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XX- XXXX ;转1 ; 11/03
3V 10抽头硅延迟线
概述
该DS1110L 10抽头延迟线是一个3V版本的
DS1110 。它有10个等间隔的抽头,提供延误
从为10ns至500ns的。该DS1110L系列延迟线
提供了± 5%的额定精度或± 2ns的,取
大,在3.3V和+ 25°C 。该DS1110L的特点是:
化,以运营从2.7V到3.6V 。该DS1110L
既产生前沿和后沿的延迟与
等精度。该设备被提供在一个标准
14引脚TSSOP封装。
全硅延迟线
在DS1110的3V版本
10丝锥等间隔的
延迟是稳定和精确
前沿和后沿的精度
延迟容差±5 %或± 2ns的,无论是
大,在3.3V和+ 25°C
经济
低调的14引脚TSSOP
低功耗CMOS
TTL / CMOS兼容
气相和红外焊
快速打开原型
延迟规定在商用和工业
温度范围
可自定义的延迟
特点
DS1110L
应用
通信设备
医疗器械
自动测试设备
PC外围设备
引脚配置
部分
订购信息
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN的
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
延迟
(纳秒) *
100
125
150
175
200
250
300
350
400
450
500
顶视图
IN 1
北卡罗来纳州
TAP2
2
3
14 V
CC
13 TAP1
DS1110LE-100
DS1110LE-125
DS1110LE-150
DS1110LE-175
DS1110LE-200
DS1110LE-250
DS1110LE-300
DS1110LE-350
DS1110LE-400
DS1110LE-450
DS1110LE-500
DS1110L
12 TAP3
11 TAP5
10 TAP7
9
8
TAP9
TAP10
TAP4 4
TAP6 5
TAP8 6
7 GND
TSSOP ( 173mil)或
*自定义的延迟是可用的。
_____________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价,交付和订购信息,请联系美信/达拉斯直接!在
1-888-629-4642 ,或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
3V 10抽头硅延迟线
DS1110L
绝对最大额定值
任何引脚对地.................- 0.5V至+ 6.0V的电压
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度...................见IPC / JEDEC J- STD- 020A
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
( -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 2.7V至3.6V )。
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
工作电流
高电平输出电流
低电平输出电流
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
I
CC
I
OH
I
OL
(注1 )
(注1 )
(注1 )
0V
V
I
V
CC
V
CC
=最大值,周期= MIN (注2 )
V
CC
=最小,V
OH
= 2.3V
V
CC
=最小,V
OL
= 0.5V
12
条件
2.7
2.2
-0.3
-1.0
40
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
+1.0
150
-1.0
单位
V
V
V
A
mA
mA
mA
AC电气特性
( -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 2.7V至3.6V )。
参数
输入脉冲宽度
输入节拍延时
(延迟
40ns)
输入节拍延时
(延误>为40ns )
开机时间
输入周期
符号
t
WI
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PU
(注8)
2 (t
WI
)
(注6 )
+ 25℃ ,3.3V (注3,5, 6,7, 9)
0 ° C至+ 70 ° C(注4-7)
-40 ° C至+ 85°C (注4-7)
+ 25℃ ,3.3V (注3,5, 6,7, 9)
0 ° C至+ 70 ° C(注4-7)
-40 ° C至+ 85°C (注4-7)
条件
的10%
TAP 10
-2
-3
-4
-5
-8
-13
表1
表1
表1
表1
表1
表1
+2
+3
+4
+5
+8
+13
100
ms
ns
%
ns
典型值
最大
单位
ns
2
______________________________________________________________________
3V 10抽头硅延迟线
电容
(T
A
= +25°C.)
