DS1044
DS1044
4合1高速硅延迟线
特点
引脚分配
IN1
NC
IN2
IN3
IN4
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
NC
OUT1
NC
OUT2
OUT3
OUT4
全硅定时电路
四个独立的缓冲延迟
初始延迟容忍
±1.5
ns
稳定且精确的温度和电压
领导
和后缘精度保留
输入对称
标准的14引脚DIP ， 14引脚SOIC （ 150万）
气相，红外，波焊
可用磁带和卷轴
DS1044 14引脚DIP
DS1044R 14引脚SOIC （ 150 MIL ）
见机甲。图纸
部分
引脚说明
IN1–IN4
OUT1–OUT4
NC
V
CC
GND
–
–
–
–
–
输入信号
输出信号
无连接
+5伏电源
地
描述
在DS1044系列是一款4合1的版本低了
电源，+ 5伏，高速， DS1035 。
在DS1044系列延迟线有四个独立的
逻辑缓冲在单个封装中的延迟。该装置是
Dallas Semiconductor的最快4合1延迟线。这是
可在一个标准的14引脚DIP和14引脚SOIC封装。
该器件具有精确的前缘和后缘
精度。它有一个全硅的固有可靠性
延迟线的解决方案。在DS1044的名义宽容是
±1.5
纳秒和一个额外的容差在整个温度范围
和电压
±1.0
NS的更快延迟。每路输出
能够驱动多达10个LS负载。
标准延迟值示于表1中客
tomers可以联系达拉斯半导体公司在（ 972 ）
371-4348了解更多信息。
021798 1/6
DS1044
逻辑图
图1
IN
OUT
延时
一四
PART数目的延迟表（T
PLH
, t
PHL
)
表1
产品型号
DS1044–5
DS1044–6
DS1044–7
DS1044–8
DS1044–10
DS1044–12
DS1044–14
DS1044–18
DS1044–20
DS1044–25
DELAY每个输出
（纳秒）
5
6
7
8
10
12
14
18
20
25
初始容差
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±2.0
ns
公差OVER
（温度和电压）
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
注意事项：
1.标称条件是+ 25 ° C和V
CC
= + 5.0伏。
2.温度范围为0℃至70℃和4.75伏到5.25伏的电压范围。
3.延迟的精度是两个前缘和后缘。
021798 2/6
DS1044
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
短路输出电流
-1.0V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
260℃ 10秒
50毫安1秒
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
对于延长的时间段的条件会影响其可靠性。
DC电气特性
参数
电源电压
工作电流
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏
高电平输出电流
低电平输出电流
符号
V
CC
I
CC
V
IH
V
IL
I
L
I
OH
I
OL
0V<V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=4.75V
V
OH
=4V
V
CC
=4.75V
V
OL
=0.5V
12
V
CC
=5.25V
Period=1s
2.2
–0.5
–1.0
TEST
条件
民
4.75
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
=+5V
±
5%)
典型值
5.00
最大
5.25
45
V
CC
+0.5
0.8
1.0
–1.0
单位
V
mA
V
V
A
mA
mA
AC电气特性
参数
期
输入脉冲宽度
输入到抽头输出延迟
输出上升或下降时间
开机时间
符号
t
期
t
WI
t
PLH ，
t
PHL
t
OR
, t
OF
t
PU
民
2 (t
WI
)
100％的
点击延迟
表1
2.0
2.5
100
典型值
最大
（ + 25°C ; V
CC
=5V
±
5%)
单位
ns
ns
ns
ns
ms
笔记
3
3
电容
参数
输入电容
符号
C
IN
民
典型值
最大
10
单位
pF
(t
A
=25°C)
笔记
021798 4/6
DS1044
测试条件
环境温度： 25℃
±
3°C
电源电压（V
CC
): 5.0V
±
0.1V
输入脉冲：
高： 3.0V
±
0.1V
低： 0.0V
±
0.1V
信号源阻抗： 50Ω最大。
上升和下降时间： 3.0 ns（最大值） 。 - 测量0.6V和2.4V之间。
脉冲宽度： 500纳秒
脉冲周期： 1
s
输出负载电容： 15 pF的
输出：每个输出被加载有一个74F04输入栅极的等效。
数据的测量是在上升沿和下降沿的1.5V电平。
注意：以上条件仅用于测试，并且不限制其他数据片的条件下的设备。
时序图
期
t
上升
t
秋天
80%
1.5V
20%
IN
t
WI
t
PHL
t
PLH
t
WI
1.5V
1.5V
1.5V
OUT
1.5V
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2. @ V
CC
= 5伏和25℃下，在给定的公差范围内延迟精度的上升沿和下降沿都
表1中。
3.脉冲宽度和占空比规格可能会超过，但精度将敏感的应用
相对于去耦，布局等
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DS1044
