DS100BR111超低功耗10.3 Gbps的2通道中继器，提供输入均衡和输出
去加重
2012年5月4日
DS100BR111
超低功耗10.3 Gbps的2通道中继器与输入
均衡和输出去加重
概述
该DS100BR111是一个非常低功耗，高perfor-
曼斯双通道转发器，用于数据传输速率的串行链路
高达10.3 Gbps的。该DS100BR111引脚排列配置为
一条双向车道（一个发射，一个接收通道） 。
该DS100BR111输入具有强大的4级continu-
OU的时间线性均衡器（ CTLE ），以提供高达提振
36分贝在5 GHz和打开一个输入的眼睛是完全
由于符号间干扰（ISI）关闭引起的
互连介质诸如FR-4背板或
AWG - 30电缆。该发射器具有可编程
输出去加重驱动器，具有高达-12 dB和允许上午
波幅的电压电平可以从700 MVP - 对选择为1200
MVP -P ，以适应多种应用场景。
当配置为10G- KR中继器，该DS100BR111
允许对KR主机和结束点，以优化链路全
通过调整发射和接收使用均衡器系数
由指定的反向信道的通信技术
802.3ap标准的标准。
可编程设置可以通过引脚控逆变应用，
的SMBus （ I2C ）协议或外部EEPROM 。如果能操作
阿婷在EEPROM模式下，所述配置信息是
上电时自动加载 - 这消除了需要
供外部微处理器或软件驱动程序。
美国国家半导体的PowerWise高能效DE-的家庭的一部分
恶习，在DS100BR111功耗仅为65毫瓦/通道（典型
iCal中） ，并允许选项，关闭未使用的通道。这
超低功耗，无需外部
散热片和简化热管理有源线缆
应用程序。
特点
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双通道中继器可达10.3 Gbps的
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DS100BR210 ： 2倍单向通道
—
DS100BR111 ：1个双向车道
10G- KR双向接口的兼容性
—
允许反向通道通信和培训
65mW的低/通道（典型值）的功率消耗，与
选项断电未使用的通道
先进的信号调理功能
—
接收端均衡可达36分贝
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发送去加重到-12分贝
—
VOD传输控制： 700 1200 MVP -P
—
以10 Gbps < 0.3 UI残留的DJ
通过引脚选择， EEPROM或SMBus可编程
接口
单电源操作可选： 2.5V或3.3V
流直通引脚排列在4mmx4mm 24引脚无引线LLP
包
>5kV HBM ESD额定值
工业-40至85°C的工作温度范围
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应用
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高速有源铜缆模块和FR- 4
背板中的通信系统
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10GE ， 10G- KR ， FC ， SAS ， SATA Gbps的3/6 （与OOB
检测） ， InfiniBand的， CPRI ， RXAUI等等。
典型用途
30138890
2012德州仪器
301388 SNLS338D
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DS100BR111
框图 - 局部视图的通道（ 1/2）
30138886
引脚图
30138825
DS100BR111引脚图24引脚
注1 ：
在封装底部的中心DAP是设备接地连接。此焊盘必须通过多个（最少4 ）的通孔被连接到GND
确保最佳的电性能和热性能。
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DS100BR111
引脚说明
引脚名称
INA + ， INA- ，
INB + ， INB- ，
OUTA + ， OUTA- ，
OUTB + ， OUTB- ，
控制引脚
ENSMB
3
我， LVCMOS
FL燕麦
系统管理总线（SMBus ）的使能引脚
高铁=寄存器访问， SMBus从模式
FLOAT = SMBus主机从外部EEPROM中读取
领带LOW =外部引脚控制模式
ENSMB主或从模式
SMBus时钟输入引脚使能。时钟输入从机模式。
也可以在主模式下的时钟输出。
ENSMB主或从模式
SMBus的双向SDA引脚使能。数据输入或开
漏极（下拉只）输出。
ENSMB主或从模式
SMBus从地址输入。在SMBus模式下，这些引脚
用户设置SMBus从地址输入。有16个
通过这些引脚支持的地址。
引脚必须为低电平或高电平用来定义设备时，
SMBus的地址。
注：在SMBus模式设置VOD_SEL =高将迫使
