DS1220Y
16K非易失SRAM
www.dalsemi.com
特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
直接取代2K ×8易失静态RAM
或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的24引脚DIP封装
读取和写入存取时间快100纳秒
±10 ％的工作范围
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
24引脚密封封装
720密耳EXTENDED
引脚说明
A0-A10
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
描述
该DS1220Y 16K非易失SRAM是16,384位，全静态非易失性组织为2048的RAM
字由8位。每个NV SRAM均自带锂电池能量源和控制电路，该电路
连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，锂
能量信号源自动切换，写保护将无条件使能，防止
数据损坏。该NV SRAM可以直接代替现有的2K ×8的SRAM符合的使用
流行的单字节宽， 24引脚DIP标准。该DS1220Y也符合2716 EPROM的引出线或
在2816 EEPROM ，可直接替换并增强其性能。是没有限制的
能够被执行并且没有额外的支持电路所需的写入周期的次数
微处理器接口。
1第8
111899
DS1220Y
读取模式
该DS1220Y执行一个读周期，每当我们（写使能）处于非活动状态（高）和CE （芯片
使能）和OE （输出使能）有效（低） 。由11地址输入指定的唯一地址
（A0 -A10 ）定义其中的2048个字节的数据是要被访问。有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
该CE和OE访问时间还纳。如果CE和OE访问时间不满意，那么数据
访问必须从后面存在的信号测量和限制参数是任一吨
CO
为CE或
t
OE
为OE ，而不是地址的访问。
写模式
在DS1220Y地址之后执行一个写周期时在WE和CE信号有效（低电平）
输入是稳定的。 CE的后来发生的下降沿，否则我们将确定写的开始
周期。写周期是由CE或WE的早期上升沿终止。所有地址输入必须是
保持有效的整个写周期。我们必须回归到高状态的最小恢复时间
(t
WR
）另一个循环之前可以启动。在OE控制信号应当在保持非活动状态（高）
写周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（ CE和OE激活）
然后，我们将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1220Y为V全功能的能力
CC
大于4.5伏，写保护为4.25
标称。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。该
DS1220Y连续监视V
CC
。如果电源电压衰减，在NV SRAM自动写入
保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高阻抗。由于V
CC
瀑布
约低于3.0伏时，功率开关电路将锂电池到RAM ，以
保留的数据。在上电期间，当V
CC
上升到高于约3.0伏时，电源开关电路
连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。可以正常RAM操作
V后恢复
CC
超过4.5伏。
2第8
DS1220Y
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0
°
C至70
°
C; -40
°
C至+ 85
°
下IND件
-40
°
C至+70
°
C; -40
°
C至+ 85
°
下IND件
260
°
下10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
输入逻辑1
输入逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.8
(T
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流CE = 2.2V
待机电流CE = V
CC
-0.5V
工作电流吨
CYC
= 200ns的
（商业）
工作电流吨
CYC
=200ns
（工业级）
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
民
-1.0
-1.0
(T
A
：见注10 ; V
CC
= 5V ± 10%)
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
笔记
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
I
CCO1
V
TP
-1.0
2.0
3.0
2.0
7.0
4.0
75
85
4.25
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
5
5
最大
10
12
(T
A
= 25°C)
单位
pF
pF
笔记
3 8
DS1220Y
读周期
见注1
写周期1
见注释2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8 ，12
写周期2
见注释2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8和13
5 8
DS1220AB/AD
16K非易失SRAM
www.dalsemi.com
特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
直接取代2K ×8易失静态RAM
或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的24引脚DIP封装
读取和写入存取时间快100纳秒
锂能源电
断开，维持保鲜状态功耗
施加首次
±10 ％V
CC
工作范围（ DS1220AD ）
可选的± 5 ％V
CC
工作范围
(DS1220AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
24引脚密封封装
720密耳EXTENDED
引脚说明
A0-A10
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
描述
该DS1220AB和DS1220AD 16K非易失性SRAM是16,384位，全静态非易失SRAM的
