DS1213B
SmartSocket 16K / 64K
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特点
接受标准的2K ×8或8K ×8 CMOS
静态RAM
内置锂电池保留RAM
数据
自包含的电路保障数据
数据保持时间为10年以上
适当的RAM选择
IC插座许可证升级，从2K ×8到
8K RAM
成熟的气密插座触点
工作温度范围0 ° C至70℃
引脚分配
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
GND 14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
V
CC
CE
28引脚智能插座
引脚说明
- 空调芯片使能
V
CC
- 开关V
CC
GND
- 地面
所有引脚除了20,26和28通过。
CE
描述
该DS1213B SmartSocket是28引脚， 600密耳DIP插座带有内置的CMOS控制电路和
嵌入式锂能源。它接受或者24针2K ×8 （下对齐）或28引脚8K ×8
JEDEC单字节宽， CMOS静态RAM 。当插座相配用的CMOS RAM中，它提供了一个
完整的解决方案与存储的波动性相关的问题。智能编程监视进入
V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，内部锂电池的能量来源是
自动接通，写保护将无条件使能，防止数据被破坏。
由于SRAM采用SmartSocket节省印刷电路板空间/ SmartSocket组合
不占用比单独的SRAM的更多区域。该SmartSocket只修改针脚20 ， 26和28 ，以
nonvolatize的RAM 。所有其他引脚均通过直通。
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022900
DS1213B
手术
该DS1213B SmartSocket执行5需要后备电池的CMOS存储器电路的功能。
第一功能包括电池和V之间切换
CC
供应，这取决于哪个是
更大的。该开关具有小于0.2伏特的电压降。
第二个功能是电源故障检测。该DS1213B持续监视V
CC
供应量。当
V
CC
低于4.75伏，精密比较器检测的条件，并抑制在RAM芯片
启用。
第三个功能，写保护，是通过保持RAM芯片来实现使能信号，以在0.2
V的电压
CC
或电池供电取较大值。如果传入的芯片使能信号处于激活状态的
一次电源故障检测时，写保护将延迟到以后当前存储周期
完全避免数据损坏。电源故障检测发生在4.75至4.5伏特的范围内。中
标称供电条件的芯片使能信号将被从插座引脚到穿过
为20 ns的最大传播延迟的插座接触部。
第四个功能DS1213B执行是检查电池状态，以警告潜在的数据丢失。每
时间V
CC
电源恢复到SmartSocket电池电压检查与精度
比较器。如果电池电源电压低于2.0伏时，对SmartSocket所述第二存储器存取是
抑制。电池状态可以，因此，可以通过三个步骤的过程来确定。首先，一个读周期是
执行以在所述存储器中的任何位置，以保存该位置的内容。随后
写周期可以被执行以相同的存储器位置，从而改变该数据。如果下一个读周期
无法验证写入的数据，则电池电压低于2.0V和数据处于成为危险
损坏。
第五个功能SmartSocket提供的是电池的冗余。在许多应用中，数据的完整性是
最重要的。在这些应用中，理想的是使用两个电池，以确保可靠性。该DS1213B
SmartSocket提供了两个电池和一个内部隔离开关，以在它们之间进行选择。中
备用电池，该电池具有最高电压被选择使用。如果一个电池出现故障，则其它
自动接管。电池之间的切换是对用户透明的。电池状态警告
会发生，如果两个电池是小于2.0伏。每两个内部锂电池具有45毫安
的能力。
注意：
由于运到达拉斯半导体，电池电压不能在V测
CC
插座的接触。
只有在V
CC
已经施加到器件的第一次，然后，将取出的电池电压
存在于插座触点28 ， 26和20 。
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DS1213B
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-40 ° C至+ 70°C
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
PIN 26 L， PIN 28 L
电源电压
逻辑1 PIN 20升
逻辑0引脚20升
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.75
2.2
-0.3
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+0.3
+0.8
（0℃至70℃ ）
°
°
单位
V
V
V
笔记
1,3
1,3
1,3
DC电气特性
参数
PIN 26 L， PIN 28 L
电源电流
PIN 26 U， 28 PIN ü
电源电压
PIN 26 U， 28 PIN ü
电源电流
PIN 20升
CE
输入漏
PIN 20单位
CE
输出2.4V @
PIN 20单位
CE
输出4V @
符号
I
CC
V
CCO
I
CCO
I
IL
I
OH
I
OL
-1.0
-1.0
民
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
= 4.75 5.5V ）
°
°
典型值
最大
5
单位
mA
V
80
+1.0
4.0
mA
A
mA
mA
笔记
3,4,5
1,3,8
3,8
3,4
2,3
2,3
V
CC
-0.2
DC电气特性
参数
引脚20输出
PIN 26 U， 28 PIN ü
电池电流
PIN 26 U， 28 PIN ü
电池电压
符号
V
OHL
I
BAT
V
BAT
2
3
民
V
CC
-0.2
V
BAT-
0.2
典型值
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
＆ LT ; 4.5V ）
°
°
最大
单位
V
A
V
笔记
1,3
3,6
1,3
1
3.6
电容
参数
输入电容PIN 20升
输出电容PIN 20单位
符号
C
IN
C
OUT
民
典型值
最大
5
7
单位
pF
pF
(T
A
= 25°C)
°
笔记
3
3
3 7
DS1213B
时序图： POWER- UP
警告：
在任何情况下都是负面的下冲任幅度，允许当设备处于电池
备份模式。
水洗助焊剂去除会放电内置锂源，因为暴露电压引脚
都存在。
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2.测带负载，如图1 。
3.脚位置指定为“ U” （为上） ，当一个参数的定义是指插座
插座和“L” （对于低级）时的参数的定义是指在插座引脚上。
4.无内存插槽插入。
5.引脚26 L可以连接到V
CC
或留在PC板断开。
6. I
BAT
是最大负载电流正确安装的内存可以在数据保留使用
模式，满足超过10年的数据保存期望在25 ℃。
7. t
CE
最大。必须得到满足，以确保断电数据的完整性。
8. V
CC
是内标称范围和存储器安装在插槽中。
9.输入脉冲的上升和下降时间等于10纳秒。
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