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DRV8860
www.ti.com
SLRS065A - 2013年9月 - 修订2013年11月
8通道串行接口低侧驱动器
检查样品:
DRV8860
1
特点
8 - Channel受保护的低侧驱动器
- 八NMOS FET的过电流与
保护
- 集成电感钳位二极管
- 开路/短路负载检测
- 可配置的100 %输出时序
- 可配置的PWM占空比
连续电流驱动能力
- 560毫安(单频道)
- 280毫安(四通道上)
- 200毫安(十月通道上)
- 支持并行配置
8V至38V电源电压范围
以抑制噪声输入数字噪声滤波器
内部数据读回能力,实现可靠
控制
可编程电流档案
- 可配置的100 %输出时序。快
螺线管激活的。
- 在砧板配置PWM占空比
模式。降低了功耗,
在保持模式下的热耗散
电磁阀。
串行接口
- 菊花链连接
16引脚TSSOP封装
保护和诊断功能
过电流保护( OCP )
- 负载开路检测( OL )
- 过温关断( OTS )
- 欠压锁定( UVLO )
- 个别通道状态报告
- 出现故障报警
应用
继电器
单极步进电机
螺线管
电磁驱动器
一般低压侧开关的应用
描述
该DRV8860提供8通道低侧驱动器
带过电流保护和开路/短路负载
检测。它具有内置的二极管钳位关断
由电感负载产生的瞬变,并且可以是
用于驱动单极步进电机,直流电机,
继电器,螺线管,或其他负载。
DRV8860可提供高达200mA × 8通道
连续输出电流。电流驱动
能力的增加而降低PWM占空比。一
单信道可以提供高达560毫安连续
输出电流。参阅
输出电流
推荐
一节。
的串行接口被提供给控制DRV8860
输出驱动器,配置内部寄存器的设置和
读取每个信道的故障状态。多种
DRV8860器件可以通过菊花链连接在一起,
使用单一的串行接口。通电时和
控股-PWM -占空比通过可配置
串行接口以及。这些功能允许
更低的温度下操作,而不是传统的
永远在线的解决方案。
提供超过内部关断功能
电流保护,短路保护,下
欠压锁定和过温。 DRV8860可
诊断该开放负载状态。故障信息
每个通道可被读出,通过串行
接口和外部故障引脚指示。
该DRV8860封装在一个16引脚TSSOP
包(环保:符合RoHS和无锑/溴) 。
订购信息
有关最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本月底
文件,或查看TI网站
www.ti.com 。
封装图纸,热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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DRV8860
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
功能框图
8 ~38 V
VM
10 F
0.1F
VM
4.5 V
内部参考
稳压器
UVLO
门极驱动,
OCP ,
OL
8 ~38 V
VM
OUT1
启用
门极驱动,
OCP ,
OL
VM
OUT2
nFault
VM
控制逻辑
和寄存器
门极驱动,
OCP ,
OL
OUT3
VM
门极驱动,
OCP ,
OL
PWM
逻辑
OUT4
VM
温度
传感器和
关闭
门极驱动,
OCP ,
OL
OUT5
VM
LATCH
CLK
DIN
门极驱动,
OCP ,
OL
OUT6
VM
串行
接口
门极驱动,
OCP ,
OL
OUT7
DOUT
VM
门极驱动,
OCP ,
OL
OUT8
GND
2
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DRV8860
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DRV8860
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PW ( TSSOP)封装
( TOP VIEW )
VM
DIN
CLK
LATCH
GND
DOUT
nFault
启用
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
OUT5
OUT6
OUT7
OUT8
引脚功能
名字
GND
VM
5
1
I / O
(1)
描述
接地装置
电机电源
外部组件或连接
所有引脚都必须连接到地
连接到电动机电源电压。旁路至GND用一个0.1μF的陶瓷电容
加一个10μF的电解电容。
逻辑高电平使能输出逻辑低电平禁用输出。内在逻辑及
寄存器可以读取和写入时, ENABLE为逻辑低电平。内部下拉。
请参阅串行通信波形。内部下拉。
上升沿时钟到数据部分写入操作。下降沿时钟数据输出
的一部分用于读操作。内部下拉。
来自控制器的串行数据输入端。内部下拉。
串行数据输出到控制器。漏极开路输出,内部上拉。
在故障状态时,逻辑低。漏极开路输出需要外部上拉。
缺点: OCP , OL , OTS , UVLO
NFET输出驱动器。连接该引脚和虚拟机之间的外部负载
NFET输出驱动器。连接该引脚和虚拟机之间的外部负载
NFET输出驱动器。连接该引脚和虚拟机之间的外部负载
NFET输出驱动器。连接该引脚和虚拟机之间的外部负载
NFET输出驱动器。连接该引脚和虚拟机之间的外部负载
NFET输出驱动器。连接该引脚和虚拟机之间的外部负载
NFET输出驱动器。连接该引脚和虚拟机之间的外部负载
NFET输出驱动器。连接该引脚和虚拟机之间的外部负载
电源和接地
控制和串行接口
启用
LATCH
CLK
DIN
DOUT
状态
nFault
产量
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
OUT5
OUT6
OUT7
OUT8
(1)
16
15
14
13
12
11
10
9
O
O
O
O
O
O
O
O
低侧输出1
低侧输出2
低侧输出3
低边输出4
低边输出5
低边输出6
低边输出7
低边输出8
7
OD
故障
8
4
3
2
6
I
I
I
I
O
输出级启用
控制输入
串行锁存信号
串行时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
路线: I =输入, O =输出, OZ =三态输出, OD =漏极开路输出, IO =输入/输出
关键组件
1
7
名字
VM
nFault
部件
10μF电解额定VM电压GND ,
0.1μF的陶瓷额定VM电压GND
需要外部上拉至逻辑电源
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DRV8860
