DS100KR800超低功耗， 8通道中继器的数据速率高达10.3 Gbps的
2012年3月21日
DS100KR800
超低功耗， 8通道中继器的数据速率高达
10.3 Gbps的
概述
该DS100KR800是一个非常低功耗，高perfor-
曼斯中继器设计，支持8声道（单方向 -
人）， 10G - KR等高速接口串行协议了
至10.3 Gbps的。接收机的连续时间线性均衡器
（ CTLE ）提供高达+36 dB的提升在5GHz （ 10.3125
Gbps）的在其每8个通道，并且能够打开的
输入的眼睛是完全由于符号间封闭IN-
terference （ISI）引起的互连介质，如长
背板或电缆，从而使主机控制器以恩
确保无差错的端至端连接。发射器提供了一个
高达-12 dB和输出电压扩增去加重升压
突地控制在700 mV到1300 mV的允许最大
在互连中的物理位置的灵活性
通道。
当在10G -KR模式时， DS100KR800反
parently允许主控制器和终点为了优化
迈兹的完整链接和谈判发送均衡系数
如在802.3ap标准的标准来定义。这种无缝管理
链接培训协议换货保证保证体系
以最小的延迟级别的互操作性。
为65毫瓦/通道（典型值）和低功率消耗
选项关闭未使用的通道，在DS100KR800使
高效节能系统的设计。 3.3V或2.5V的单电源供电
需要以向设备供电。
可编程设置可通过引脚设置应用，
的SMBus （ I2C ）协议或外部EEPROM 。如果能操作
阿婷在EEPROM模式下，所述配置信息是
上电时自动加载。这消除了需要
供外部微处理器或软件驱动程序。
特点
■
全面的产品系列：
DS100KR800 ：
8通道，单向中继器
DS100KR401 ： 4X通道，双向转发
DS100BR210 ： 2路，单向中继器
DS100BR111 ：1个车道，双向转发
8通道，单向中继器的4倍10G- KR和
其他串行标准高达10.3 Gbps的
10G - KR （ 802.3ap标准）连接的透明管理
培训协议
低65毫瓦/通道（典型值）的功率消耗，使用选项
断电未使用的通道
先进的信号调理功能
- 接收均衡可达36分贝5 GHz的
- 发送去加重到-12分贝
- 发送输出电压控制： 700 mV至1300毫伏
通过引脚选择， EEPROM或SMBus可编程
接口
单电源操作可选： 2.5V或3.3V
-40 °C至+ 85°C的工作温度范围
3 kV的HBM ESD额定值
流直通引脚排列在10mmx5.5mm 54引脚无引线LLP
包
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典型用途
30148080
2012德州仪器
301480 SNLS340C
www.ti.com
DS100KR800
引脚说明
引脚名称
IN_B_0 + ， IN_B_0- ，
IN_B_1 + ， IN_B_1- ，
IN_B_2 + ， IN_B_2- ，
IN_B_3 + ， IN_B_3- ，
IN_A_0 + ， IN_A_0- ，
IN_A_1 + ， IN_A_1- ，
IN_A_2 + ， IN_A_2- ，
IN_A_3 + ， IN_A_3-
OUT_B_0 + ， OUT_B_0- ，
OUT_B_1 + ， OUT_B_1- ，
OUT_B_2 + ， OUT_B_2- ，
OUT_B_3 + ， OUT_B_3- ，
OUT_A_0 + ， OUT_A_0- ，
OUT_A_1 + ， OUT_A_1- ，
OUT_A_2 + ， OUT_A_2- ，
OUT_A_3 + ， OUT_A_3-
ENSMB
引脚数
1, 2,
3, 4,
5, 6,
7, 8
10, 11,
12, 13,
15, 16,
17, 18
45, 44,
43, 42,
40, 39,
38, 37
35, 34,
33, 32,
31, 30,
29, 28
48
I / O类型
I
引脚说明
反相和非反相的差分输入到银行乙
扳平比分。门控芯片50Ω终端电阻所连接
INB_n +连接到VDD和启用后INB_n-到VDD 。
反相和非反相差分输入到A银行
扳平比分。门控芯片50Ω终端电阻所连接
INA_n +连接到VDD和INA_n-启用时至VDD 。
反相和非反相驱动50Ω银行B输出与DE-
强调。兼容交流耦合CML输入。