由8位， 2048字。每个NV SRAM均自带锂电池及
控制电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这样的条件
发生时，锂电池便自动接通，写保护将无条件
使能，防止数据被破坏。该NV SRAM可以替代现有的2K ×8的SRAM的使用
直接符合流行的单字节宽， 24引脚DIP标准。该器件还符合的引脚排列
在2716 EPROM和EEPROM 2816 ，可直接替换并增强其性能。
有上，能够被执行而没有任何额外的支持电路的写入周期的数量没有限制
所需的微处理器接口。
1 9
111899
DS1220AB/AD
读取模式
该DS1220AB和DS1220AD执行一个读周期，每当我们（写使能）处于非活动状态（高）和
CE（片选）和OE （输出使能）有效（低） 。由11指定的唯一地址
地址输入端（A0 -A10 ）定义其中的2048个字节的数据是要被访问。有效数据将被
提供给内吨八个数据输出驱动器
加
（访问时间）后的最后一个地址输入信号是
稳定，提供了CE和OE访问时间还纳。如果CE和OE访问时间都没有
满足，则数据存取，必须从后面存在的信号测量和限制参数是
要么吨
CO
对于CE或T
OE
为OE ，而不是地址的访问。
写模式
该DS1220AB和DS1220AD执行一个写周期时在WE和CE信号有效（低电平）
地址后输入是稳定的。后者出现下降CE的边缘，否则我们将确定的开始
写周期。写周期是由CE或WE的早期上升沿终止。所有地址输入
必须保持有效的整个写周期。我们必须回归到高状态的最小恢复
时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。在OE控制信号应保持无效（高）
在写周期，以避免总线竞争。但是，如果启用输出驱动器（ CE和OE
活跃的），那么我们将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1220AB为V全功能的能力
CC
大于4.75伏，写保护了
4.5V 。该DS1220AD为V全功能的能力
CC
大于4.5伏，写保护
由4.25V 。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。该
非易失性静态RAM，不断监视V
CC
。如若电源电压衰减的NV SRAM的
自动写保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高
阻抗。由于V
CC
低于约3.0伏下降时，功率开关电路将锂
能源到RAM中保留的数据。在上电期间，当V
CC
上升到大约3.0伏，
所述电源开关电路连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。
V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.75伏的DS1220AB和4.5伏的
DS1220AD.
保鲜
每个DS1220设备从达拉斯半导体附带的锂电池能量源断开，
保证充分的能量的能力。当V
CC
首先施加在更大的电平比V
TP
中，锂
能量源使能电池备份操作。
2 9
DS1220AB/AD
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0℃至70 ℃; -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70°C ; -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
DS 1220AB电源电压
DS 1220AD电源电压
逻辑1
逻辑0
符号最小典型最大
V
CC
4.75 5.0
5.25
V
CC
4.50 5.0
5.50
V
IH
2.2
V
CC
V
IL
0.0
+0.8
(T
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流CE
=
2.2V
待机电流CE
=
V
CC
-0.5V
工作电流吨
CYC
= 200纳秒
（商业）
工作电流吨
CYC
=200ns
（工业级）
写保护电压
(DS1220AB)
写保护电压
(DS1220AD)
(V
CC
=5V
±
为DS1220AB 5％）
(T
A
：见注10 ）
(V
CC
=5V
±
对于DS1220AD 10％）
单位
A
A
笔记
符号最小典型最大
-1.0
I
IL
+1.0
-1.0
+1.0
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CC01
I
CCO1
V
TP
V
TP
-1.0
2.0
5.0
3.0
10.0
5.0
75
85
4.5
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号最小典型最大
C
IN
5
10
C
I / O
5
12
(T
A
=25°C)
单位
pF
pF
笔记
3 9
DS1220AB/AD
AC电气特性
参数
(V
CC
=5.0V
±
为DS1220AB 5％）
(T
A
:
见注10 ）
(V
CC
=5.0V
±
对于DS1220AD 10％）
笔记
读周期时间
存取时间
OE到输出有效
CE到输出有效
OE或CE到输出有效
输出高阻从
取消选择
从地址输出保持
变化
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
输出高从WE
输出WE活动
数据建立时间
数据保持时间
DS1220AB - 100 DS1220AB -120
SYMBOL DS1220AD -100 DS1220AD -120单位
民
最大
民
最大
t
RC
100
120
ns
t
加
100
120
ns
50
t
OE
60
ns
100
t
CO
120
ns
5
t
COE
5
ns
35
t
OD
35
ns
5
5
t
OH
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
5
100
75
0
0
10
35
5
40
0
10
5
120
90
0
0
10
35
5
50
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
12
13
5
4
4
12
13
4 9
DS1220AB/AD
AC电气特性
参数
DS1220AB -150 DS1220AB -200
SYMBOL DS1220AD -150 DS1220AD -200单位
民
最大
民
最大
t
RC
150
200
ns
t
加
150
200
ns
70
100
ns
t
OE
150
t
CO
200
ns
5
t
COE
5
ns
35
