【DS1250Y/AB4096K非易失SRAMwww.maxim-ic.com特点§§§§§§§§§§】,IC型号DS1250ABP-70,DS1250ABP-70 PDF资料,DS1250ABP-70经销商,ic,电子元器件-51电子网

DS1250Y/AB

4096K非易失SRAM

www.maxim-ic.com

特点

在10年来最低的数据保留

没有外部电源的

数据电源时自动保护

损失

替代512k ×8易失静态RAM，

EEPROM或闪存存储器

没有写次数限制

低功耗CMOS

读取和写入存取时间快70纳秒

锂能源电

断开，维持保鲜状态，直到电源

施加首次

满

±10%

工作范围（ DS1250Y ）

可选

±5%

工作范围

(DS1250AB)

可选的工业级温度范围

-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND

JEDEC标准的32引脚DIP封装

PowerCap模块（ PCM ）封装

- 表面贴装模块

- 可更换的即时安装PowerCap提供

备用锂电池

- 标准引脚所有非易失

SRAM产品

- 分离的PCM可以方便

去除用常规的螺丝起子

引脚分配

A18

A16

A14

A12

DQ0

DQ1

DQ2

GND

A15

A17

A13

A11

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

32 -PIN密封封装

740密耳EXTENDED

A18

A17

A14

A13

A12

A11

A10

A15

A16

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

DQ2

DQ1

DQ0

GND

GND V

BAT

34引脚PowerCap模块（ PCM ）

（使用DS9034PC POWERCAP ）

引脚说明

A0 - A18

DQ0 - DQ7

GND

1 11

- 地址输入

- 数据输入/输出

- 芯片使能

- 写使能

- 输出使能

- 电源（ + 5V ）

- 地面

- 无连接

101501

DS1250Y/AB

描述

在DS1250 4096K非易失性SRAM是4,194,304位，全静态非易失SRAM的组织结构

524,288字由8位。每个完整的NV SRAM均自带锂电池的能量来源，

控制电路连续监视V

对于超出容限。当这样的条件

发生时，锂电池便自动接通，写保护将无条件

使能，防止数据被破坏。 DIP封装的DS1250器件可以替代现有的512k x的使用

8静态RAM，符合通用的字节宽，32引脚DIP标准。在DS1250设备

PowerCap模块封装可以直接表面安装，并且通常与DS9034PC

PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。上有写的数量没有限制

能够被执行并且没有额外的支持电路需要与微处理器接口周期。

读取模式

在DS1250执行一个读周期时

（写使能）处于非活动状态（高）和

（芯片使能）

和

（输出使能）有效（低）。由19地址输入指定的唯一地址（A

）定义其中的524288个字节的数据是要被访问。有效的数据将提供给八个

T内的数据输出驱动器

加

（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，所提供的

和

（输出使能）访问时间还纳。如果

和

访问时间不满意，

然后数据访问必须从后面存在的信号测量（

）和限制参数

要么吨

为

或T

为

而不是地址的访问。

写模式

在DS1250执行一个写周期每当

和

信号有效（低电平）地址之后

输入是稳定的。的后面存在的下降沿

或WE将确定写周期的开始。

写周期是由早期的上升沿终止

。所有地址输入必须保持

有效整个写周期。

必须返回到高状态的最小恢复时间（t

)

前一个循环可被启动。该

控制信号应写在保持非活动状态（高）

周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（

和

活跃的），那么

将禁止在T输出

ODW

从它的下降沿。

数据保持方式

该DS1250AB为V全功能的能力

大于4.75伏，写保护了

4.5伏。该DS1250Y为V全功能的能力

大于4.5伏，并且写

保护由4.25伏。数据被保持在无Ⅴ的

无需任何额外的支持电路。

非易失性静态RAM，不断监视V

。如若电源电压衰减的NV SRAM的

自动写保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高

阻抗。由于V

低于约3.0伏下降时，功率开关电路将锂

能源到RAM中保留的数据。在上电期间，当V

上升到大约3.0伏，

所述电源开关电路连接外部V

RAM和断开锂电池的能量来源。

V后正常RAM操作就可以恢复

超过4.75伏的DS1250AB和4.5伏的

DS1250Y.

保鲜

每个DS1250设备从达拉斯半导体附带的锂电池能量源断开，

保证充分的能量的能力。当V

首先施加在一个水平大于4.25伏时，锂

能源是启用了备用电池操作。

2 11

DS1250Y/AB

套餐

该DS1250有两种封装： 32引脚DIP和34引脚PowerCap模块（ PCM ）。 32针

DIP集成了锂电池，一个SRAM存储器和非易失性控制功能到一个单一的

包装与JEDEC标准的600密耳DIP引脚排列。 34引脚PowerCap模块集成了SRAM

存储器和非易失性控制到一个模块基带触点沿着用于连接到所述锂

电池在DS9034PC的PowerCap 。 PowerCap模块封装的设计使DS1250 PCM

器件表面安装不实施其备用锂电池破坏性高

高温回流焊接。经过DS1250 PCM模块底座回流焊接，一个DS9034PC

的PowerCap卡扣在PCM上的顶部，以形成一个完整的非易失SRAM模块。该DS9034PC

用键，以防止不适当的依恋。 DS1250模块基地和DS9034PC PowerCaps排序

分别与装运在分开的容器。看到DS9034PC数据手册了解更多信息。

绝对最大额定值*

任何引脚相对地电压

工作温度

储存温度

焊接温度

-0.3V至+ 7.0V

0 ° C至70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件

-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件

260℃ 10秒

这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件

超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触

绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。

建议的直流工作条件

参数

DS1250AB电源电压

DS1250Y电源电压

逻辑1

逻辑0

符号

民

4.75

4.5

2.2

0.0

典型值

5.0

最大

5.25

5.5

+0.8

：见注10 ）

单位

笔记

直流电气

特征

参数

输入漏电流

I / O漏电流

输出电流@ 2.2V

输出电流@ 0.4V

待机电流

=2.2V

待机电流

-0.5V

工作电流

写保护电压（ DS1250AB ）

写保护电压（ DS1250Y ）

=5V

为DS1250AB 5％）

：见注10 ）（V

=5V

为DS1250Y 10％）

符号

CCS1

CCS2

CCO1

4.50

4.25

4.62

4.37

民

-1.0

2.0

200

600

150

4.75

4.5

典型值

最大

+1.0

单位

笔记

3 11

DS1250Y/AB

电容

参数

输入电容

输入/输出电容

符号

I / O

民

典型值

最大

=25°C)

单位

笔记

交流电气

特征

参数

读周期时间

存取时间

=5V

为DS1250AB 5％）

：见注10 ）（V

=5V

为DS1250Y 10％）

DS1250AB-70

DS1250Y-70

DS1250AB-100

DS1250Y-100

符号

加

COE

WR1

WR2

ODW

OEW

DH1

DH2

民

最大

民

100

最大

100

单位

笔记

到输出有效

100

输出高阻从取消选择

从地址变更输出保持

写周期时间

把脉冲宽度

地址建立时间

写恢复时间

输出高阻从

输出活动

数据建立时间

数据保持时间

4 11

DS1250Y/AB

读周期

见注1

写周期1

见注释2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8 ，和12

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