
。所有地址输入必须保持
有效整个写周期。
WE
必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
)
前一个循环可被启动。该
OE
控制信号应写在保持非活动状态（高）
周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（
CE
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1265AB为V全功能的能力
CC
大于4.75伏，写保护了
4.5伏。该DS1265Y为V全功能的能力
CC
大于4.5伏，并且写
保护由4.25伏。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。
非易失性静态RAM，不断监视V
CC
。如若电源电压衰减的NV SRAM的
自动写保护自己，所有的输入变得不在乎，所有的输出变为高
阻抗。由于V
CC
低于约3.0伏下降时，功率开关电路将锂
能源到RAM中保留的数据。在上电期间，当V
CC
上升到大约3.0伏，
所述电源开关电路连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。
V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.75伏的DS1265AB和4.5伏的
DS1265Y.
保鲜
每个DS1265设备从达拉斯半导体附带的锂电池能量源断开，
保证充分的能量的能力。当V
CC
首先应用的水平大于V
TP
中，锂
能量源使能电池备份操作。
2第8
DS1265Y/AB
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
*
-0.3V至+ 7.0V
0℃至70 ℃; -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70°C ; -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1265AB电源电压
DS1265Y电源电压
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.5
2.2
0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
+0.8
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
直流电气
特征
参数
输入漏电流
I / O漏电流
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
=2.2V
待机电流
CE
=V
CC
-0.5V
工作电流
写保护电压（ DS1265AB ）
写保护电压（ DS1265Y ）
(V
CC
=5V
±
为DS1265AB 5％）
(t
A
：见注10 ）（V
CC
=5V
±
为DS1265Y 10％）
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
V
TP
4.50
4.25
4.62
4.37
民
-2.0
-2.0
-1.0
2.0
1.0
100
1.5
200
85
4.75
4.5
典型值
最大
+2.0
+2.0
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
笔记
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
10
10
最大
20
20
(t
A
=25°C)
单位
pF
pF
笔记
3 8
DS1265Y/AB
时序图：
写周期1
时序图：写周期2
见注释2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8和13
5 8
DS1265Y/AB
8M非易失SRAM
www.maxim-ic.com
特点
§
§
§
§
§
§
§
§
§
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
读取和写入存取时间快70纳秒
锂能源电
断开，维持保鲜状态，直到电源
施加首次
满
±10%
V
CC
工作范围（ DS1265Y ）
可选
±5%
V
CC
工作范围
(DS1265AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
NC
NC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
V
CC
A19
NC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
36引脚密封封装
740密耳EXTENDED
引脚说明
A0 - A19
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
- 无连接
描述
在DS1265 8M非易失性SRAM是8,388,608位，全静态非易失SRAM的组织结构
1,048,576字×8位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制
电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，
锂电池的能量源自动切换，写保护将无条件使能，以
防止数据损坏。有在其上可以执行和写周期数没有限制没有
额外的支持电路所需的微处理器接口。
1第8
110602
DS1265Y/AB
读取模式
在DS1265设备上执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高）和
CE
（芯片
使能）和
OE
（输出使能）有效（低） 。由20地址输入指定的唯一地址
(A
0
- A
19
）定义其中的1,048,576字节的数据进行访问。有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
那
CE
和
OE
（输出使能）访问时间还纳。如果
OE
和
CE
存取时间是不
满足，则数据存取，必须从后面存在的信号测量（
CE
or
OE
）和限制性
参数是吨
CO
为
CE
或T
OE
为
OE
而不是吨
加
.
写模式
在DS1265器件执行写入周期时
WE
和
CE
信号有效（低电平）地址之后
输入是稳定的。的后面存在的下降沿
CE
or
WE
将确定的写入周期的开始。
写周期是由早期的上升沿终止
CE
or
WE
。所有地址输入必须保持
有效整个写周期。
WE
必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
)
前一个循环可被启动。该
OE
控制信号应写在保持非活动状态（高）
周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（
CE
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1265AB为V全功能的能力
CC
大于4.75伏，写保护了
4.5伏。该DS1265Y为V全功能的能力
CC
大于4.5伏，并且写
保护由4.25伏。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。
非易失性静态RAM，不断监视V
CC
。如若电源电压衰减的NV SRAM的
自动写保护自己，所有的输入变得不在乎，所有的输出变为高
阻抗。由于V
CC
低于约3.0伏下降时，功率开关电路将锂
能源到RAM中保留的数据。在上电期间，当V
CC
上升到大约3.0伏，
所述电源开关电路连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。
V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.75伏的DS1265AB和4.5伏的
DS1265Y.
保鲜
每个DS1265设备从达拉斯半导体附带的锂电池能量源断开，
保证充分的能量的能力。当V
CC
首先应用的水平大于V
TP
中，锂
能量源使能电池备份操作。
2第8
DS1265Y/AB
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
*
-0.3V至+ 7.0V
0℃至70 ℃; -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70°C ; -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1265AB电源电压
DS1265Y电源电压
逻辑1输入电压
逻辑0输入电压
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.5
2.2
0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
+0.8
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
直流电气
特征
参数
输入漏电流
I / O漏电流
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
=2.2V
待机电流
CE
=V
CC
-0.5V
工作电流
写保护电压（ DS1265AB ）
写保护电压（ DS1265Y ）
(V
CC
=5V
±
为DS1265AB 5％）
(t
A
：见注10 ）（V
CC
=5V
±
为DS1265Y 10％）
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
V
TP
4.50
4.25
4.62
4.37
民
-2.0
-2.0
-1.0
2.0
1.0
100
1.5
200
85
4.75
4.5
典型值
最大
+2.0
+2.0
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
笔记
电容
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
10
10
最大
20
20
(t
A
=25°C)
单位
pF
pF
笔记
3 8
DS1265Y/AB
时序图：
写周期1
时序图：写周期2
见注释2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8和13
5 8
QQ：2880707522 复制