参数
输入电容
符号
C
IN
条件
典型值
5
最大
10
单位
pF
DS1110L
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
注6 :
注7 :
注8 :
注9 :
所有电压以地为参考。
测得的输出打开。
初始公差为±相对于标称值在+ 25° C和V
CC
= 3.3V两个前缘和后缘。
温度和电压容差是相对于在规定的温度范围内的标准延迟值和2.7V至
3.6V范围内。
中间延迟值可以用一个定制的基础。
SEE
测试条件
部分。
所有抽头延迟往往会发生变化单向随温度或电压的改变。例如,如果抽头1减慢,所有其他
水龙头也慢下来;挖掘3不能超过自来水2快。
脉宽和周期规格可能会超标;然而,精度为应用敏感(去耦,布局等)。
对于塔比大于20ns的延迟1 ,公差为± 3ns的或± 5 % ,以较高者为准。
典型工作特性
(V
CC
= 3.3V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
拖待变( % )
与V
CC
DS1110L-500
DS1110L TOC01
拖待变( % )
与V
CC
DS1110L-250
0.2
变化研究DELAY ( % )
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
上升沿
下降沿
DS1110L toc02
0.10
0.05
变化研究DELAY ( % )
0
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-0.25
-0.30
-0.35
2.7
3.0
V
CC
(V)
3.3
上升沿
下降沿
0.3
3.6
2.7
3.0
V
CC
(V)
3.3
3.6
变化研究DELAY ( % ) - 温度
DS1110L-500
DS1110L toc03
变化研究DELAY ( % ) - 温度
DS1110L-250
DS1110L toc04
6
5
4
变化研究DELAY ( % )
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-40
-15
10
35
60
上升沿
下降沿
4
3
变化研究DELAY ( % )
2
1
0
-1
-2
-3
上升沿
下降沿
85
-40
-15
10
35
60
85
温度(℃)
温度(℃)
_____________________________________________________________________
3
3V 10抽头硅延迟线
DS1110L
典型工作特性(续)
(V
CC
= 3.3V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
输出电流高
与输出电压高
DS1110L toc05
输出电流低
与输出电压低
1.60E-02
输出电流低( A)
1.40E-02
1.20E-02
1.00E-02
8.00E-03
6.00E-03
4.00E-03
2.00E-03
0.00E+00
V
CC
= 2.7V
DS1110L toc06
0.00E+0
-2.00E-03
输出电流高( A)
-4.00E-03
-6.00E-03
-8.00E-03
-1.00E-02
-1.20E-02
-1.40E-02
-1.60E-02
-1.80E-02
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
V
CC
= 2.7V
1.80E-02
2.7
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
输出高电压( V)
输出电压低( V)
有功电流与输入频率
DS1110L-250
45
40
35
电流(mA )
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
100
频率(MHz)
V
CC
= 3.6V
15pF的负载
对每一个抽头
5
DS1110L toc07
有功电流与输入频率
DS1110L-500
DS1110L toc08
50
25
20
电流(mA )
15
10
V
CC
= 3.6V
15pF的负载
对每一个抽头
0.1
1.0
频率(MHz)
10
0
引脚说明
1
2
7
13, 3, 12, 4, 11,
5, 10, 6, 9, 8
14
名字
IN
北卡罗来纳州
GND
点击1抽头10
VCC
输入
无连接
抽头输出数
2.7V至3.6V
功能
4
______________________________________________________________________
3V 10抽头硅延迟线
详细说明
该DS1110L 10抽头延迟线是一个3V版本的
在DS1110 。它有10个等间隔的抽头提供
从延迟为10ns至500ns的。该器件采用一个
标准的14引脚TSSOP封装。该DS1110L系列延迟线
提供的±5%或± 2ns的标称精度,取
更大,在3.3V和+ 25°C 。该DS1110L的特点是:
化,以运营从2.7V到3.6V 。该DS1110L重现
duces输入逻辑状态,在后一抽头10输出
所指定的仪表板,数字后缀固定的延时
零件号(表
1).