DS1044
4合1高速硅延迟线
特点
引脚分配
IN1
NC
IN2
IN3
IN4
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
NC
OUT1
NC
OUT2
OUT3
OUT4
全硅定时电路
四个独立的缓冲延迟
初始延迟容忍
±1.5
ns
稳定且精确的温度和电压
领导
和后缘精度保留
输入对称
标准的14引脚DIP ， 14引脚SOIC （ 150万）
气相，红外，波焊
可用磁带和卷轴
DS1044 14引脚DIP
DS1044R 14引脚SOIC （ 150 MIL ）
见机甲。图纸
部分
引脚说明
IN1–IN4
OUT1–OUT4
NC
V
CC
GND
–
–
–
–
–
输入信号
输出信号
无连接
+5伏电源
地
描述
在DS1044系列是一款4合1的版本低了
电源，+ 5伏，高速， DS1035 。
在DS1044系列延迟线有四个独立的
逻辑缓冲在单个封装中的延迟。该装置是
Dallas Semiconductor的最快4合1延迟线。这是
可在一个标准的14引脚DIP和14引脚SOIC封装。
该器件具有精确的前缘和后缘
精度。它有一个全硅的固有可靠性
延迟线的解决方案。在DS1044的名义宽容是
±1.5
纳秒和一个额外的容差在整个温度范围
和电压
±1.0
NS的更快延迟。每路输出
能够驱动多达10个LS负载。
标准延迟值示于表1中客
tomers可以联系达拉斯半导体公司在（ 972 ）
371-4348了解更多信息。
021798 1/6
DS1044
逻辑图
图1
IN
OUT
延时
一四
PART数目的延迟表（T
PLH
, t
PHL
)
表1
产品型号
DS1044–5
DS1044–6
DS1044–7
DS1044–8
DS1044–10
DS1044–12
DS1044–14
DS1044–18
DS1044–20
DS1044–25
DELAY每个输出
（纳秒）
5
6
7
8
10
12
14
18
20
25
初始容差
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±2.0
ns
公差OVER
（温度和电压）
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
注意事项：
1.标称条件是+ 25 ° C和V
CC
= + 5.0伏。
2.温度范围为0℃至70℃和4.75伏到5.25伏的电压范围。
3.延迟的精度是两个前缘和后缘。
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DS1044
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
短路输出电流
-1.0V至+ 7.0V
0 ° C至70℃
-55 ° C至+ 125°C
260℃ 10秒
50毫安1秒
*这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
对于延长的时间段的条件会影响其可靠性。
DC电气特性
参数
电源电压
工作电流
高电平输入电压
低电平输入电压
输入漏
高电平输出电流
低电平输出电流
符号
V
CC
I
CC
V
IH
V
IL
I
L
I
OH
I
OL
0V<V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=4.75V
V
OH
=4V
V
CC
=4.75V
V
OL
=0.5V
12
V
CC
=5.25V
Period=1s
2.2
–0.5
–1.0
TEST
条件
民
4.75
（ 0 ° C至70 °C， V
CC
=+5V
±
5%)
典型值
5.00
最大
5.25
45
V
CC
+0.5
0.8
1.0
–1.0
单位
V
mA
V
V
A
mA
mA
AC电气特性
参数
期
输入脉冲宽度
输入到抽头输出延迟
输出上升或下降时间
开机时间
符号
t
期
t
WI
t
PLH ，
t
PHL
t
OR
, t
OF
t
PU
民
2 (t
WI
)
100％的
点击延迟
表1
2.0
2.5
100
典型值
最大
（ + 25°C ; V
CC
=5V
±
5%)
单位
ns
ns
ns
ns
ms
笔记
3
3
电容
参数
输入电容
符号
C
IN
民
典型值
最大
10
单位
pF
(t
A
=25°C)
笔记
021798 4/6
DS1044
测试条件
环境温度： 25℃
±
3°C
电源电压（V
CC
): 5.0V
±
0.1V
输入脉冲：
高： 3.0V
±
0.1V
低： 0.0V
±
0.1V
信号源阻抗： 50Ω最大。
上升和下降时间： 3.0 ns（最大值） 。 - 测量0.6V和2.4V之间。
脉冲宽度： 500纳秒
脉冲周期： 1
s
输出负载电容： 15 pF的
输出：每个输出被加载有一个74F04输入栅极的等效。
数据的测量是在上升沿和下降沿的1.5V电平。
注意：以上条件仅用于测试，并且不限制其他数据片的条件下的设备。
时序图
期
t
上升
t
秋天
80%
1.5V
20%
IN
t
WI
t
PHL
t
PLH
t
WI
1.5V
1.5V
1.5V
OUT
1.5V
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2. @ V
CC
= 5伏和25℃下，在给定的公差范围内延迟精度的上升沿和下降沿都
表1中。
3.脉冲宽度和占空比规格可能会超过，但精度将敏感的应用
相对于去耦，布局等
021798 5/6
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