FE乌尔ES
5 0 - 500兆赫
2毫安， +15 VDC
0.75分贝插入损耗
50分贝隔离
不反光
CMOS驱动器
部分鉴定
.75
型号
S0073
PI N D IO D E S·P 3T
SP3T
RF2
13
RF3
7
RF COM
1
RF1
19
.20
.20
0.018 DIA
24个地方
.600
.100典型值
对比示范
彩珠
19
24
1
50
50
50
.75
13
7
.600
5
2
6
CONT 2 + 15V CONT 3
“0”
“0”
3 8 9 10 11 12 14 15 16 17
4
18 20 21 22 23 24
GND
CONT 1
GND
“1”
.xx = .02
.xxx = .010
摹ü AR ANT EE PE RF ORM A NCE
ISO （ dB）的
I.L. （ dB）的
VSWR
典型IC AL P ER F MA 权证
一吨25
°C
ISO
参数
工作频率
直流电流
控制型
最小典型最大单位
50
2
TTL
or
CMOS
500
5
兆赫
mA
条件
在15 VDC电源
3线
开路集电极TTL与
上拉电阻
逻辑' 1 ' =上
逻辑“0” =关闭
VIH = + 15V
VIL = 0V
1.4
1.00
80
1.3
.75
60
一损失
控制电流
1.2
.50
40
高
低
插入损耗
隔离
VSWR
VSWR
40
THRU
终止
1.1
.25
20
1.0
0
0
10
40
100
400
1000
频率（MHz）
阻抗
开关速度
过渡（上升/下降）时间
开关
（视频）
瞬变
截点
2nd
+60
3rd
+35
射频功率
操作
无损伤
1.0
1.0
0.75
51
1.18/1
1.12/1
50
3
300
640
+67
+43
+23
+25
±2
±2
1.0
1.25/1
1.25/1
5
A
A
dB
dB
工作温度
-55
+10
+27
+125
欧
微秒
纳秒
mV
DBM
DBM
DBM
DBM
°C
50 ％输入到90 ％/ 10％的射频
90 ％/ 10％或10％/ 90％的射频
峰值
85兆赫/ 25 MHz的
42.5兆赫/ 25 MHz的
0.1分贝压缩
TA
DA I C
在D ü S T R I （E S）
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