DS1251Y
DS1251Y
4096K NV SRAM，带有隐含时钟
特点
引脚分配
A18/RST
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
实时时钟跟踪百分之一秒的，
分钟，小时，天，月日，月和
岁月
512K ×8 NV SRAM的直接替代挥发性静态
RAM或EEPROM
内置锂电池维持日历OP-
关合作，并保留RAM数据
观看功能是透明的RAM运行
月和年确定的天在每个数
一个月;有效期至2100年
标准的32引脚JEDEC引脚排列
10％工作范围
工作温度范围0 ° C至70℃
精度优于
±1
分钟/月@ 25°C
过度
在没有数据保存10年的
动力
32 -PIN密封封装
740 MIL FLUSH
引脚说明
A
0
–A
18
CE
GND
DQ
0
-DQ
7
V
CC
WE
OE
RST
–
–
–
–
–
–
–
–
地址输入
芯片使能
地
数据输入/输出
电源（+ 5V）的
写使能
OUTPUT ENABLE
RESET
可在120 ns到150 ns访问时间
订购信息
DS1251Y–120
DS1251Y–150
120 ns访问
150 ns访问
描述
该DS1251Y 4096K NV SRAM，带有隐含时钟
全静态非易失性RAM （组织为512K字
由8位）具有内置的实时时钟。该DS1251Y
具有自含锂的能量源和控制
电路连续监视V
CC
对于一个彻头彻尾的OF-
宽容的条件。当这种情况发生时，该
锂电池便自动开启和
写保护将无条件使能，防止
数据被破坏的存储器和实时时钟。
幻影时钟提供计时信息
包括秒，秒，分百分之一，
小时，星期，日期，月份和年份信息。日
在每月结束时被自动调整为
个月，不到31天，包括校正
闰年。幽灵时钟可以工作在
24小时或12小时格式，带AM / PM指示。
ECopyright
1997年，由达拉斯半导体公司。
版权所有。有关的重要信息
专利和其他知识产权，请参考
Dallas Semiconductor的数据手册。
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DS1251Y
RAM读取模式
该DS1251Y执行一个读周期，每当我们
（写使能）处于非活动状态（高）和CE （片选）是
有效（低电平） 。由17 AD-指定的唯一地址
礼服输入（ A0 - A18 ）定义了的512K字节
的数据是要被访问。有效的数据将提供给
在T中的八个数据输出驱动器
加
（访问时间）
之后的最后一个地址输入信号是稳定的，从而提供
该CE和OE （输出使能）访问时间和
国家也感到满意。如果OE和CE访问时间
不满足，则数据访问必须进行测量
后来出现的信号（ CE或OE）和纸张限制
rameter要么吨
CO
对于CE或T
OE
为OE ，而不是AD-
装扮访问。
PHANTOM时钟操作
与幻影时钟建立通信
由64比特的串行比特流的模式识别
这必须通过执行64个连续的被匹配
编写包含在DQ0正确的数据周期。所有AC-
在承认之前的64位巳的发生正如事实
燕鸥被定向到存储器。
识别被建立之后，下一个64读或写
周期或者提取或更新数据的幻影
时钟和存储器存取被禁止。
数据传输和从报时功能处于激活
complished根据芯片的控制的串行比特流
使能（ CE ） ，输出使能（ OE ）和写使能
（WE） 。最初，一个读周期的任何存储器位置US-
荷兰国际集团的CE和OE控制的隐含时钟的开始
通过移动指针到图形识别序列
在64位比较寄存器的第一位。接下来， 64
连续的写周期所使用的CE执行和
我们控制的SmartWatch的。这64个写周期
仅是用来获得对隐含时钟。
因此，在插座中的任何地址的存储器是
可以接受的。但是，写周期产生
进入幻影时钟也写入数据
以在配合RAM中的一个位置。的首选方式
管理此要求是预留只是一个AD-
在RAM装扮的位置作为一个隐含时钟便笺。
当执行第一个写周期，它是相对于
位的64位比较寄存器0 。如果比赛是
发现，指针增量的下一个位置
比较寄存器，并等待下一个写周期。如果一个
比赛没找到，指针不前进，所有的
随后的写周期被忽略。如果在读周期OC-
模式识别过程中随时小人，本
序列被中止，比较寄存器点 -
呃复位。模式识别持续总共64个
如上所述，直到在所有的位写周期
比较寄存器已匹配（此位模式
示于图1）。用正确的比赛为64位，
幻影时钟使能和数据传输或
从计时寄存器可以继续进行。下一个
64个周期将导致隐含时钟要么接受
或传送的DQ0数据，这取决于该水平
OE引脚或者在WE管脚。周期之外的其他位置
该内存块可以用CE周期交错
不中断的图案识别序列或
数据传输序列的隐含时钟。
RAM写入模式
该DS1251Y处于写模式时对WE
和CE信号在地址后的有效（低电平）状态
输入是稳定的。 CE的后期发生的下降沿
或WE将确定写周期的开始。该
写入周期由CE的早期上升沿终止
或WE 。所有地址输入必须保持有效的贯穿
写周期。我们必须回归到高状态的
最小恢复时间（t
WR
）之前，另一个周期可
发起。在OE控制信号应当保持inac-
略去（高）在写周期，以避免总线冲突。
然而，如果输出总线已经启用（ CE和
OE激活），那么我们将禁止在T输出
ODW
从
其下降沿。
数据保持方式
该DS1251Y为V全功能的能力
CC
大于4.5伏，写保护，通过近似
三方共同4.0伏。数据被保持在无
V
CC
无需任何额外的支持电路。非
挥发性静态RAM连续监视V
CC
。如若
电源电压衰减时， RAM自动写亲
tects本身。所有输入到RAM中成为“不关心”
所有输出为高阻抗。由于V
CC
瀑布下方
大约3.0伏时，功率开关的电路限制
nects锂能源到RAM中保留的数据。