该DS1110L同时生产铅
ing-并以相等的精度后沿延迟。每
自来水是可以驱动多达10个74LS型负载。达拉斯
半导体可以自定义标准的产品,以满足
特定需要。图1是本DS1110_L逻辑图
和图2示出了硅的时序图
延迟线。
DS1110L
通过延迟(表1型号吨
PHL
, t
PLH
)
部分
DS1110LE-100
DS1110LE-125
DS1110LE-150
DS1110LE-175
DS1110LE-200
DS1110LE-250
DS1110LE-300
DS1110LE-350
DS1110LE-400
DS1110LE-450
DS1110LE-500
总的延迟(ns )
100
125
150
175
200
250
300
350
400
450
500
DELAY / TAP ( NS )
10
12.5
15
17.5
20
25
30
35
40
45
50
TAP1
TAP2
TAP9
TAP10
IN
10%
10%
10%
10%
图1.逻辑图
t
上升
t
秋天
V
IH
2.4V
1.5V
0.6V
2.4V
1.5V
0.6V
1.5V
在V
IL
t
WI
t
WI
t
PLH
t
PLH
1.5V
OUT
1.5V
图2.时序图:硅延迟线
_____________________________________________________________________
5
XX- XXXX ;转1 ; 11/03
3V 10抽头硅延迟线
概述
该DS1110L 10抽头延迟线是一个3V版本的
DS1110 。它有10个等间隔的抽头,提供延误
从为10ns至500ns的。该DS1110L系列延迟线
提供了± 5%的额定精度或± 2ns的,取
大,在3.3V和+ 25°C 。该DS1110L的特点是:
化,以运营从2.7V到3.6V 。该DS1110L
既产生前沿和后沿的延迟与
等精度。该设备被提供在一个标准
14引脚TSSOP封装。
全硅延迟线
在DS1110的3V版本
10丝锥等间隔的
延迟是稳定和精确
前沿和后沿的精度
延迟容差±5 %或± 2ns的,无论是
大,在3.3V和+ 25°C
经济
低调的14引脚TSSOP
低功耗CMOS
TTL / CMOS兼容
气相和红外焊
快速打开原型
延迟规定在商用和工业
温度范围
可自定义的延迟
特点
DS1110L
应用
通信设备
医疗器械
自动测试设备
PC外围设备
引脚配置
部分
订购信息
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
PIN的
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
14 TSSOP ( 173mil)或
延迟
(纳秒) *
100
125
150
175
200
250
300
350
400
450
500
顶视图
IN 1
北卡罗来纳州
TAP2
2
3
14 V
CC
13 TAP1
DS1110LE-100
DS1110LE-125
DS1110LE-150
DS1110LE-175
DS1110LE-200
DS1110LE-250
DS1110LE-300
DS1110LE-350
DS1110LE-400
DS1110LE-450
DS1110LE-500
DS1110L
12 TAP3
11 TAP5
10 TAP7
9
8
TAP9
TAP10
TAP4 4
TAP6 5
TAP8 6
7 GND
TSSOP ( 173mil)或
*自定义的延迟是可用的。
_____________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价,交付和订购信息,请联系美信/达拉斯直接!在
1-888-629-4642 ,或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
3V 10抽头硅延迟线
DS1110L
绝对最大额定值
任何引脚对地.................- 0.5V至+ 6.0V的电压
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............................- 55 ° C至+ 125°C
焊接温度...................见IPC / JEDEC J- STD- 020A
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件,操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
( -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 2.7V至3.6V )。
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏电流
工作电流
高电平输出电流
低电平输出电流
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
I
CC
I
OH
I
OL
(注1 )
(注1 )
(注1 )
0V
V
I
V
CC
V
CC
=最大值,周期= MIN (注2 )
V
CC
=最小,V
OH
= 2.3V
V
CC
=最小,V
OL
= 0.5V
12
条件
2.7
2.2
-0.3
-1.0
40
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.8
+1.0
150
-1.0
单位
V
V
V
A
mA
mA
mA
AC电气特性
( -40 ° C至+ 85°C ,V
CC
= 2.7V至3.6V )。
参数
输入脉冲宽度
输入节拍延时
(延迟
40ns)
输入节拍延时
(延误>为40ns )
开机时间
输入周期
符号
t
WI
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PU
(注8)
2 (t
WI
)
(注6 )
+ 25℃ ,3.3V (注3,5, 6,7, 9)
0 ° C至+ 70 ° C(注4-7)
-40 ° C至+ 85°C (注4-7)
+ 25℃ ,3.3V (注3,5, 6,7, 9)
0 ° C至+ 70 ° C(注4-7)
-40 ° C至+ 85°C (注4-7)
条件
的10%
TAP 10
-2
-3
-4
-5
-8
-13
表1
表1
表1
表1
表1
表1
+2
+3
+4
+5
+8
+13
100
ms
ns
%
ns
典型值
最大
单位
ns
2
______________________________________________________________________
3V 10抽头硅延迟线
电容
(T
A
= +25°C.)
