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DS1112SG
DS1112SG
整流器器二极管
取代2000年1月版， DS4181-4.0
2001年DS4181-5.0月
特点
s
双面冷却
s
高浪涌能力
主要参数
V
RRM
6000V
I
F（ AV ）
811A
I
FSM
10500A
应用
s
整流器阳离子
s
续流二极管
s
直流电机控制
s
电源
s
焊接
s
电池充电器
电压额定值
类型编号
重复峰值
反向电压
V
RRM
V
条件
DS1112SG60
6000
DS1112SG59
5900
DS1112SG58
5800
DS1112SG57
5700
DS1112SG56
5600
DS1112SG55
5500
较低的电压等级。
V
RSM
= V
RRM
+ 100V
大纲类型编号：G
见包详细信息以获取更多信息。
图。 1封装外形
订购信息
订购时，选择显示所需的部件号
额定电压选择表，例如：
DS1112SG58
注：请使用完整的部件号订购时
而报价在今后的任何对应关系这个数字与
您的订单。
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DS1112SG
电流额定值
T
例
= 75
o
C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）正向电流
半波阻性负载
-
-
811
1274
1172
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）正向电流
半波阻性负载
-
-
534
839
727
A
A
A
T
例
= 100
o
C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）正向电流
半波阻性负载，T
例
= 100
o
C
T
例
= 100
o
C
T
例
= 100
o
C
630
990
900
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却（阳极侧）
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）正向电流
半波阻性负载，T
例
= 100
o
C
T
例
= 100
o
C
T
例
= 100
o
C
410
644
550
A
A
A
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DS1112SG
浪涌额定值
符号
I
FSM
I
2
t
I
FSM
I
2
t
参数
浪涌（非重复）正向电流
I
2
吨融合
浪涌（非重复）正向电流
I
2
吨融合
条件
10ms的半正弦;牛逼
例
= 150
o
C
V
R
= 50% V
RRM
- 1/4正弦
10ms的半正弦;牛逼
例
= 150
o
C
V
R
= 0
马克斯。
8.5
360x 10
3
10.5
565 x 10
3
单位
kA
A
2
s
kA
A
2
s
热学和机械数据
符号
参数
条件
双侧冷却
R
日（J -C ）
热阻 - 结到管壳
单面冷却
阴极DC
锁模力12.0kN
与安装复合
导通状态（导通）
T
vj
虚拟结温
反向（阻塞）
T
英镑
-
存储温度范围
锁模力
-
–55
11.5
150
175
13.5
o
分钟。
dc
阳极DC
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.032
0.064
0.064
0.008
0.016
160
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
双面
单面
o
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
o
C
C
C
o
kN
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DS1112SG
特征
符号
V
FM
I
RM
Q
S
I
rr
V
TO
r
T
参数
正向电压
峰值反向电流
总存储电荷
反向恢复电流
阈值电压
斜率电阻
条件
在1800A的峰值，T
例
= 25
o
C
在V
RRM
, T
例
= 150
o
C
I
F
= 1000A ，二
RR
/ DT = 3A /微秒
T
例
= 150℃ ，V
R
= 100V
在T
vj
= 150C
在T
vj
= 150C
分钟。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
2.1
75
3000
90
0.9
0.93
单位
V
mA
C
A
V
m
曲线
2500
2500
根据测得的脉搏
条件
dc
半波
瞬时正向电流，I
F
- (A)
2000
意味着功耗 - （W ）
2000
3相
1500
T
j
= 25C
T
j
= 150C
1000
1500
1000
500
500
0
0.5
1.5
2.5
正向电压，V
F
- (V)
3.5
0
0
500
1000
1500
2000
意思是正向电流，I
F（ AV ）
- (A)
图2最大（极限）正向特性
V
FM
公式： -
V
FM
= A + BLN （我
F
） + C.I
F
+ D.√I
F
哪里
图3耗散曲线
A = 1.249986
B = –0.17646
C = 0.000524
D = 0.041024
这些值是有效的对于T
j
= 125℃下我
F
500A到2500A
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DS1112SG
10000
条件：
T
j
= 150C
V
R
= 100V
I
F
= 1000A
峰值半正弦正向电流 - （ KA）
35
400
I
2
t
30
=
2
xt
2
350
25
I
2
t
20
300
I
2
吨价 - （A
2
s ×10
3
)
存储电荷，Q
S
- (C)
250
1000
15
200
10
150
I
F
Q
S
dI
F
/ DT
5
100
100
0.1
I
RM
1.0
10
率的正向电流，迪衰减
F
/ DT - （ A / μs）内
100
0
1
ms
10
1
2 3
5
10
20
50
50
周期为50Hz
长短
图4的总存储电荷
0.1
阳极侧冷却
热阻抗 - 结到管壳，R
日（J -C ）
- （ C / W）
图5浪涌（非重复）正向电流随时间的变化（与
50% V
RRM
在T
例
125C)
双侧冷却
0.01
传导
热阻
结到外壳C / W
双面
0.032
0.034
0.044
0.057
单面
0.064
0.066
0.076
0.089
特区
半波
三相120
6相60
0.001
0.001
0.01
0.1
时间 - （多个）
1.0
10
图6最大（极限）瞬态热阻抗 -
结到外壳
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