在上电期间，当V
CC
高于约
3.0伏时，电源开关电路连接外部
V
CC
到RAM中，并断开锂电池
源。 V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.5伏。
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DS1251Y
隐含时钟
注册信息
幻影时钟信息包含在8
的8位，其中每一个寄存器是依次AC-
cessed 1位在64位模式之后的时间recogni-
化序列已经完成。当更新
幻时钟寄存器，每个寄存器必须han-
DLED中的8位数据组。写入和读取个人
在寄存器内的位可能会产生错误的结果。
这些读/写寄存器，在图2中所定义。
包含的隐含时钟寄存器数据是
二进制编码的十进制格式（ BCD ） 。阅读与令状
荷兰国际集团的寄存器总是实现步进
在所有八个寄存器，从寄存器0的位0
和结尾位寄存器7 7 。
隐含时钟寄存器定义
图1
7
BYTE 0
1
6
1
5
0
4
0
3
0
2
1
1
0
0
1
（十六进制）
价值
C5
1个字节
0
0
1
1
1
0
1
0
3A
2字节
1
0
1
0
0
0
1
1
A3
BYTE 3
0
1
0
1
1
1
0
0
5C
4个字节
1
1
0
0
0
1
0
1
C5
BYTE 5
0
0
1
1
1
0
1
0
3A
6字节
1
0
1
0
0
0
1
1
A3
7字节
0
1
0
1
1
1
0
0
5C
注意：
在十六进制的模式识别是C5 ， 3A ， A3 ， 5C ， C5 ， 3A ， A3 ， 5C 。这种模式的优势是意外地继承
cated并造成无意进入该隐含时钟小于1 10
19
。这个图案被发送到幻影
时钟LSB到MSB 。
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DS1251Y
隐含时钟寄存器定义
图2
注册
7
0
6
0.1秒
5
4
3
2
1
0.01秒
0
00–99
范围
（ BCD ）
1
0
10秒
秒
00–59
2
0
10分钟
分钟
00–59
3
12/24
0
10
A / P
HR
小时
01–12
00–23
4
0
0
OSC
RST
0
天
01–07
5
0
0
10日
日期
01–31
6
0
0
0
10
MONTH
MONTH
01–12
7
10年
YEAR
00–99
AM- PM / 12 / 24- MODE
位的时间寄存器的第7被定义为12或
24小时模式选择位。当高， 12小时模式
被选中。在12小时模式下，位5是AM / PM位
为逻辑高电平表示PM 。在24小时模式下，第5位是
第二个10小时位（ 20-23小时） 。
为逻辑0 ， RESET引脚低输入将导致
隐含时钟中止数据传输而无需改变
在手表寄存器中的数据。第5位控制振荡器。
当设置为逻辑1时，振荡器处于关闭状态。当设置为对数
集成电路0 ，振荡器接通和手表变得OP-
erational 。这些位从出厂设置为发货
逻辑1 。
振荡器和复位位
位4和5的天寄存器被用来控制
RESET和振荡器功能。第4位控制
RESET （引脚1 ） 。当RESET位被置为逻辑1，则
RESET输入引脚被忽略。当RESET位被置位
零比特
寄存器1 ，2，3 ，4，5 ，和6中包含的一个或多个位
这将始终读逻辑0。当写某些地区，这些
系统蒸发散，或者是逻辑1或0是可以接受的。
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DS1251Y
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-40 ° C至+ 70°C
260 ℃10秒（见注13 ）
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
对于延长的时间段的条件会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
输入逻辑1
输入逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
–0.3
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.3
+0.8
单位
V
V
V
（0℃至70℃ ）
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
V
IH
V
CC
输出电流@ 2.4伏
输出电流@ 0.4伏
待机电流CE = 2.2伏
待机电流CE =
V
CC
- 0.5伏特
工作电流吨
CYC
= 200纳秒
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CC01
民
–1.0
–1.0
–1.0
2.0
5.0
3.0
典型值
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 5V
±
10%)
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
mA
mA
10
5.0
85
mA
mA
mA
笔记
12
DC测试条件
输出是开放的;所有电压以地为参考。
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
5
5
最大
10
10
单位
pF
pF
(t
A
= 25°C)
笔记
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QQ：2881677436 复制
