DS1035
3合1高速硅延迟线
www.dalsemi.com
特点
全硅定时电路
三个独立的缓冲延迟
稳定且精确的温度和
电压
前缘和后缘精密蜜饯
输入对称
标准的8引脚DIP和8引脚SOIC （ 150万）
气相位， IR和波峰焊
可用磁带和卷轴
引脚分配
IN1
IN2
IN3
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
OUT1
OUT2
OUT3
DS1035M 8引脚DIP
见机甲。图科
IN1
IN2
IN3
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
OUT1
OUT2
OUT3
DS1035Z 8引脚SOIC （ 150密耳）
见机甲。图科
引脚说明
IN1-IN3
OUT1-OUT3
NC
V
CC
GND
（副）
- 输入信号
- 输出信号
- 无连接
- +5伏电源
- 地面
- 内部基板
连接时，不要让
任何外部连接
这些引脚
描述
在DS1035系列是流行的DS1013和补体低功耗+ 5V的高速版
在DS1033 +3.3伏版本。
在DS1035系列的延迟线具有在单个封装中三个独立的逻辑缓冲延迟。该
设备是Dallas Semiconductor最快的3合1延迟线。它可在一个标准的8引脚DIP和150
密尔8针Mini -SOIC 。
该器件具有精确的前缘和后缘的精度。它有一个清一色的固有可靠性
硅延迟线的解决方案。在DS1035的初始容差为
±1.5
or
±2.0
用纳秒额外宽容
在不同温度和电压的
±1.0
NS或
±1.5
纳秒，这取决于延迟值。每路输出可
驱动多达10个LS负载。
标准的延迟值列于表1。客户可以联系达拉斯半导体公司在（ 982 ）
371-4348了解更多信息。
1 6
111799
DS1035
逻辑图
图1
PART数目的延迟表（T
PLH
, t
PHL
)
表1
产品型号
DS1035-60
DS1035-80
DS1035-10
DS1035-12
DS1035-15
DS1035-20
DS1035-25
DS1035-30
每延迟
输出（ NS ）
6/6/6
8/8/8
10/10/10
12/12/12
15/15/15
20/20/20
25/25/25
30/30/30
初始容差
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±2.0
ns
± 2.0纳秒
公差OVER
温度
和电压
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
注意事项：
1.标称条件是+ 25 ° C和V
CC
= + 5.0伏。
2.温度范围为0℃至70℃和4.75伏到5.25伏的电压范围。
3.延迟精度是两个前缘和后缘。
2 6
DS1035
测试设置说明
图2示出了用于测量DS1035的定时参数的硬件配置。
输入波形是通过在软件控制下一个精确的脉冲发生器产生的。时间延迟是
由连接到输出的时间间隔计数器（20 ps分辨率）进行测定。在DS1035输出抽头
被选择并连接到由甚高频开关控制单元的时间间隔计数器。所有的测量都
全自动带由计算机通过一个IEEE 488总线控制每台仪器。
DS1035测试电路
图2
3 6
DS1035
环境温度：
25°C
±=3°C
电源电压（V
CC
):
5.0V
±=0.1V
输入脉冲：
高： 3.0V
±=0.1V
低： 0.0V
±=0.1V
源阻抗： 50Ω =最大值。
上升和下降时间： 3.0 ns（最大值） 。 - 测量0.6V和2.4V之间。
脉冲宽度： 500纳秒
脉冲周期： 1
s
输出负载电容： 15 pF的
输出：
每个输出被加载有一个74F04输入栅极的等效。
数据的测量是在上升沿和下降沿的1.5V电平。
注意：
以上条件仅供测试，不限制在其他数据表中的设备
条件。
测试条件
时序图
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2. @ V
CC
= 5伏和25℃下，延时的精度同时在上升沿和下降沿的公差范围内的边缘定
在表1中。
3.脉冲宽度和占空比规格可能会超标;然而，精度将应用程序
相对于去耦，布局等敏感
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DS1035
3合1高速硅延迟线
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特点
