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DS1258W
3.3V 128K ×16非易失
SRAM
引脚分配
CEU
CEL
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
CC
WE
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
特点
§
§
§
§
§
§
§
§
10年最低数据保存在
没有外部电源的
数据被自动保护期间
功率损耗
独立的高字节和低字节片
选择输入
没有写次数限制
低功耗CMOS
读取和写入权限倍的速度
100ns
锂能源电
断开，维持保鲜状态
通电后的首次
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
40引脚封装的封装
740mil扩展
引脚说明
A0 - A16
DQ0 - DQ15
CEU
CEL
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能高字节
- 芯片使能低字节
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 3.3V ）
- 地面
描述
该DS1258W 3.3V 128K ×16非易失SRAM是一种2,097,152位，全静态，非易失（ NV ）
SRAM ， 16位组织为131,072字。每个NV SRAM均自带锂电池的能量
源和控制电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这样的
条件发生时，锂电池便自动切换，写保护是
无条件使能，防止数据被破坏。 DIP封装的DS1258W设备可以在适当的位置使用
哪利用各种分立元件构建非易失128K ×16的内存解决方案。
有上，能够被执行而没有任何额外的支持电路的写入周期的数量没有限制
所需的微处理器接口。
1 9
052902
DS1258W
读取模式
该DS1258W执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高），任一/两个
CEU
or
CEL
（芯片使能）有效（低）和
OE
（输出使能）有效（低电平） 。的唯一地址
由17地址输入（ A0 - A16）定义了数据的131,072字访问指定。该
状态
CEU
和
CEL
确定是否所有被寻址的字的全部或部分被访问。如果
CEU
是主动
同
CEL
不活动的，则只有上面所寻址的字的字节被访问。如果
CEU
处于非活动状态与
CEL
活性，那么只有较低的寻址字的字节被访问。如果两个
CEU
和
CEL
输入
被激活（低电平），则整个16位字被访问。有效的数据将是可利用的16个数据输出
T内的驱动程序
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，所提供的
CEU
,
CEL
和
OE
访问时间还纳。如果
CEU
,
CEL
和
OE
访问时间不满意，那么数据
访问必须从后面存在的信号测量，并且限制参数是任一吨
CO
为
CEU
,
CEL
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
该DS1258W执行一个写入周期时
WE
，要么/两个
CEU
or
CEL
为有效（低电平）
地址后输入是稳定的。由17地址输入指定的唯一地址（ A0 - A16 ）定义
其中数据的131072字被存取。状态
CEU
和
CEL
确定是否所有或
被寻址的字的一部分被访问。如果
CEU
为活跃
CEL
不活动的，则只有上面的字节
被寻址的字被存取。如果
CEU
处于非活动状态与
CEL
活性，那么只有较低的字节
寻址的字被存取。如果两个
CEU
和
CEL
输入为有效（低电平） ，则整个16位的字
被访问。写周期是由早期的上升沿终止
CEU
和/或
CEL
或
WE
。所有
地址输入必须保持有效的在整个写周期。
WE
必须返回到高状态的
最小恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。该
OE
控制信号应当保持
无效（高）在写周期，以避免总线冲突。然而，如果启用了输出驱动器
(
CEU
和/或
CEL
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
读/写功能
表1
OE
WE
CEL
CEU
V
CC
当前
I
CCO
I
CCO
DQ0-DQ7
高-Z
产量
产量
高-Z
输入
DQ8-DQ15
高-Z
产量
高-Z
产量
输入
高-Z
输入
高-Z
周期
执行
输出禁用
读周期
H
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
X
X
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
L
L
H
L
H
I
CCO
I
CCS
输入
高-Z
高-Z
写周期
输出禁用
数据保持方式
该DS1258W为V全功能的能力
CC
由2.8V大于3.0V ，和写保护。
数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。非易失性静态
RAM的不断监视V
CC
。如若电源电压衰减，在NV SRAM的自动直写
保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高阻抗。由于V
CC
瀑布
低于约2.5V ，电源开关电路将锂电池到RAM ，以
保留的数据。在上电期间，当V
CC
上述上升约2.5V时，电源开关电路
2 9
DS1258W
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
-0.3V至+ 4.6V
0 ° C至70 ° C， -40 ° C至+ 85°C工业配件
-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C工业配件
见IPC / JEDEC J- STD- 020A规格
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
3.0
2.2
0.0
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
0.4
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
V
IH
V
CC
输出电流@ 2.2V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CEU
,
CEL
=2.2V
待机电流
CEU
,
CEL
=V
CC
-0.2V
工作电流
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
(t
A
：见注10 ）（V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
民
-2.0
-1.0
-1.0
2.0
100
60
2.8
2.9
450
250
100
3.0
典型值
最大
+2.0
+1.0
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
笔记
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
20
5
最大
25
10
(t
A
= +25°C)
单位
pF
pF
笔记
4 9
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DS1258W
3.3V 128K ×16非易失
