DS1258Y/AB
128K ×16非易失SRAM
www.maxim-ic.com
特点
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
10年最低数据保存在
没有外部电源的
数据被自动保护期间
功率损耗
独立的高字节和低字节削片
选择输入
没有写次数限制
低功耗CMOS
读取和写入存取时间快为70ns
锂能源电
断开，维持保鲜状态
通电后的首次
满
±10%
工作范围（ DS1258Y ）
可选
±5%
工作范围（ DS1258AB ）
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
CEU
CEL
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
CC
WE
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
40引脚封装的封装
740mil扩展
引脚说明
A0到A16
DQ0到DQ15
CEU
CEL
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能高字节
- 芯片使能低字节
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
描述
在DS1258 128K ×16非易失（ NV ） SRAM是2,097,152位全静态的， NV SRAM的组织结构
131,072字由16位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制
电路，可连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，
锂电池的能量源自动切换，写保护将无条件使能，以
防止数据损坏。 DIP封装的DS1258器件可替代的解决方案中使用了NV建设
128K ×16的内存利用各种分立元件。上有写的数量没有限制
能够被执行并且没有额外的支持电路需要与微处理器接口周期。
1第8
033104
DS1258Y/AB
读取模式
在DS1258设备上执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高） ，要么/两个
of
CEU
or
CEL
（芯片使能）有效（低）和
OE
（输出使能）有效（低电平） 。独特
由17地址输入（ A0 - A16 ）指定的地址定义了的131,072字的数据
访问。状态
CEU
和
CEL
确定是否所有被寻址的字的全部或部分被访问。如果
CEU
为活跃
CEL
不活动的，则只有上面所寻址的字的字节被访问。如果
CEU
is
与不活跃
CEL
活性，那么只有较低的寻址字的字节被访问。如果两个
CEU
和
CEL
输入为有效（低电平） ，则整个16位字被访问。有效的数据将提供给
内吨的16个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
那
CEU
,
CEL
和
OE
访问时间还纳。如果
CEU
,
CEL
和
OE
存取时间是不
满足，则数据存取，必须从后面出现的信号测量，并且限制参数是
要么吨
CO
为
CEU
,
CEL
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
在DS1258器件执行写入周期时
WE
，要么/两个
CEU
or
CEL
为有效（低电平）
地址后输入是稳定的。由17地址输入指定的唯一地址（ A0 - A16 ）定义
其中数据的131072字被存取。状态
CEU
和
CEL
确定是否所有或
被寻址的字的一部分被访问。如果
CEU
为活跃
CEL
不活动的，则只有上面的字节
被寻址的字被存取。如果
CEU
处于非活动状态与
CEL
活性，那么只有较低的字节
寻址的字被存取。如果两个
CEU
和
CEL
输入为有效（低电平） ，则整个16位的字
被访问。写周期是由早期的上升沿终止
CEU
和/或
CEL
或
WE
。所有
地址输入必须保持有效的在整个写周期。
WE
必须返回到高状态的
最小恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。该
OE
控制信号应当保持
无效（高）在写周期，以避免总线冲突。然而，如果启用了输出驱动器
(
CEU
和/或
CEL
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
读/写功能
表1
OE
WE
CEL
CEU
V
CC
当前
I
CCO
I
CCO
H
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
X
X
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
L
L
H
L
H
DQ0-DQ7
高-Z
产量
产量
高-Z
输入
DQ8-DQ15
高-Z
产量
高-Z
产量
输入
高-Z
输入
高-Z
周期
执行
输出禁用
读周期
I
CCO
I
CCS
输入
高-Z
高-Z
写周期
输出禁用
数据保持方式
该DS1258AB为V全功能的能力
CC
大于4.75V ，并写保护了
4.5V 。该DS1258Y为V全功能的能力
CC
大于4.5V和写保护了
4.25V 。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。在NV静
RAM的不断监视V
CC
。如果电源电压衰减，在NV SRAM的自动写入
保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高阻抗。由于V
CC
瀑布
低于约3.0V ，电源开关电路连接的锂电池到RAM ，以
2第8
DS1258Y/AB
保留的数据。在上电期间，当V
CC
上述上升约3.0V时，电源开关电路
连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。可以正常RAM操作
V后恢复
CC
超过4.75V为DS1258AB和4.5V的DS1258Y 。
保鲜
在DS1258设备从达拉斯半导体附带的锂能源
断开连接，保证精力充沛的能力。当V
CC
首先应用的水平大于V
TP
中，
锂电池便启用了备用电池操作。
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
-0.3V至+ 6.0V
0 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C工业配件
-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C工业配件
见IPC / JEDEC J- STD- 020A规格
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1258AB电源电压
DS1258Y电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
+0.8
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
直流电气
特征
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CEU = CEL
V
IH
V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CEU
,
CEL
=2.2V
待机电流
CEU
,
CEL
=V
CC
- 0.5V
工作电流
写保护电压（ DS1258AB ）
写保护电压（ DS1258Y ）
(V
CC
= 5V
±
为DS1258AB 5％）
(t
A
：见注10 ）（V
CC
= 5V
±
为DS1258Y 10％）
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
V
TP
4.50
4.25
4.62
4.37
民
-2.0
-1.0
-1.0
2.0
0.7
150
1.5
300
170
4.75
4.5
典型值
最大
+2.0
+1.0
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
笔记
3 8
DS1258Y/AB
写周期1
见注2，第3 ，第4 ，第6 ，第7 ，第8和12
写周期2
5 8
DS1258Y/AB
