DS1217M
DS1217M
非易失性读/写墨盒
特点
引脚分配
名字
地
+5伏
写使能
地址13
地址8
地址9
地址11
OUTPUT ENABLE
地址10
墨盒启用
数据I / O 7
数据I / O 6
数据I / O 5
数据I / O 4
数据I / O 3
位置
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
B9
B10
B11
B12
B13
B14
B15
名字
无连接
地址14
地址12
地址7
地址6
地址5
地址4
地址3
地址2
地址1
地址0
数据I / O 0
数据I / O 1
数据I / O 2
地
N
用户导入
数据保存期大于5年以上
容量高达512K ×8
标准
单字节宽，引出线方便连接
通过带状电缆JEDEC 28引脚DIP
银行保持32× 8 JEDEC
28引脚兼容
软件控制
多个盒可以驻留在一个公共总线
自动
写保护电路保障
防止数据丢失
手动开关无条件地保护数据
紧凑的尺寸和形状
坚固耐用
0° C至70 ° C的宽工作温度范围
3”
A1
B1
见机甲。图科
描述
该DS1217M是一个非易失性RAM设计用于porta-
需要坚固耐用的封装BLE应用
年龄。非易失性碳粉盒存储容量
从64K ×8到512K X 8盒的访问
连续的32K字节的银行。行切换accom-
通过模式识别软件的控制下plished
从地址总线。一种卡缘连接器是必需的
用于连接到主机系统。一个标准的30针连接
接器，可用于直接安装到印刷电路
板。可替换地，远程安装可以是accom-
plished一个带状电缆端接一个28引脚DIP
插头。远程方法可用于改造现有
具有JEDEC 28针单字节宽，记忆系统
站点。
030598 1/8
DS1217M
读取模式
该DS1217M执行一个读周期，每当我们
（写使能）处于非活动状态（高）和CE （盒恩
能）有效（低电平） 。由指定的唯一地址
地址输入（ A0 - A14 ）定义数据的字节
要被访问。有效的数据将提供给八个
T内的数据I / O引脚
加
（访问时间）的最后一个AD-后
礼服的输入信号是稳定的，提供了CE（盒
使能）和OE （输出使能）的存取时间也
满意。如果OE和CE次都不满意，那么数据
访问必须从晚发生的信号来测量
（CE或OE ）和限制性参数是吨
CO
为
CE或T
OE
为OE ，而不是地址的访问。读
周期只能发生在V
CC
大于4.5
伏。当V
CC
小于4.5伏，该存储器是可以在
禁止的，所有的访问都将被忽略。
源。 V后正常RAM操作就可以恢复
CC
超过4.5伏。
该DS1217M检查电池状态，以警告潜在的
数据丢失。每次使V
CC
电源恢复到
盒中的电池电压，检查用精密
比较器。如果电池电源电压低于2.0伏时，
第二存储器周期被抑制。电池状态
能，因此，通过执行一个读出确定
在上电之后的任何位置中的存储器周期，录音
荷兰国际集团的内存位置的内容。随后写
周期可以被执行以相同的存储器地址
化，改变的数据。如果下一个读周期未能核实
写入数据时，存储器中的内容是question-
能。
在许多应用中，数据的完整性是非常重要的。该
盒因而具有备用电池和一个内部
隔离开关，其提供了两个连接
电池。在电池后备时间，电池用
最高电压被选择使用。如果一个电池
出现故障，另一个就会自动接管。开关
电池间是对用户透明的。电池
如果两块电池都不太地位警告将只发生
超过2.0伏。
写模式
该DS1217M是在写模式下，每当两
WE和CE信号在后AD-的有效（低电平）状态
裙输入是稳定的。在过去发生的下降沿
无论是CE或WE将决定写开始
周期。写周期是由第一崛起终止
CE或WE的边缘。所有地址输入必须是
保持有效的整个写周期。我们必须回归到
高状态的最小恢复时间（t
WR
）前
另一周期可以initiated.The OE控制信号
应保持无效（高）在写周期到
避免总线冲突。然而，如果输出总线具有
已启用（ CE和OE激活），那么我们将禁止
在吨的输出
ODW
从它的下降沿。写周期
只能在出现V
CC
大于4.5伏。当
V
CC
小于4.5伏特，内存是写亲
tected 。
银行交换
行切换通过地址线来完成A8 ，
A9 ， A10 ，和A11 。最初，在上电时所有银行是否变形
选择的，以使多个墨盒可以驻留在一个COM
周一总线。银行交换需要预定巳
64位的燕鸥匹配测序4地址
输入（通过A8 A11 ），而忽略了其他的16倍
地址输入。在进入64位模式这
将设置带开关， 1111读周期（地址
通过A11输入A8）必须被执行以保证
该图案条目开始与第一组的3比特。每
组的地址输入端被输入到DS1217M由
执行读旋回第11次循环必须
匹配的精确位模式如表2所示的最后一个
五个周期必须寻址的精确位模式匹配
ES A9 ， A10 ， A11和。但是，地址线8定义
其中， 16家银行将被启用，或者所有银行都
取消选择，按表3切换从一个银行
另一个发生在最后的16个读周期是的COM
pleted 。单个存储区的选择在任何一个时间。一个SE-
lected银行将继续有效，直到一个新的银行是SE-
lected ，所有银行都取消，或在电源丢失。
（参见DS1222 BankSwitch芯片的数据手册DE-更多
尾。 ）
数据保持方式
非易失性墨盒提供了完整的功能capa-
相容性的V
CC
大于4.5伏，写保证
保护V
CC
小于4.5伏。数据就会维持
tained在没有Ⅴ的
CC
没有任何额外的支持
接口电路。该DS1217M连续监视V
CC
.