参数
输入电容
符号
C
IN
条件
典型值
5
最大
10
单位
pF
DS1110L
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
注6 :
注7 :
注8 :
注9 :
所有电压以地为参考。
测得的输出打开。
初始公差为±相对于标称值在+ 25° C和V
CC
= 3.3V两个前缘和后缘。
温度和电压容差是相对于在规定的温度范围内的标准延迟值和2.7V至
3.6V范围内。
中间延迟值可以用一个定制的基础。
SEE
测试条件
部分。
所有抽头延迟往往会发生变化单向随温度或电压的改变。例如,如果抽头1减慢,所有其他
水龙头也慢下来;挖掘3不能超过自来水2快。
脉宽和周期规格可能会超标;然而,精度为应用敏感(去耦,布局等)。
对于塔比大于20ns的延迟1 ,公差为± 3ns的或± 5 % ,以较高者为准。
典型工作特性
(V
CC
= 3.3V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
拖待变( % )
与V
CC
DS1110L-500
DS1110L TOC01
拖待变( % )
与V
CC
DS1110L-250
0.2
变化研究DELAY ( % )
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
上升沿
下降沿
DS1110L toc02
0.10
0.05
变化研究DELAY ( % )
0
-0.05
-0.10
-0.15
-0.20
-0.25
-0.30
-0.35
2.7
3.0
V
CC
(V)
3.3
上升沿
下降沿
0.3
3.6
2.7
3.0
V
CC
(V)
3.3
3.6
变化研究DELAY ( % ) - 温度
DS1110L-500
DS1110L toc03
变化研究DELAY ( % ) - 温度
DS1110L-250
DS1110L toc04
6
5
4
变化研究DELAY ( % )
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-40
-15
10
35
60
上升沿
下降沿
4
3
变化研究DELAY ( % )
2
1
0
-1
-2
-3
上升沿
下降沿
85
-40
-15
10
35
60
85
温度(℃)
温度(℃)
_____________________________________________________________________
3
3V 10抽头硅延迟线
DS1110L
典型工作特性(续)
(V
CC
= 3.3V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。 )
输出电流高
与输出电压高
DS1110L toc05
输出电流低
与输出电压低
1.60E-02
输出电流低( A)
1.40E-02
1.20E-02
1.00E-02
8.00E-03
6.00E-03
4.00E-03
2.00E-03
0.00E+00
V
CC
= 2.7V
DS1110L toc06
0.00E+0
-2.00E-03
输出电流高( A)
-4.00E-03
-6.00E-03
-8.00E-03
-1.00E-02
-1.20E-02
-1.40E-02
-1.60E-02
-1.80E-02
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
V
CC
= 2.7V
1.80E-02
2.7
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
输出高电压( V)
输出电压低( V)
有功电流与输入频率
DS1110L-250
45
40
35
电流(mA )
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
100
频率(MHz)
V
CC
= 3.6V
15pF的负载
对每一个抽头
5
DS1110L toc07
有功电流与输入频率
DS1110L-500
DS1110L toc08
50
25
20
电流(mA )
15
10
V
CC
= 3.6V
15pF的负载
对每一个抽头
0.1
1.0
频率(MHz)
10
0
引脚说明
1
2
7
13, 3, 12, 4, 11,
5, 10, 6, 9, 8
14
名字
IN
北卡罗来纳州
GND
点击1抽头10
VCC
输入
无连接
抽头输出数
2.7V至3.6V
功能
4
______________________________________________________________________
3V 10抽头硅延迟线
详细说明
该DS1110L 10抽头延迟线是一个3V版本的
在DS1110 。它有10个等间隔的抽头提供
从延迟为10ns至500ns的。该器件采用一个
标准的14引脚TSSOP封装。该DS1110L系列延迟线
提供的±5%或± 2ns的标称精度,取
更大,在3.3V和+ 25°C 。该DS1110L的特点是:
化,以运营从2.7V到3.6V 。该DS1110L重现
duces输入逻辑状态,在后一抽头10输出
所指定的仪表板,数字后缀固定的延时
零件号(表
1).
该DS1110L同时生产铅
ing-并以相等的精度后沿延迟。每
自来水是可以驱动多达10个74LS型负载。达拉斯
半导体可以自定义标准的产品,以满足
特定需要。图1是本DS1110_L逻辑图
和图2示出了硅的时序图
延迟线。
DS1110L
通过延迟(表1型号吨
PHL
, t
PLH
)
部分
DS1110LE-100
DS1110LE-125
DS1110LE-150
DS1110LE-175
DS1110LE-200
DS1110LE-250
DS1110LE-300
DS1110LE-350
DS1110LE-400
DS1110LE-450
DS1110LE-500
总的延迟(ns )
100
125
150
175
200
250
300
350
400
450
500
DELAY / TAP ( NS )
10
12.5
15
17.5
20
25
30
35
40
45
50
TAP1
TAP2
TAP9
TAP10
IN
10%
10%
10%
10%
图1.逻辑图
t
上升
t
秋天
V
IH
2.4V
1.5V
0.6V
2.4V
1.5V
0.6V
1.5V
在V
IL
t
WI
t
WI
t
PLH
t
PLH
1.5V
OUT
1.5V
图2.时序图:硅延迟线
_____________________________________________________________________
5
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