SRAM
引脚分配
CEU
CEL
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
GND
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
CC
WE
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
GND
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
特点
§
§
§
§
§
§
§
§
10年最低数据保存在
没有外部电源的
数据被自动保护期间
功率损耗
独立的高字节和低字节片
选择输入
没有写次数限制
低功耗CMOS
读取和写入权限倍的速度
100ns
锂能源电
断开，维持保鲜状态
通电后的首次
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
40引脚封装的封装
740mil扩展
引脚说明
A0 - A16
DQ0 - DQ15
CEU
CEL
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能高字节
- 芯片使能低字节
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 3.3V ）
- 地面
描述
该DS1258W 3.3V 128K ×16非易失SRAM是一种2,097,152位，全静态，非易失（ NV ）
SRAM ， 16位组织为131,072字。每个NV SRAM均自带锂电池的能量
源和控制电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这样的
条件发生时，锂电池便自动切换，写保护是
无条件使能，防止数据被破坏。 DIP封装的DS1258W设备可以在适当的位置使用
哪利用各种分立元件构建非易失128K ×16的内存解决方案。
有上，能够被执行而没有任何额外的支持电路的写入周期的数量没有限制
所需的微处理器接口。
1 9
052902
DS1258W
读取模式
该DS1258W执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高），任一/两个
CEU
or
CEL
（芯片使能）有效（低）和
OE
（输出使能）有效（低电平） 。的唯一地址
由17地址输入（ A0 - A16）定义了数据的131,072字访问指定。该
状态
CEU
和
CEL
确定是否所有被寻址的字的全部或部分被访问。如果
CEU
是主动
同
CEL
不活动的，则只有上面所寻址的字的字节被访问。如果
CEU
处于非活动状态与
CEL
活性，那么只有较低的寻址字的字节被访问。如果两个
CEU
和
CEL
输入
被激活（低电平），则整个16位字被访问。有效的数据将是可利用的16个数据输出
T内的驱动程序
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，所提供的
CEU
,
CEL
和
OE
访问时间还纳。如果
CEU
,
CEL
和
OE
访问时间不满意，那么数据
访问必须从后面存在的信号测量，并且限制参数是任一吨
CO
为
CEU
,
CEL
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
该DS1258W执行一个写入周期时
WE
，要么/两个
CEU
or
CEL
为有效（低电平）
地址后输入是稳定的。由17地址输入指定的唯一地址（ A0 - A16 ）定义
其中数据的131072字被存取。状态
CEU
和
CEL
确定是否所有或
被寻址的字的一部分被访问。如果
CEU
为活跃
CEL
不活动的，则只有上面的字节
被寻址的字被存取。如果
CEU
处于非活动状态与
CEL
活性，那么只有较低的字节
寻址的字被存取。如果两个
CEU
和
CEL
输入为有效（低电平） ，则整个16位的字
被访问。写周期是由早期的上升沿终止
CEU
和/或
CEL
或
WE
。所有
地址输入必须保持有效的在整个写周期。
WE
必须返回到高状态的
最小恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。该
OE
控制信号应当保持
无效（高）在写周期，以避免总线冲突。然而，如果启用了输出驱动器
(
CEU
和/或
CEL
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
读/写功能
表1
OE
WE
CEL
CEU
V
CC
当前
I
CCO
I
CCO
DQ0-DQ7
高-Z
产量
产量
高-Z
输入
DQ8-DQ15
高-Z
产量
高-Z
产量
输入
高-Z
输入
高-Z
周期
执行
输出禁用
读周期
H
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
H
L
L
L
X
X
L
L
H
L
L
H
H
X
L
H
L
L
H
L
H
I
CCO
I
CCS
输入
高-Z
高-Z
写周期
输出禁用
数据保持方式
该DS1258W为V全功能的能力
CC
由2.8V大于3.0V ，和写保护。
数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。非易失性静态
RAM的不断监视V
CC
。如若电源电压衰减，在NV SRAM的自动直写
保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高阻抗。由于V
CC
瀑布
低于约2.5V ，电源开关电路将锂电池到RAM ，以
保留的数据。在上电期间，当V
CC
上述上升约2.5V时，电源开关电路
2 9
DS1258W
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
-0.3V至+ 4.6V
0 ° C至70 ° C， -40 ° C至+ 85°C工业配件
-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C工业配件
见IPC / JEDEC J- STD- 020A规格
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
3.0
2.2
0.0
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
0.4
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
V
IH
V
CC
输出电流@ 2.2V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CEU
,
CEL
=2.2V
待机电流
CEU
,
CEL
=V
CC
-0.2V
工作电流
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
(t
A
：见注10 ）（V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
民
-2.0
-1.0
-1.0
2.0
100
60
2.8
2.9
450
250
100
3.0
典型值
最大
+2.0
+1.0
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
笔记
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
20
5
最大
25
10
(t
A
= +25°C)
单位
pF
pF
笔记
4 9
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