差分高速I / O的
I
O
O
反相和非反相驱动50Ω银行A输出与DE-
强调。兼容交流耦合CML输入。
控制引脚 - 共享（ LVCMOS ）
我， LVCMOS
系统管理总线（SMBus ）的使能引脚
领带为1kΩ至VDD =寄存器访问SMBus从模式
FLOAT =读取外部EEPROM （主SMBus模式）
领带为1kΩ到GND =引脚模式
ENSMB = 1 （ SMBus模式）
SCL
50
我， LVCMOS ，
O， OPEN
漏
我， LVCMOS ，
O， OPEN
漏
我， LVCMOS
ENSMB主或从模式
SMBus时钟输入引脚使能。
时钟输出EEPROM加载配置时（主
模式）。
ENSMB主或从模式
SMBus的双向SDA引脚使能。数据输入或
漏极开路（下拉只）输出。
ENSMB主或从模式
SMBus从地址输入。在SMBus模式下，这些引脚
用户设置SMBus从地址输入。
当使用外部EEPROM ，从高分到过渡
低开始从外部EEPROM加载
EQA [1：0 ]和EQB [ 1：0]控制均衡的水平
输入引脚。该引脚仅在ENSMB是
无效（低） 。 8个通道分为两个
银行。存储体A被控制与EQA [1 ：0]引脚和银行
B被控制，与EQB [1 ：0]引脚。当ENSMB高
SMBus的寄存器为每个独立控制
通道。该EQB [ 1：0]引脚转换为SMBUS AD2 /
AD3输入。
SEE
表2 ：均衡器设置
SDA
49
AD0-AD3
54, 53, 47, 46
READ_EN
ENSMB = 0 （ PIN模式）
EQA0 ， EQA1 ，
EQB0 ， EQB1
26
余，4-能级，
LVCMOS
余，4-能级，
LVCMOS
20, 19, 46, 47
www.ti.com
4
DS100KR800
引脚名称
DEMA0 ， DEMA1 ，
DEMB0 ， DEMB1
引脚数
49, 50, 53, 54
I / O类型
余，4-能级，
LVCMOS
引脚说明
DEMA [1：0 ]和DEMB [ 1：0]控制去加重水平
的输出驱动器的Gen1 / 2模式下。引脚只
主动当ENSMB撤除（低） 。 8通道
分为两间银行。 A银行的控制与DEMA
[1 ：0]引脚和存储体B被控制与DEMB [1 ：0]引脚。
当ENSMB高SMBus的寄存器提供
独立控制每个通道的。的DEMA [1：0 ]引脚
转换到SMBUS SCL / SDA和DEMB [1：0 ]引脚
转换为AD0 ， AD1输入。
SEE
表3：输出电压和去加重设置
领带为1kΩ至VDD = 10G- KR模式操作
领带为1kΩ到GND = 10G模式操作
控制内部信号检测阈值
SEE
表4 ：信号检测门限电平
领带为1kΩ至VDD =正常运行
浮=正常运行
控制内部稳压器
浮= 2.5V模式
连接到GND = 3.3V模式
LOW =设备启用（正常工作）
HIGH =低功耗模式
有效的注册负载状态输出
HIGH =外部EEPROM加载失败
LOW =外部EEPROM加载通过
模式
SD_TH
21
26
余，4-能级，
LVCMOS
余，4-能级，
LVCMOS
余，4-能级，
LVCMOS
我， FLOAT
我， FLOAT
控制引脚 - 引脚都和SMBus模式（ LVCMOS ）
Input_en
版权所有
VDD_SEL
22
23
25
RESET
输出
ALL_DONE
52
我， LVCMOS
27
O， LVCMOS
动力
VIN
VDD
24
动力
在3.3V模式下，喂3.3V至VIN
在2.5V模式下，悬空。
电源引脚CML /模拟
2.5V模式下，连接到2.5V
3.3V模式下，连接0.1 uF的上限，每个VDD引脚
9 ， 14 ， 36 ， 41 ， 51电源
GND
DAP
动力
地垫（ DAP - 芯片附着垫） 。
注意事项：
LVCMOS输入没有“浮动”的条件必须被驱动到逻辑低或高在所有时间或操作不被瓜尔
及担。
为LVCMOS / FLOAT输入输入边沿速率，必须从10-90 ％的速度低于50 ns 。
对于3.3V的工作模式， VIN引脚= 3.3V和"VDD"为4级的输入为3.3V 。
对于2.5V操作模式， VDD引脚= 2.5V和"VDD"为4级的输入为2.5V 。
5
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