t
OD
35
ns
（续）
笔记
读周期时间
存取时间
OE到输出有效
CE到输出有效
OE或CE到输出有效
输出高阻从
取消选择
从地址输出保持
变化
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
输出高阻从WE
输出WE活动
数据建立时间
数据保持时间
5
5
t
OH
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
5
150
100
0
0
10
35
5
60
0
10
5
200
150
0
0
10
35
5
50
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
12
13
5
4
4
12
13
5 9
DS1220Y
16K非易失SRAM
www.dalsemi.com
特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
直接取代2K ×8易失静态RAM
或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS
JEDEC标准的24引脚DIP封装
读取和写入存取时间快100纳秒
±10 ％的工作范围
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ，指定为IND
引脚分配
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
24引脚密封封装
720密耳EXTENDED
引脚说明
A0-A10
DQ0-DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源（ + 5V ）
- 地面
描述
该DS1220Y 16K非易失SRAM是16,384位，全静态非易失性组织为2048的RAM
字由8位。每个NV SRAM均自带锂电池能量源和控制电路，该电路
连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，锂
能量信号源自动切换，写保护将无条件使能，防止
数据损坏。该NV SRAM可以直接代替现有的2K ×8的SRAM符合的使用
流行的单字节宽， 24引脚DIP标准。该DS1220Y也符合2716 EPROM的引出线或
在2816 EEPROM ，可直接替换并增强其性能。是没有限制的
能够被执行并且没有额外的支持电路所需的写入周期的次数
微处理器接口。
1第8
111899
DS1220Y
读取模式
该DS1220Y执行一个读周期，每当我们（写使能）处于非活动状态（高）和CE （芯片
使能）和OE （输出使能）有效（低） 。由11地址输入指定的唯一地址
（A0 -A10 ）定义其中的2048个字节的数据是要被访问。有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
该CE和OE访问时间还纳。如果CE和OE访问时间不满意，那么数据
访问必须从后面存在的信号测量和限制参数是任一吨
CO
为CE或
t
OE
为OE ，而不是地址的访问。
写模式
在DS1220Y地址之后执行一个写周期时在WE和CE信号有效（低电平）
输入是稳定的。 CE的后来发生的下降沿，否则我们将确定写的开始
周期。写周期是由CE或WE的早期上升沿终止。所有地址输入必须是
保持有效的整个写周期。我们必须回归到高状态的最小恢复时间
(t
WR
）另一个循环之前可以启动。在OE控制信号应当在保持非活动状态（高）
写周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（ CE和OE激活）
然后，我们将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1220Y为V全功能的能力
CC
大于4.5伏，写保护为4.25
标称。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。该
DS1220Y连续监视V
CC
。如果电源电压衰减，在NV SRAM自动写入
保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高阻抗。由于V
CC
瀑布
约低于3.0伏时，功率开关电路将锂电池到RAM ，以
保留的数据。在上电期间，当V
CC
上升到高于约3.0伏时，电源开关电路
连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。可以正常RAM操作
V后恢复
CC
超过4.5伏。
2第8
DS1220Y
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0
°
C至70
°
C; -40
°
C至+ 85
°
下IND件
-40
°
C至+70
°
C; -40
°
C至+ 85
°
下IND件
260
°
下10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
输入逻辑1
输入逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.8
(T
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流CE = 2.2V
待机电流CE = V
CC
-0.5V
工作电流吨
CYC
= 200ns的
（商业）
工作电流吨
CYC
=200ns
（工业级）
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
民
-1.0
-1.0
(T
A
：见注10 ; V
CC
= 5V ± 10%)
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
笔记
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
I
CCO1
V
TP
-1.0
2.0
3.0
2.0
7.0
4.0
75
85
4.25
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
民
典型值
5
5
最大
10
12
(T
A
= 25°C)
单位
pF
pF
笔记
3 8
DS1220Y
读周期
见注1
写周期1
见注释2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8 ，12
写周期2
见注释2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8和13
5 8
QQ：2880707522 复制