地址= B0'h
当使用外部EEPROM ，由高向低的转变
开始从外部EEPROM加载
引脚数
24, 23
11, 12
7, 8
20, 19
I / O类型
一，慢性粒细胞白血病
引脚说明
反相和非反相CML差分输入到该
扳平比分。一个片上50Ω终端电阻INx的+连接
VDD和INx-到VDD 。
反相和非反相50Ω驱动器输出端与去加重。
兼容交流耦合CML输入。
差分高速I / O的
O， CML
ENSMB = 1 （ SMBus模式）
SCL
5
我， LVCMOS
O， OPEN
漏
我， LVCMOS ，
O， OPEN
漏
我， LVCMOS ，
FL燕麦
(4-Levels)
SDA
4
AD0-AD3
10, 9, 2, 1
读进来＃
DONE ＃
17
18
我， LVCMOS
IO ， LVCMOS ， EEPROM下载状态
FL燕麦
高电平表示错误/静态加载
(4-Levels)
LOW表示下载完成。没有错误。
我， LVCMOS ，
FL燕麦
(4-Levels)
EQA / B ， 0/1的控制均衡每个通道的电平。该
EQA / B引脚仅在ENSMB被拉高（ LOW ） 。
当ENSMB变高SMBus的寄存器提供
独立控制各车道的，并且EQB0 / B1的引脚
转换到SMBUS AD2 / AD3输入。
表3 ：均衡器设置
ENSMB = 0 （ PIN模式）
EQA0 ， EQA1
EQB0 ， EQB1
10, 9
1, 2
DEMA ， DEMB
4, 5
的IO ，LVCMOS DEMA / B控制去加重的程度。该DEMA / B引脚
FL燕麦
只有主动当ENSMB被拉高（ LOW ） 。每个
(4-Levels)
4 A / B信道具有相同的水平，除非由受控
的SMBus控制寄存器。当ENSMB变高SMBus接口
寄存器提供每个通道和DEM的独立控制
引脚转换为SMBUS SCL和SDA引脚。
表4 ：去加重和输出电压设置
我， LVCMOS
DS100BR111
高= OUTA启用/禁用OUTB
低= OUTA / B启用
Tx_DIS
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4
DS100BR111
引脚名称
VOD_SEL
引脚数
17
I / O类型
我， LVCMOS ，
FL燕麦
(4-Levels)
引脚说明
EQ模式和VOD选择。
高= 10G - KR模式（ VOD = 1.1V / 1.3V ）
浮= （ VOD = 1.0 V）
20K = （ VOD = 1.2 V）
低= （ VOD = 700米V）
注： DS100BR111 OUTA限制为700mV的在销模式，
见表4以获取更多信息。
注：在SMBus模式设置VOD_SEL =高将迫使
SMBus的地址= B0'h
允许3.3V至2.5V内部稳压器
低= 3.3 V操作
浮= 2.5 V操作
控制操作的设备模式
高=连续通话
浮= 10G - KR模式，低速OOB
20KΩ =个eSATA模式下，快速OOB ，在美国100自动低功耗
不活动。 SD保持活跃。
低= SAS模式下，快速OOB
VDD_SEL
16
一，内部
引体向上
我， LVCMOS
模式
18
状态输出
LOS
LOS门限输入
SD_TH
14
我， LVCMOS ，
FL燕麦
(4-Levels)
该SD_TH引脚控制LOS阈值设置;
断言（毫伏） ，解除报警（毫伏）
20K = 160毫伏， 100毫伏
浮= 180毫伏， 110毫伏（默认）
高= 190毫伏， 130毫伏
低= 210毫伏， 150毫伏
注意：使用值小于默认级别可以延长
需要时间来检测LOS ，不推荐使用。
电源引脚
2.5V模式下连接到2.5V
3.3V模式不连接任何电源电压。应使用
附加外部去耦器件， 100 - 200 nF的recom-
谁料。
注：有关其它信息，应用程序部分。
VIN
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动力
VIN = 3.3V +/- 10 ％ （输入到内部LDO稳压器）
注意：必须FLOAT的2.5V操作。请参阅应用程序
一节以获取更多信息。
13
O， OPEN
漏
指示信号丢失（默认为LOS上INA ） 。可以
通过SMBus寄存器修改。
动力
VDD
21, 22
动力
GND
DAP
动力
地垫（ DAP - 芯片附着垫） 。
注意事项：
LVCMOS输入没有“浮动”的条件必须被驱动到逻辑在所有时间低或高或操作不
保证。除非"Float"水平需要; 4级的输入引脚需要最低1K的电阻到GND ， VDD （在2.5V
模式） ，或车辆（在3.3V模式中）。有关其他信息。
表表2 ： 4级控制引脚设置，表6 ： 4级输入电压
为LVCMOS / FLOAT输入输入边沿速率，必须从10-90 ％的速度低于50 ns 。
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