DS100MB203 10.3125 Gbps的双轨2 ： 1/1 ： 2复用器/缓冲器，具有均衡和去加重
2012年6月25日
DS100MB203
10.3125 Gbps的双轨2 ： 1/1 ： 2多路复用器/缓冲器，具有
均衡和去加重
概述
该DS100MB203是双端口2： 1复用器和1：2
开关或扇出缓冲器与适合于信号调节
10GE ， 10G- KR （ 802.3ap标准） ，光纤通道，的PCIe和InfiniBand ，
SATA / SAS和其他高速总线的应用与数据
速率高达10.3125 Gbps的。接收器的4阶中高级
连续时间线性均衡器（ CTLE ）提供必要的
提升以补偿高达40 “ FR-4之20米电缆（AWG -24）
在10.3125 Gbps的 - 这片功能，省去了
外部信号调理。发射器有
可编程振幅的电压电平是从可选
600 MVP -p至1300 MVP -p和去加重的高达12分贝。
该DS100MB203可以被配置为支持的PCIe ， SAS /
SATA ， 10G- KR或其他信令协议。基于该
选择的操作模式，该DS100MB203无缝
适应信号调理水平和管理
控制信号（SAS / SATA OOB ，的PCIe信标&空闲） 。
而在10G - KR （ 802.3ap标准）或PCIe （根3只）模式
DS100MB203透明地允许主控制器和所述
终点通过调整来优化全链路发射equal-
izer器系数使用反向信道信令。这些功能
保证互操作性同时在电气和系统
电平，而降低了设计的复杂性。
随着390 mW的总（典型值）和OP-低功耗
重刑关闭未使用的通道，在DS100MB203使
高效节能系统的设计。 3.3V或2.5V的单电源供电
需要以向设备供电。可编程设置
可通过引脚设置应用，的SMBus （ I2C ）协议或负载
直接从外部EEPROM编当在操作
EEPROM的模式下，所述配置信息是automati-
美云上电时加载的，这省去了一个
外部的微处理器或软件驱动程序。
特点
■
10.3125 Gbps的双轨2 ： 1多路复用器， 1 ： 2开关或扇出
■
低390 mW的总功耗（典型值）的功率消耗，与
■
选项断电未使用的通道
先进的信号调理功能
- 接收均衡可达36分贝5 GHz的
- 发送去加重到-12分贝
- 发送输出电压控制： 600 mV至1300毫伏
通过引脚选择， EEPROM或SMBus可编程
接口
单电源操作可选： 2.5V或3.3V
-40 °C至+ 85°C的工作温度范围
3 kV的HBM ESD额定值
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支持的协议
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■
10GE ， 10G- KR
第二代PCIe -1 /2/3
SAS / SATA ，光纤通道
XAUI ， RXAUI
的sRIO ， Infiniband的
其他专有高达10.3125 Gbps的
典型用途
30162880
2012德州仪器
301628 SNLS396A
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DS100MB203
引脚说明
引脚名称
D_IN0 + ， D_IN0- ，
D_IN1 + ， D_IN1-
D_OUT0 + ， D_ OUT0- ，
D_OUT1 + ， D_OUT1-
S_INA0 + ， S_INA0- ，
S_INA1 + ， S_INA1-
引脚数
10, 11,
15, 16
3, 4,
7, 8
45, 44,
40, 39
I / O类型
I
引脚说明
反相和非反相CML差分输入到该
扳平比分。门控芯片50Ω终端电阻所连接
D_INn +连接到VDD和启用后D_INn-到VDD 。
反相和非反相低功耗的差分信号
50Ω输出与去加重。交流完全兼容
耦合CML输入。
反相和非反相CML差分输入到该
扳平比分。片上50Ω终端电阻连接
S_INAn +连接到VDD和S_INAn-到VDD
反相和非反相低功耗的差分信号
50Ω输出与去加重。交流完全兼容
耦合CML输入。
反相和非反相CML差分输入到该
扳平比分。片上50Ω终端电阻连接
S_INBn +连接到VDD和S_INBn-到VDD