应的电源电压的衰减，RAM是automati-
美云写保护低于4.5伏。由于V
CC
瀑布下方
大约3.0伏时，功率开关的电路限制
nects锂能源到RAM中保留的数据。
在上电期间，当V
CC
高于约
3.0伏时，功率开关电路将克斯特
最终V
CC
到RAM中，并断开锂电池
030598 2/8
DS1217M
远程连接通过带状
电缆
其中包含28引脚单字节宽， sock-现有系统
ETS可以使用28引脚DIP插件进行改装。该DIP
插头，安普零件编号746616-2 ，可以插入到
内存后， 28引脚的网站被删除。连接
在墨盒通过28针电缆是否完成
可连接到30接触卡边缘连接器， AMP料
数499188-4 。 28针带状电缆必须是
右对齐，这样， A1和B1的位置是左显示
连接。对于应用程序，墨盒IN-
停滞或断开电源应用，无论是地面CON-
上的卡边缘连接器触点（ A1和B1 ）应
接地，以进一步提高数据的完整性。访问时间
顶出可能发生的CAR-之间的距离
盒和所述驱动电路的增大。
盒NUMBERING
表1
产品型号
DS1217M 1 / 2-25
DS1217M 1-25
DS1217M 2-25
DS1217M 3-25
DS1217M 4-25
密度
64K ×8
128K ×8
156K ×8
384K ×8
512K ×8
银行号
2
4
8
12
16
地址输入模式
表2
地址
输入
A8
A9
A10
A11
X =见表3
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
2
1
0
1
0
3
0
1
0
1
4
0
1
0
1
5
0
1
0
1
比特序列
6
7
8
9
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
1
1
1
0
10
0
0
0
1
11
X
0
1
0
12
X
0
1
0
13
X
0
1
0
14
X
1
0
1
15
X
1
0
1
银行选择表
表3
银行
选
银行关闭
BANK 0
银行1
2银行
3银行
4银行
5银行
6银行
11
0
1
1
1
1
1
1
1
A8位序列
12
X
0
0
0
0
0
0
0
13
X
0
0
0
0
1
1
1
14
X
0
0
1
1
0
0
1
15
X
0
1
0
1
0
1
0
银行
7银行
8银行
9银行
10银行
11银行
12银行
13银行
14银行
15银行
1
1
1
1
1
1
1
1
1
A8位序列
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
030598 3/8
DS1217M
绝对最大额定值*
在连接相对地电压
工作温度
储存温度
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-40 ° C至+ 70°C
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
对于延长的时间段的条件会影响其可靠性。
建议的直流操作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.2
0.0
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.8
单位
V
V
V
（0℃至70℃ ）
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE > V
IH
＆ LT ; V
CC
输出电流@ 2.4V
输出电流@ 0.4V
待机电流CE = 2.2V
工作电流
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCO1
民
-60
-10
-1.0
2.0
-2.0
3.0
15
50
典型值
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 5V
±
10%)
最大
+60
+10
单位
A
A
mA
mA
25
100
mA
mA
笔记
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
OUT
民
典型值
最大
100
100
单位
pF
pF
(t
A
=25°C)
笔记
030598 4/8
DS1217M
非易失性读/写墨盒
www.maxim-ic.com
概述
该DS1217M是一个非易失性RAM设计用于
需要坚固耐用的便携式应用
封装。非易失盒具有记忆
从64K ×8到512K X 8盒容量
在连续的32K字节的银行存取。银行
切换是通过在软件控制下完成
模式识别的地址总线。 A卡
边缘连接器需要连接到主机
系统。一个标准的30针连接器可用于
直接安装到印刷电路板上。另外，
远程安装可以完成与丝带
电缆，端部带28引脚DIP插件。远程
方法可用于改造现有的系统中那
有JEDEC 28引脚单字节宽纪念地。
特点
用户可插入
数据保存期大于5年以上
容量为512K ×8
标准字节宽度引脚功能有助于
连接JEDEC 28引脚DIP通过
带状电缆
软件控制的银行保持32× 8
JEDEC 28引脚兼容性
多个墨盒可以驻留在一个共同的
公共汽车
自动写保护电路
防止数据丢失保障
手动开关无条件地保护数据
