DS1225AB/AD
64K非易失SRAM
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特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
直接替换的8k x 8易失静态RAM
或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的28引脚DIP封装
读取和写入存取时间快70纳秒
锂能源电
断开，维持保鲜状态功耗
施加首次
±10 ％V
CC
工作范围（ DS1225AD ）
可选的± 5 ％V
CC
工作范围
(DS1225AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28引脚密封封装
720密耳EXTENDED
引脚说明
A0-A12
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
- 无连接
描述
该DS1225AB和DS1225AD是65,536位，全静态，组织成8192字的非易失性SRAM的
由8位。每个NV SRAM均自带锂电池能量源和控制电路，该电路
连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，锂
能量信号源自动切换，写保护将无条件使能，防止
数据损坏。对NV SRAM可以代替直接现有的8k x 8的SRAM符合的使用
流行的单字节宽， 28引脚DIP标准。该器件还符合2764 EPROM的引脚排列和
2864 EEPROM ，可直接替换并增强其性能。是没有限制的
能够被执行并且没有额外的支持电路所需的写入周期的次数
微处理器接口。
1 10
111899
DS1225AB/AD
读取模式
该DS1225AB和DS1225AD执行一个读周期，每当我们（写使能）处于非活动状态（高）和
CE（片选）和OE （输出使能）有效（低） 。由13指定的唯一地址
地址输入（A
0
-A
12
）定义其中的8192个字节的数据是要被访问。有效数据将被
提供给内吨八个数据输出驱动器
加
（访问时间）后的最后一个地址输入信号是
稳定，提供了CE和OE访问时间还纳。如果CE和OE访问时间都没有
满足，则数据存取，必须从后面存在的信号测量和限制参数是
要么吨
CO
对于CE或T
OE
为OE ，而不是地址的访问。
写模式
该DS1225AB和DS1225AD执行一个写周期时在WE和CE信号有效
（低）后，地址输入稳定。 CE的后来发生的下降沿，否则我们将确定
开始写周期。写周期是由CE或WE的早期上升沿终止。所有地址
输入必须保持有效的整个写周期。我们必须回归到高状态最低
恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。在OE控制信号应当保持不活跃
（高）在写周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（ CE和
OE激活），那么我们将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1225AB为V全功能的能力
CC
大于4.75伏，写保护了
4.5伏。该DS1225AD为V全功能的能力
CC
大于4.5伏，并且写
保护由4.25伏。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。
非易失性静态RAM，不断监视V
CC
。如若电源电压衰减的NV SRAM的
自动写保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高
阻抗。由于V
CC
低于约3.0伏下降时，功率开关电路将锂
能源到RAM中保留的数据。在上电期间，当V
CC
上升到大约3.0伏，
所述电源开关电路连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。
V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.75伏的DS1225AB和4.5伏的
DS1225AD.
保鲜
每个DS1225是从达拉斯半导体附带断开锂电池的能量来源，
保证充分的能量的能力。当V
CC
首先施加在更大的电平比V
TP
中，锂
能量源使能电池备份操作。
2 10
DS1225AB/AD
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0℃至70 ℃; -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70°C ; -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS1225AB电源电压
DS1225AD电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
4.50
2.2
0.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.25
5.5
V
CC
+0.8
(T
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE > V
IH
＆ LT ; V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流CE = 2.2V
待机电流CE = V
CC
-0.5V
工作电流吨
CYC
= 200纳秒
（商业）
工作电流吨
CYC
= 200纳秒
（工业级）
写保护电压
(DS1225AB)
写保护电压
(DS1225AD)
符号
I
IL
民
-1.0
(V
CC
= 5V为DS1225AB ± 5 ％ ）
(T
A
：见注10 ）
(V
CC
= 5V ±10％的DS1225AD ）
典型值
最大
+1.0
单位
A
A
笔记
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CC01
I
CC01
V
TP
V
TP
-1.0
-1.0
2.0
5.0
3.0
+1.0
10.0
5.0
75
85
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
4.50
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
5
5
最大
10
10
(T
A
=25°C)
单位
pF
pF
笔记
3 10
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