【DRV8839www.ti.comSLVSBN4 - 2013年1月低电压双＆ frac12 ; -】,IC型号DRV8839DSSR,DRV8839DSSR PDF资料,DRV8839DSSR经销商,ic,电子元器件-51电子网

DRV8839

www.ti.com

SLVSBN4 - 2013年1月

低电压双＆ frac12 ; -H桥驱动器IC

检查样品：

DRV8839

特点

双＆ frac12 ; -H桥式电动机驱动器

- 驱动的直流电机或一个绕组

步进电机或其它负载

- 低压MOSFET的导通电阻：

HS + LS 280毫欧

1.8 -A最大驱动电流

1.8 V至11 V电机工作电源电压

范围

独立的电机和逻辑电源引脚

个人＆ frac12 ; -H桥控制输入接口

低功耗休眠模式120 nA（最大值）

结合电源电流

2毫米x 3毫米12引脚WSON封装

应用

电池供电：

- 单反镜头

消费类产品

玩具

- 机器人

相机

医疗设备

描述

该DRV8839提供了相机，消费类产品，玩具等的多功能电力驱动解决方案

低电压或电池供电的应用。该器件具有两个独立的＆ frac12 ; -H桥驱动器，可以驱动

一个DC电机或一个绕组步进电机，以及其它设备，如电磁阀。输出级使用

N沟道功率MOSFET的配置和frac12 ; -H桥。内部电荷泵产生需要的栅极驱动

电压。

该DRV8839可提供最大输出电流1.8 -A 。它操作的电动机电源电压从1.8伏

至11 V和1.8 V至7 V的器件电源电压

该DRV8839具有独立的输入，使能引脚为每＆ frac12 ; -H桥允许独立控制

每个输出。

提供过电流保护，短路保护内部关断功能，欠压

锁定和过温保护。

该DRV8839封装在一个12引脚， 2毫米x 3毫米WSON封装，使用PowerPad （环保：符合RoHS &

无锑/溴）。

订购信息

(1)

包

(2)

使用PowerPad （ WSON ） - DSS

(1)

(2)

3000卷

订购零件

数

DRV8839DSSR

TOP- SIDE

记号

8839

有关最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

DRV8839

SLVSBN4 - 2013年1月

www.ti.com

功能框图

1.8 11V

驱动直流电机或

1/2步进

收费

泵

门

DRIVE

OCP

OUT1

1.8 7V

VCC

步

汽车

DCM

逻辑

IN1

门

DRIVE

OCP

OUT2

EN1

IN2

OVER-

温度

OSC

EN2

nSLEEP

GND

提交文档反馈

产品文件夹链接：

DRV8839

DRV8839

www.ti.com

SLVSBN4 - 2013年1月

表1.端子功能

名字

针

I / O

(1)

描述

外部元件

或连接

电源和接地

GND

VCC

控制

nSLEEP

IN1

EN1

IN2

EN2

产量

OUT1

OUT2

无连接

(1)

2, 5

无连接

无需连接到这些引脚

输出1

输出2

连接到电机绕组

休眠模式下的输入

输入1

启用1

输入2

启用2

逻辑低电平使器件进入低功耗的睡眠模式

正常运行逻辑高

内部下拉电阻

逻辑输入控制OUT1

内部下拉电阻

逻辑高电平使OUT1

内部下拉电阻

逻辑输入控制OUT2

内部下拉电阻

逻辑高电平使OUT2

内部下拉电阻

5, 6

1, 2

接地装置

电机电源

设备供应

旁路至GND 0.1 μF ， 16 V陶瓷

电容。

旁路至GND 0.1 μF ， 6.3 -V陶瓷

电容。

路线： I =输入， O =输出， OZ =三态输出， OD =漏极开路输出， IO =输入/输出

DSS包装

（ TOP VIEW ）

OUT1

OUT2

GND

（ PPAD ）

VCC

nSLEEP

IN1

EN1

IN2

EN2

提交文档反馈

产品文件夹链接：

DRV8839

DRV8839

SLVSBN4 - 2013年1月

www.ti.com

绝对最大额定值

(1) (2)

价值

VCC

电源电压范围

数字输入引脚的电压范围

山顶电机驱动输出电流

英镑

(1)

(2)

工作结温范围

存储温度范围

-0.3至12

-0.3 7

-0.5 7

内部限制

-40至150

-60至150

单位

°C

超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于网络的接地端子。

热信息

DRV8839

热公制

(1)

JCtop

JCbot

结至环境热阻

(2)

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

(4)

结至顶部的特征参数

(5)

结至电路板的特征参数

(6)

结至外壳（底部）热阻

(7)

(3)

DSS

12针

50.4

19.9

0.9

6.9

单位

° C / W

xxx

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅

IC封装热度量

申请报告，

SPRA953.

在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如

在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。

通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-

标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。

通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻

温度，如在JESD51-8说明。

结至顶部的特征参数，

估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取

从仿真数据用于获得

使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。

结至电路板的特征参数，

估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取

从仿真数据用于获得

使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。

通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体

JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。

间隔

推荐工作条件

= 25 ℃（除非另有说明）

民

OUT

PWM

(1)

器件的电源电压范围

电机电源电压范围

H桥的输出电流

(1)

喃

最大

1.8

250

5.5

单位

千赫

1.8

外加PWM频率

逻辑电平输入电压

功耗和散热的限制必须遵守。

提交文档反馈

产品文件夹链接：

DRV8839

DRV8839

www.ti.com

SLVSBN4 - 2013年1月

电气特性

= 25 ° C，V

= 5 V, V

= 3V（除非另有说明）

参数

电源

VMQ

VCC

CCQ

UVLO

VM工作电源电流

VM睡眠模式电源电流

VCC工作电源电流

VCC睡眠模式电源电流

VCC欠压锁定

电压

无PWM

50 kHz的PWM

nSLEEP = 0 V

无PWM

50 kHz的PWM

nSLEEP = 0 V

升起

落下

0.31 x垂直

0.34 x垂直

0.39 x垂直

0.43 x垂直

0.08 x垂直

= 0

= 3.3 V

100

= 800毫安，T

= 25°C

280

330

±200

1.9

模温机

150

160

3.5

180

-5

0.8

300

0.7

100

1.5

500

1.5

1.8

1.7

测试条件

民

典型值

最大

单位

逻辑电平输入

HYS

DS （ ON）

关闭

OCP

TSD

输入低电压

输入高电压

输入滞后

输入低电平电流

输入高电流

下拉电阻

HS + LS FET导通电阻

断态泄漏电流

过流保护跳闸水平

热关断温度

μA

kΩ

°C

H- BRIDGE场效应管

保护电路

提交文档反馈

产品文件夹链接：

DRV8839