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DRV8860
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
(1)
(2) (3)
DRV8860
电源电压范围( VM)的
数字输入引脚电流范围( ENABLE , LATCH , CLK , DIN )
数字输出引脚的电压范围( DOUT , nFAULT )
数字输出引脚电流( DOUT , nFAULT )
输出电压范围(的OUTx )
输出电流范围(的OUTx )
工作结温范围,T
J
存储温度范围,T
英镑
(1)
(2)
(3)
–0.3
0
–0.5
–0.5
–0.3
–40
–60
最大
40
20
7
7
40
150
150
单位
V
mA
V
V
V
A
°C
°C
内部限制
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只是,设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
功耗和散热的限制,必须遵守
热信息
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
热公制
Θ
JA
Θ
JC (顶部)
Θ
JB
Ψ
JT
Ψ
JB
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(2)
DRV8860
PW ( 16针)
103
37.9
48
3
47.4
单位
结至外壳(顶部)热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(5)
结至电路板的特征参数
(6)
° C / W
有关传统和新的热度量的更多信息,请参阅IC封装热度量应用报告,
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准,高K板上的模拟获得,如
在JESD51-7指定,在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体(顶部)的热阻。没有特定的JEDEC标准
测试存在,但密切描述可以在ANSI SEMI标准30-88中找到。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度,如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数,
Ψ
JT
估计该装置的结温在一个实际系统中,并且被提取
从仿真数据用于获得
Θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
结至电路板的特征参数,
Ψ
JB
估计实际系统中的器件的结温,并是
从仿真数据用于获得提取
Θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法(第6和7)。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
V
M
I
OUT
T
A
电机电源电压范围
低侧驱动器电流能力
工作环境温度范围
–40
8.2
最大
38
560
85
单位
V
mA
°C
4
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DRV8860
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电气特性
T
A
= 25 ° C,在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
参数
电源
I
VM
V
UVLO
V
IL
V
IH
V
HYS
I
IL
I
IH
R
PD
V
OL
I
OH
R
PU
VM工作电源电流
VM欠压锁定电压
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入低电平电流
输入高电流
输入下拉电阻
输出低电压
输出高泄漏电流
输入上拉电阻
I
O
= 5毫安
V
O
= 3.3V , nFAULT
只有DOUT (拉起内部5.7V )
V
M
= 24V ,我
O
= 150毫安,T
J
= 25°C
V
M
= 24V ,我
O
= 150毫安,T
J
= 85°C
V
M
= 24V ,T
J
= 25°C
V
M
= 24V ,我
O
= 150毫安,T
J
= 25°C
50
50
620
2.7
3.5
30
1.2
14
150
17
160
35
45
22
11
50
25
12.5
55
28
14
千赫
20
180
3.85
0
–1
1.4
1.5
1.8
30
0.9
300
300
VIN = 0
VIN = 3.3V
100
0.5
1
–20
2
0.45
20
100
VM = 24V
VM上涨
0.6
3
8.2
0.7
mA
V
V
V
V
A
A
V
A
测试条件
典型值
最大
单位
逻辑电平输入( DIN , CLK ,锁存使能)
nFAULT , DOUT输出(漏极开路输出)
低边FET驱动器
R
DS ( ON)
I
关闭
V
F
输出
t
R
tF
I
OCP
t
OCP
IOL
V
OL
t
OL
T
TSD
T
HYS
上升时间
下降时间
过流保护跳闸水平
过流保护抗尖峰脉冲时间
负载开路检测下拉电流
负载开路检测阈值电压
负载开路检测抗尖峰脉冲时间
热关断温度
热关断迟滞
I
O
= 150毫安, VM = 24V ,电阻性负载
ns
ns
mA
s
A
V
s
°C
°C
FET导通电阻
断态泄漏电流
二极管的正向电压
Ω
A
V
高边续流二极管
保护电路
每个通道分别监测
VM = 24V
每个通道分别监测
每个通道分别监测
每个通道分别监测
模温机
模温机
占空比为> 25 %
f
PWM
PWM斩波频率
占空比为25 %
占空比为12.5 %
PWM斩波频率
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DRV8860
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:0755- 82519391 0755-83209630
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联系人:李先生
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