DS1212
非易失控制器X 16芯片
www.dalsemi.com
特点
转换全CMOS RAM为非易失性
内存
无条件写保护时， V
CC
is
OUT宽容
自动切换到电池时，
电源故障OCCURS
4至16解码器可控制多达16个
CMOS RAM中
消耗电池的小于100 nA的
当前
测试电池状态上电
提供冗余电池
电源故障信号可以被用来中断
处理器供电故障
可选的5 ％或10 ％的电源失效检测
可选择28引脚PLCC表面贴装
包
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C
引脚分配
VBAT1
VCCO
托尔
PF
CE15
CE14
CE13
CE12
CE11
D
C
B
A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCCI
VBAT2
CE
CE0
CE1
CE2
CE3
CE4
CE5
CE6
CE7
CE8
CE9
CE10
28引脚DIP （ 600密耳）
见机甲。图科
PF
托尔
VCCO
VBAT1
VCCI
VBAT2
CE
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
12
13
14
15
16
17
18
引脚说明
A， B，C ，D
CE
CE0
-
CE15
GND
V
BAT1
V
BAT2
托尔
V
CCI
V
CCO
PF
- 地址输入
- 芯片使能
- 芯片使能输出
- 地面
- +电池1
- +电池2
- 电源容差
- + 5V电源
- 内存供应
- 电源故障
CE15
CE14
CE13
CE12
CE11
D
C
5
6
7
8
9
10
11
CE0
CE1
CE2
CE3
CE4
CE5
CE6
28引脚PLCC
见机甲。图科
描述
在DS1212非易失控制器x16的芯片是CMOS电路，解决的应用问题
将CMOS RAM中到非易失性存储器。输入电源监视一个彻头彻尾的OF-
宽容的条件。当检测到这样的条件，该芯片能够被抑制到完成写
保护与电池接通提供的公绵羊和不间断电源。特殊的电路
采用了低漏电CMOS的过程，能提供精确的电压检测以极低的电池
消费。
1 7
111899
B
A
GND
CE10
CE9
CE8
CE7
DS1212
由DS1212非易失控制器芯片和锂电池相结合，非易失性RAM运行
可以实现长达16的CMOS存储器。
手术
在DS1212进行解码和电池备份多达16个的银行要求6的电路功能
的RAM 。首先， 4至16译码器提供的选择的16个RAM的一个。第二，一个开关设置到
从电池或V直流电源
CCI
供应，这取决于哪一个更大。此开关具有电压
降小于0.2V 。第三个功能的DS1212所提供的是电源故障检测。它不断
监视V
CCI
供应量。当V
CCI
低于4.75伏或4.5伏，这取决于水平
宽容引脚3 ，精密比较器输出电源故障检测信号到解码器/芯片使能逻辑
和
PF
信号被拉低。该
PF
信号将保持低电平，直到V
CCI
是回到正常范围。
写保护的第四个功能是通过持有所有芯片使能输出（完成
CE0
-
CE15
）以
在0.2伏特的V
CCI
或电池供电。如果
CE
低的时候电源故障检测时，芯片
使能输出保持其目前的状态，直到
CE
驱动为高电平。写保护的，直到延迟
完成目前的存储周期可以防止数据损坏。掉电检测发生在
4.75伏至4.5伏宽容引脚3的范围接地。如果引脚3连接到V
CCO
，然后上电
故障发生在4.5伏到4.25伏的范围内。在标称电源条件下芯片使能
输出遵循一个4至16译码器的逻辑，在图1中示出。
第五个功能的DS1212进行如此避免了数据丢失的电池状态警告。每次
该电路被加电时，电池电压被检查用精密比较器。如果电池
电压小于2伏时，第二存储器周期被抑制。电池状态可以，因此，要
通过执行一个读周期上电后在内存中的任何位置，验证内存决定
位置内容。随后的写周期可以被执行以相同的存储器位置，从而改变
数据。如果下一个读周期没有验证所写入的数据，则该电池是小于2.0伏，并且
数据是在被破坏的危险。
在DS1212的第六函数提供电池冗余。在许多应用中，数据的完整性是
最重要的。在这些应用中，经常需要使用两个电池，以确保可靠性。该
DS1212提供了一个内部隔离开关，允许两节电池的电池在连接
备份操作。具有最高电压的电池组被选择使用。如果电池出现故障，
等会再假设负载。切换到冗余电池来说是透明的电路的操作和
该用户。电池状态的警告，如果将两节电池都小于2.0伏特才会发生。对于单
电池应用的未使用的电池输入必须接地。
2 7
DS1212
非易失控制器/解码器
图1
CE
输入
D
C
B
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
输出
A
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
CE0
CE1
CE2
CE3
CE4
CE5
CE6
CE7
CE8
CE9
CE10
CE11
CE12
CE13
CE14
CE15
PF
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H =高电平
L =低电平
X =无关
注： V
CCI
输入为250 mV的低，当TOL PIN3 = V
CCO
.