反相和非反相低功耗的差分信号
50Ω输出与去加重。交流完全兼容
耦合CML输入。
系统管理总线（SMBus ）的使能引脚
差分高速I / O的
O
I
S_OUTA0 + ， S_OUTA0- ， 35 ， 34 ，
S_OUTA1 + S_OUTA1- 31 30
S_INB0 + ， S_INB0- ，
S_INB1 + ， S_INB1-
43, 42,
38, 37
O
I
S_OUTB0 + ， S_OUTB0- ， 33 ， 32 ，
S_OUTB1 + ， S_OUTB1- 29 ， 28
控制引脚 - 共享（ LVCMOS ）
ENSMB
48
O
LOW =引脚模式
FLOAT =读取外部EEPROM
HIGH =寄存器访问SMBus从模式
ENSMB = 1 （ SMBus从模式） ，浮（ SMBUS主模式）
SCL
50
I,
LVCMOS ，
O， OPEN
漏
I,
LVCMOS ，
O， OPEN
漏
ENSMB主或从模式
SMBus时钟输入引脚使能（从模式）
从SMBus时钟输出负载配置时
EEPROM （主模式）
ENSMB主或从模式
SMBus的双向SDA引脚使能。数据输入或
漏极开路（下拉只）输出。
我，浮法，
LVCMOS
SDA
49
AD0-AD3
54 ， 53 ， 47 ， 46 I ， LVCMOS ENSMB主或从模式
SMBus从地址输入。在SMBus模式下，这些引脚
用户设置SMBus从地址输入。
26
我， LVCMOS ENSMB = FLOAT （ SMBus主模式）
当使用外部EEPROM ，从高分到过渡
低开始从外部EEPROM加载
余，4-能级， EQ_D [1：0 ]和EQ_S [ 1：0]控制均衡的水平上
LVCMOS
高速输入引脚。该引脚仅在
ENSMB无效（低） 。输入被组织成两个
两侧。 D侧进行控制的EQ_D [1 ：0]引脚和
S侧进行控制的EQ_S [1 ：0]引脚。当
ENSMB变高SMBus的寄存器提供独立
控制每个通道的。该EQ_S [1 ：0]引脚被转换为
SMBUS AD2 / AD3输入。 EQ_D [1 ：0]引脚不被使用。
READ_EN
ENSMB = 0 （ PIN模式）
EQ_D0 ， EQ_D1
EQ_S0 ， EQ_S1
20, 19
46, 47
3
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DS100MB203
引脚名称
DEM_S0 ， DEM_S1
DEM_D0 ， DEM_D1
引脚数
49, 50
53, 54
I / O类型
引脚说明
余，4-能级， DEM_D [1：0 ]和DEM_S [ 1：0]控制的VOD的水平和
LVCMOS
去加重的高速输出。该引脚活跃
只有当ENSMB无效（低） 。的输出是
组织成两个侧面。 D侧进行控制的
DEM_D [1 ：0]引脚和S侧进行控制的DEM_S
[1 ：0]引脚。当ENSMB变高SMBus的寄存器
提供每个信道的独立控制。该DEM_D
[1：0 ]和DEM_S [ 1：0]引脚转换为SMBUS AD1 / AD0
和SCL / SDA输入。
我的4级， 0 ： SATA / SAS ，第二代PCIe 1/2和10GE
LVCMOS
20kΩ时至GND ：第二代PCIe 3
FLOAT ： AUTO （第二代PCIe 1/2或GEN 3 ）
1： 10 -KR
我的4级， 0 ：正常工作时，扇出被禁用，则使用SEL0 / 1
LVCMOS
选择A或B的输入/输出（见SEL0 / 1针） ，总投入
50欧姆启用。
20kΩ时至GND ：保留
FLOAT ： AUTO（自动） - 使用RX检测， SEL0 / 1 ，以确定哪些
输入或输出使能，扇出禁用
1 ：正常工作时，扇出已启用（包括S_OUT0 / 1
为ON ） 。输入总是与50欧姆启用。
我的4级， 0巷选择管脚。
LVCMOS
0 ：选择输入
S_INB0+/-,
产量
S_OUTB0+/-.
20kΩ时至GND ：选择输入
S_INB0+/-,
产量
S_OUTA0+/-.
FLOAT ：选择输入
S_INA0+/-,
产量
S_OUTB0+/-.
1 ：选择输入
S_INA0+/-,
产量
S_OUTA0+/-.
余，4-水平，为泳道1选择引脚。
LVCMOS
0 ：选择输入
S_INB1+/-,
产量
S_OUTB1+/-.