128K ×16非易失SRAM
www.maxim-ic.com
特点
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
10年最低数据保存在
没有外部电源的
数据被自动保护期间
功率损耗
独立的高字节和低字节削片
选择输入
没有写次数限制
低功耗CMOS
读取和写入存取时间快为70ns
锂能源电
断开，维持保鲜状态
通电后的首次
满
±10%
工作范围（ DS1258Y ）
可选
±5%
工作范围（ DS1258AB ）
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
CEU
CEL
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
CC
WE
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
40引脚封装的封装
740mil扩展
引脚说明
A0到A16
DQ0到DQ15
CEU
CEL
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能高字节
- 芯片使能低字节
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
描述
在DS1258 128K ×16非易失（ NV ） SRAM是2,097,152位全静态的， NV SRAM的组织结构
131,072字由16位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制
电路，可连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，
锂电池的能量源自动切换，写保护将无条件使能，以
防止数据损坏。 DIP封装的DS1258器件可替代的解决方案中使用了NV建设
128K ×16的内存利用各种分立元件。上有写的数量没有限制
能够被执行并且没有额外的支持电路需要与微处理器接口周期。
1第8
033104
DS1258Y/AB
读取模式
在DS1258设备上执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高） ，要么/两个
of
CEU
or
CEL
（芯片使能）有效（低）和
OE
（输出使能）有效（低电平） 。独特
由17地址输入（ A0 - A16 ）指定的地址定义了的131,072字的数据
访问。状态
CEU
和
CEL
确定是否所有被寻址的字的全部或部分被访问。如果
CEU
为活跃
CEL
不活动的，则只有上面所寻址的字的字节被访问。如果
CEU
is
与不活跃
CEL
活性，那么只有较低的寻址字的字节被访问。如果两个
CEU
和
CEL
输入为有效（低电平） ，则整个16位字被访问。有效的数据将提供给
内吨的16个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
那
CEU
,
CEL
和
OE
访问时间还纳。如果
CEU
,
CEL
和
OE
存取时间是不
满足，则数据存取，必须从后面出现的信号测量，并且限制参数是
要么吨
CO
为
CEU
,
CEL
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
在DS1258器件执行写入周期时
WE
，要么/两个
CEU
or
CEL
为有效（低电平）
地址后输入是稳定的。由17地址输入指定的唯一地址（ A0 - A16 ）定义
其中数据的131072字被存取。状态
CEU
和
CEL
确定是否所有或
被寻址的字的一部分被访问。如果
CEU
为活跃
CEL
不活动的，则只有上面的字节
被寻址的字被存取。如果
CEU
处于非活动状态与
CEL
活性，那么只有较低的字节
寻址的字被存取。如果两个
CEU
和
CEL
输入为有效（低电平） ，则整个16位的字
被访问。写周期是由早期的上升沿终止
CEU
和/或
CEL
或
WE
。所有
地址输入必须保持有效的在整个写周期。
WE
必须返回到高状态的
最小恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。该
OE
控制信号应当保持
无效（高）在写周期，以避免总线冲突。然而，如果启用了输出驱动器
(
CEU
和/或
CEL
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
读/写功能
表1
OE
WE
CEL
CEU
V
CC
当前
I
CCO
I
CCO
H
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
X
X
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
L
L
H
L
H
DQ0-DQ7
高-Z
产量
产量
高-Z
输入
DQ8-DQ15
高-Z
产量
高-Z
产量
输入
高-Z
输入
高-Z
周期
执行
输出禁用
读周期
I
CCO
I
CCS
输入
高-Z
高-Z
写周期
输出禁用
数据保持方式
该DS1258AB为V全功能的能力
CC
大于4.75V ，并写保护了
4.5V 。该DS1258Y为V全功能的能力
CC
大于4.5V和写保护了
4.25V 。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。在NV静
RAM的不断监视V
CC
。如果电源电压衰减，在NV SRAM的自动写入
保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高阻抗。由于V
CC
瀑布
低于约3.0V ，电源开关电路连接的锂电池到RAM ，以
2第8
DS1258Y/AB
保留的数据。在上电期间，当V
CC
上述上升约3.0V时，电源开关电路
连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。可以正常RAM操作
V后恢复
CC
超过4.75V为DS1258AB和4.5V的DS1258Y 。
保鲜
在DS1258设备从达拉斯半导体附带的锂能源
断开连接，保证精力充沛的能力。当V
CC
首先应用的水平大于V
TP
中，
锂电池便启用了备用电池操作。
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
-0.3V至+ 6.0V
0 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C工业配件
-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C工业配件
见IPC / JEDEC J- STD- 020A规格
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1258AB电源电压
DS1258Y电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
+0.8
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
直流电气
特征
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CEU = CEL
V
IH
V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CEU
,
CEL
=2.2V
待机电流
CEU
,
CEL
=V
CC
- 0.5V
工作电流
写保护电压（ DS1258AB ）
写保护电压（ DS1258Y ）
(V
CC
= 5V
±
为DS1258AB 5％）
(t
A
：见注10 ）（V
CC
= 5V
±
为DS1258Y 10％）
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
V
TP
4.50
4.25
4.62
4.37
民
-2.0
-1.0
-1.0
2.0
0.7
150
1.5
300
170
4.75
4.5
典型值
最大
+2.0
+1.0
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
笔记
3 8
DS1258Y/AB
写周期1
见注2，第3 ，第4 ，第6 ，第7 ，第8和12
写周期2
5 8
QQ：2881677436 复制