3 7
DS1212
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
*
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
引脚3 = GND电源电压
引脚3 - V
CCO
电源电压
逻辑输入1
逻辑0输入
电池输入
符号
V
CCI
V
CCO
V
IH
V
IL
V
BAT1
,
V
BAT2
民
4.75
4.5
2.2
-0.3
2.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.5
5.5
V
CC
+0.3
+0.8
4.0
（0℃至70℃ ）
单位
V
V
V
V
V
笔记
1
1
1
1
1, 2
（ 0 ° C至70 °C， V
CCI
= 4.75 5.5V PIN 3 = GND ）
（ 0 ° C至70 °C， V
CCI
= 4.5 5.5V ，针脚3 = V
CCO
)
DC电气特性
参数
电源电流
电源电流@
V
CCO
= V
CCI
-0.2
输入漏
输出漏
CE0
-
CE15
,
PF
输出2.4V @
CE0
-
CE15
,
PF
输出0.4V @
V
CC
触发点（ TOL = GND）
V
CC
触发点（ TOL = V
CCO
)
符号
I
CCI
I
CCO1
I
IL
I
LO
I
OH
I
OL
V
CCTP
V
CCTP
民
典型值
最大
5
80
+1.0
+1.0
4.0
4.74
4.49
单位
mA
mA
A
A
mA
mA
V
V
笔记
3
1, 4 ,10
-1.0
-1.0
-1.0
4.50
4.25
4.62
4.37
5
5
1
1
（ 0 ° C至70 °C， V
CCI
＆ LT ; V
BAT
)
参数
CE0
-CE15输出
电池电流
备用电池电流
@ V
CCO
= V
BAT1
– 0.5V
符号
V
OHL
I
BAT
I
CC2
民
V
BAT
-0.2
典型值
最大
0.1
100
单位
V
A
A
笔记
3, 7
2, 3
6, 10, 11
4 7
DS1212
非易失控制器X 16芯片
www.dalsemi.com
特点
转换全CMOS RAM为非易失性
内存
无条件写保护时， V
CC
is
OUT宽容
自动切换到电池时，
电源故障OCCURS
4至16解码器可控制多达16个
CMOS RAM中
消耗电池的小于100 nA的
当前
测试电池状态上电
提供冗余电池
电源故障信号可以被用来中断
处理器供电故障
可选的5 ％或10 ％的电源失效检测
可选择28引脚PLCC表面贴装
包
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C
引脚分配
VBAT1
VCCO
托尔
PF
CE15
CE14
CE13
CE12
CE11
D
C
B
A
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCCI
VBAT2
CE
CE0
CE1
CE2
CE3
CE4
CE5
CE6
CE7
CE8
CE9
CE10
28引脚DIP （ 600密耳）
见机甲。图科
PF
托尔
VCCO
VBAT1
VCCI
VBAT2
CE
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
12
13
14
15
16
17
18
引脚说明
A， B，C ，D
CE
CE0
-
CE15
GND
V
BAT1
V
BAT2
托尔
V
CCI
V
CCO
PF
- 地址输入
- 芯片使能
- 芯片使能输出
- 地面
- +电池1
- +电池2
- 电源容差
- + 5V电源
- 内存供应
- 电源故障
CE15
CE14
CE13
CE12
CE11
D
C
5
6
7
8
9
10
11
CE0
CE1
CE2
CE3
CE4
CE5
CE6
28引脚PLCC
见机甲。图科
描述
在DS1212非易失控制器x16的芯片是CMOS电路，解决的应用问题
将CMOS RAM中到非易失性存储器。输入电源监视一个彻头彻尾的OF-
宽容的条件。当检测到这样的条件，该芯片能够被抑制到完成写
保护与电池接通提供的公绵羊和不间断电源。特殊的电路
采用了低漏电CMOS的过程，能提供精确的电压检测以极低的电池
消费。
1 7
111899
B
A
GND
CE10
CE9
CE8
CE7
DS1212
由DS1212非易失控制器芯片和锂电池相结合，非易失性RAM运行
可以实现长达16的CMOS存储器。
手术
在DS1212进行解码和电池备份多达16个的银行要求6的电路功能
的RAM 。首先， 4至16译码器提供的选择的16个RAM的一个。第二，一个开关设置到
从电池或V直流电源
CCI
供应，这取决于哪一个更大。此开关具有电压
降小于0.2V 。第三个功能的DS1212所提供的是电源故障检测。它不断
监视V
CCI
供应量。当V
CCI