20kΩ时至GND ：选择输入
S_INB1+/-,
产量
S_OUTA1+/-.
FLOAT ：选择输入
S_INA1+/-,
产量
S_OUTB1+/-.
1 ：选择输入
S_INA1+/-,
产量
S_OUTA1+/-.
我， FLOAT
控制内部稳压器
浮= 2.5V模式
连接到GND ： 3.3V模式
控制引脚 - 引脚都和SMBus模式（ LVCMOS ）
模式
21
Input_en
22
SEL0
23
SEL1
26
VDD_SEL
25
RESET
输出（ LVCMOS ）
ALL_DONE
52
我， LVCMOS 0 ：正常运行（设备已启用） 。
1 ：低功耗模式。
0,
LVCMOS
有效的注册负载状态输出
0 ：外部EEPROM加载通过
1 ：外部EEPROM加载失败
在3.3V模式下，饲料3.3V +/- 10 ％至VIN
在2.5V模式下，悬空。
电源引脚CML /模拟
2.5V模式下，连接到2.5V +/- 5 ％
3.3V模式下，连接0.1 uF的上限，每个VDD引脚
27
动力
VIN
VDD
24
9, 14,36, 41,
51
动力
动力
GND
DAP
动力
地垫（ DAP - 芯片附着垫） 。
注意事项：
LVCMOS输入没有“浮动”的条件必须被驱动到逻辑在所有时间低或高或操作不
保证。为LVCMOS / FLOAT输入输入边沿速率，必须从10-90 ％的速度低于50 ns 。
为LVCMOS / FLOAT输入输入边沿速率，必须从10-90 ％的速度低于50 ns 。
对于3.3V的工作模式， VIN引脚= 3.3V和"VDD"为4级的输入为3.3V 。
对于2.5V操作模式， VDD引脚= 2.5V和"VDD"为4级的输入为2.5V 。
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4
DS100MB203
绝对最大额定值
（注
1)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请联系销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压（ VDD - 2.5V模式）
电源电压（ VIN - 3.3V模式）
LVCMOS输入/输出电压
CML输入电压
CML输入电流
结温
储存温度
SQA54A套餐
减额SQA54A套餐
-0.5V至+ 2.75V
-0.5V至+ 4.0V
-0.5V至+ 4.0V
-0.5V至（VDD + 0.5）
-30至30毫安
125°C
-40°C至+ 125°C
52.6mW / ° C以上
+25°C
ESD额定值
HBM ， STD - JESD22- A114F
MM ， STD - JESD22 - A115 -A
清洁发展机制， STD - JESD22 - C101 -D
热阻
θJC
θJA ，
没有空气流动， 4层JEDEC
焊接信息（注
4)
电源电压（ 2.5V模式）
供应Voltgae （ 3.3V模式）
环境温度
的SMBus （ SDA ， SCL ）
电源噪声高达50 MHz
（注
5)
民
典型值
390
民
2.375
3.0
-40
典型值
2.5
3.3
25
3千伏
200 V
1千伏
11.5°C/W
19.1°C/W
最大
2.625
3.6
+85
3.6
100
单位
V
V
°C
V
MVP -P
单位
mW
符号
动力
PD
参数
功耗
条件
VDD = 2.5 V电源
EQ启用，
VOD = 1.0 Vp-p的，
RESET = 0
VIN = 3.3 V电源
EQ启用，
VOD = 1.0 Vp-p的，
RESET = 0
最大
499
515
684
mW
LVCMOS / LVTTL DC规格
V
ih
V
il
V
oh
输入高电平
电压
低电平输入电压
高电平输出
电压
（ ALL_DONE针）
低电平输出
电压
（ ALL_DONE针）
输入高电流
（ RESET引脚）
输入高电流
内部电阻
（ 4级）输入引脚
I
il
输入低电平电流
（ RESET引脚）
输入低电平电流
内部电阻
（ 4级）输入引脚
VIN = 3.6 V ，
LVCMOS = 0 V
I
oh
= -4mA
2.0
0
2.0
VDD
0.8
V
V
V
V
ol
I
ol
= 4毫安
0.4
V
I
ih
VIN = 3.6 V ，
LVCMOS = 3.6 V
-15
+20
+15
+150
uA
uA
-15
-160
+15
-40
uA
uA
5
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