紧凑的尺寸和形状
坚固耐用
工作温度范围： 0 ° C至+ 70°C
订购信息
部分
DS1217M
温度范围
0 ° C至+ 70°C
PIN- PACKAGE
30盒
引脚配置
顶视图
封装图纸出现在数据资料的最后。
注意：
该器件的一些修订可能偏离称为勘误表公布的规格。任何器件的多个版本
可能同时获得通过不同的销售渠道。欲了解器件勘误表的信息，请点击这里：
www.maxim-ic.com/errata 。
1第8
REV ： 111803
DS1217M非易失性读/写墨盒
绝对最大额定值
在连接相电压范围对地
工作温度范围
存储温度范围
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 70°C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
条件
民
4.5
2.2
0
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.8
单位
V
V
V
DC电气特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
V
IH
V
CC
输出电流在2.4V
输出电流在0.4V
待机电流
CE
= 2.2V
工作电流
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCO1
条件
民
-60
-10
-1.0
+2.0
-2.0
+3.0
15
50
25
100
典型值
最大
+60
+10
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
(T
A
= +25°C)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
OUT
条件
民
典型值
最大
100
100
单位
pF
pF
2第8
DS1217M非易失性读/写墨盒
AC电气特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= 0 ° C至+ 70°C ）。
参数
读周期时间
存取时间
OE
到输出有效
CE
到输出有效
OE
or
CE
到输出有效
输出高阻从
取消选择
从地址输出保持
变化
阅读恢复时间
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
写恢复时间
输出高阻从
WE
输出活动
WE
数据建立时间
数据保持时间从
WE
符号
t
RC
t
加
t
OE
t
CO
t
COE
t
OD
t
OH
t
RR
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
（注3）
5
100
20
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
5
40
250
170
0
20
100
5
125
条件
民
250
250
125
210
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1 ：
注2 ：
注3 ：
这些参数进行采样，用5pF的负载和不是100 ％测试。
t
WP
被指定为逻辑与
CE
和
WE
t
WP
是从后者测
CE
or
WE
变低到的更早
CE
or
WE
要高。
t
DH
, t
DS
测定形式的早期
CE
or
WE
要高。
3 8
DS1217M非易失性读/写墨盒
掉电/上电条件
掉电/上电时序
(T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
CE
在V
IH
掉电前
V
CC
摆在4.5V至0
（CE在V
IH
)
V
CC
转换为0 4.5V
（CE在V
IH
)
CE
在V
IH
上电后
(T
A
= +25°C)
参数
预计数据保留
时间
符号
t
DR
条件
（注10 ）
民
5
典型值
最大
单位
岁月
符号
t
PD
t
F
t
R
t
REC
（注9 ）
条件
（注9 ）
民
0
100
0
2
125
典型值
最大
单位
s
s
s
ms
警告：
在任何情况下都是阴性下冲时，允许该设备在任何振幅的
电池备份模式。
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
注9 ：
注10 ：
WE
高一读周期。
OE
= V
IH
或V
IL
。如果
OE
= V
IH
在写周期中，输出缓冲器保持在高阻抗状态。
如果
CE
同时或稍后出现较低电平的转换
WE
在写周期1高的转变，即输出缓冲器保持
在此期间，一个高阻抗状态。
如果
CE
高的跳变发生之前或同时用
WE
在写周期1高电平跳变，输出缓冲器保持在
在此期间，高阻抗状态。
If
WE
较低或
WE
低转变发生之前或同时，在CE低过渡时，输出缓冲器保持在高
在此期间阻抗状态。
卸下和安装与应用可能会干扰数据电源盒。
每个DS1217M我smarked有一个4位数的密码AABB 。机管局表示制造年份。 BB指定的一周
制造。预计吨
DR
被定义为起始于制造日期。这个参数是有保证的组件选择，
过程控制和设计。它不是在生产测试直接测量。
5 8
QQ：2881677436 复制