低于4.75伏或4.5伏，这取决于水平
宽容引脚3 ，精密比较器输出电源故障检测信号到解码器/芯片使能逻辑
和
PF
信号被拉低。该
PF
信号将保持低电平，直到V
CCI
是回到正常范围。
写保护的第四个功能是通过持有所有芯片使能输出（完成
CE0
-
CE15
）以
在0.2伏特的V
CCI
或电池供电。如果
CE
低的时候电源故障检测时，芯片
使能输出保持其目前的状态，直到
CE
驱动为高电平。写保护的，直到延迟
完成目前的存储周期可以防止数据损坏。掉电检测发生在
4.75伏至4.5伏宽容引脚3的范围接地。如果引脚3连接到V
CCO
，然后上电
故障发生在4.5伏到4.25伏的范围内。在标称电源条件下芯片使能
输出遵循一个4至16译码器的逻辑，在图1中示出。
第五个功能的DS1212进行如此避免了数据丢失的电池状态警告。每次
该电路被加电时，电池电压被检查用精密比较器。如果电池
电压小于2伏时，第二存储器周期被抑制。电池状态可以，因此，要
通过执行一个读周期上电后在内存中的任何位置，验证内存决定
位置内容。随后的写周期可以被执行以相同的存储器位置，从而改变
数据。如果下一个读周期没有验证所写入的数据，则该电池是小于2.0伏，并且
数据是在被破坏的危险。
在DS1212的第六函数提供电池冗余。在许多应用中，数据的完整性是
最重要的。在这些应用中，经常需要使用两个电池，以确保可靠性。该
DS1212提供了一个内部隔离开关，允许两节电池的电池在连接
备份操作。具有最高电压的电池组被选择使用。如果电池出现故障，
等会再假设负载。切换到冗余电池来说是透明的电路的操作和
该用户。电池状态的警告，如果将两节电池都小于2.0伏特才会发生。对于单
电池应用的未使用的电池输入必须接地。
2 7
DS1212
非易失控制器/解码器
图1
CE
输入
D
C
B
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
X
X
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
输出
A
X
X
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
CE0
CE1
CE2
CE3
CE4
CE5
CE6
CE7
CE8
CE9
CE10
CE11
CE12
CE13
CE14
CE15
PF
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H =高电平
L =低电平
X =无关
注： V
CCI
输入为250 mV的低，当TOL PIN3 = V
CCO
.
3 7
DS1212
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
*
-0.3V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
260℃ 10秒
这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
引脚3 = GND电源电压
引脚3 - V
CCO
电源电压
逻辑输入1
逻辑0输入
电池输入
符号
V
CCI
V
CCO
V
IH
V
IL
V
BAT1
,
V
BAT2
民
4.75
4.5
2.2
-0.3
2.0
典型值
5.0
5.0
最大
5.5
5.5
V
CC
+0.3
+0.8
4.0
（0℃至70℃ ）
单位
V
V
V
V
V
笔记
1
1
1
1
1, 2
（ 0 ° C至70 °C， V
CCI
= 4.75 5.5V PIN 3 = GND ）
（ 0 ° C至70 °C， V
CCI
= 4.5 5.5V ，针脚3 = V
CCO
)
DC电气特性
参数
电源电流
电源电流@
V
CCO
= V
CCI
-0.2
输入漏
输出漏
CE0
-
CE15
,
PF
输出2.4V @
CE0
-
CE15
,
PF
输出0.4V @
V
CC
触发点（ TOL = GND）
V
CC
触发点（ TOL = V
CCO
)
符号
I
CCI
I
CCO1
I
IL
I
LO
I
OH
I
OL
V
CCTP
V
CCTP
民
典型值
最大
5
80
+1.0
+1.0
4.0
4.74
4.49
单位
mA
mA
A
A
mA
mA
V
V
笔记
3
1, 4 ,10
-1.0
-1.0
-1.0
4.50
4.25
4.62
4.37
5
5
1
1
（ 0 ° C至70 °C， V
CCI
＆ LT ; V
BAT
)
参数
CE0
-CE15输出
电池电流
备用电池电流
@ V
CCO
= V
BAT1
– 0.5V
符号
V
OHL
I
BAT
I
CC2
民
V
BAT
-0.2
典型值
最大
0.1
100
单位
V
A
A
笔记
3, 7
2, 3
6, 10, 11
4 7
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