全硅定时电路
三个独立的缓冲延迟
稳定且精确的温度和
电压
前缘和后缘精密蜜饯
输入对称
标准的8引脚DIP和8引脚SOIC （ 150万）
气相位， IR和波峰焊
可用磁带和卷轴
引脚分配
IN1
IN2
IN3
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
OUT1
OUT2
OUT3
DS1035M 8引脚DIP
见机甲。图科
IN1
IN2
IN3
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
OUT1
OUT2
OUT3
DS1035Z 8引脚SOIC （ 150密耳）
见机甲。图科
引脚说明
IN1-IN3
OUT1-OUT3
NC
V
CC
GND
（副）
- 输入信号
- 输出信号
- 无连接
- +5伏电源
- 地面
- 内部基板
连接时，不要让
任何外部连接
这些引脚
描述
在DS1035系列是流行的DS1013和补体低功耗+ 5V的高速版
在DS1033 +3.3伏版本。
在DS1035系列的延迟线具有在单个封装中三个独立的逻辑缓冲延迟。该
设备是Dallas Semiconductor最快的3合1延迟线。它可在一个标准的8引脚DIP和150
密尔8针Mini -SOIC 。
该器件具有精确的前缘和后缘的精度。它有一个清一色的固有可靠性
硅延迟线的解决方案。在DS1035的初始容差为
±1.5
or
±2.0
用纳秒额外宽容
在不同温度和电压的
±1.0
NS或
±1.5
纳秒，这取决于延迟值。每路输出可
驱动多达10个LS负载。
标准的延迟值列于表1。客户可以联系达拉斯半导体公司在（ 982 ）
371-4348了解更多信息。
1 6
111799
DS1035
逻辑图
图1
PART数目的延迟表（T
PLH
, t
PHL
)
表1
产品型号
DS1035-60
DS1035-80
DS1035-10
DS1035-12
DS1035-15
DS1035-20
DS1035-25
DS1035-30
每延迟
输出（ NS ）
6/6/6
8/8/8
10/10/10
12/12/12
15/15/15
20/20/20
25/25/25
30/30/30
初始容差
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±2.0
ns
± 2.0纳秒
公差OVER
温度
和电压
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.0
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
±1.5
ns
注意事项：
1.标称条件是+ 25 ° C和V
CC
= + 5.0伏。
2.温度范围为0℃至70℃和4.75伏到5.25伏的电压范围。
3.延迟精度是两个前缘和后缘。
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DS1035
测试设置说明
图2示出了用于测量DS1035的定时参数的硬件配置。
输入波形是通过在软件控制下一个精确的脉冲发生器产生的。时间延迟是
由连接到输出的时间间隔计数器（20 ps分辨率）进行测定。在DS1035输出抽头
被选择并连接到由甚高频开关控制单元的时间间隔计数器。所有的测量都
全自动带由计算机通过一个IEEE 488总线控制每台仪器。
DS1035测试电路
图2
3 6
DS1035
环境温度：
25°C
±=3°C
电源电压（V
CC
):
5.0V
±=0.1V
输入脉冲：
高： 3.0V
±=0.1V
低： 0.0V
±=0.1V
源阻抗： 50Ω =最大值。
上升和下降时间： 3.0 ns（最大值） 。 - 测量0.6V和2.4V之间。
脉冲宽度： 500纳秒
脉冲周期： 1
s
输出负载电容： 15 pF的
输出：
每个输出被加载有一个74F04输入栅极的等效。
数据的测量是在上升沿和下降沿的1.5V电平。
注意：
以上条件仅供测试，不限制在其他数据表中的设备
条件。
测试条件
时序图
注意事项：
1.所有电压以地为参考。
2. @ V
CC
= 5伏和25℃下，延时的精度同时在上升沿和下降沿的公差范围内的边缘定
在表1中。
3.脉冲宽度和占空比规格可能会超标;然而，精度将应用程序
相对于去耦，布局等敏感
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