DRV8836
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SLVSB17 - 2012年3月
双路低电压H桥IC
检查样品：
DRV8836
1
特点
双H桥电机驱动器
- 可驱动两个直流电机或一个
步进电机
- 低压MOSFET的导通电阻：
HS + LS 305毫欧
1.5最大驱动电流每H桥
桥梁可以并联3 -A驱动器
当前
2 V至7 V工作电源电压范围
灵活的PWM或相位/启用界面
低功耗睡眠模式95 nA的最大
电源电流
SLEEPN专用输入引脚
微型2毫米x 3毫米WSON封装
2
应用
电池供电：
- 单反镜头
消费类产品
玩具
- 机器人
相机
医疗设备
描述
该DRV8836提供了相机，消费类产品，玩具等低端的集成电机驱动器解决方案
电压或电池供电的运动控制应用。该器件具有两个H桥驱动器，可驱动2
直流电动机或者一个步进马达，以及其它装置，如电磁铁。对于每个输出驱动器块
包括配置为H桥来驱动电机绕组的N沟道功率MOSFET的。内部充
泵产生所需的栅极驱动电压。
该DRV8836可提供高达每H桥输出电流的1.5 -A 。它运行在从一个电源电压
2 V 7 V.
PHASE / ENABLE和IN / IN接口，可以选择一些与行业标准的设备兼容。一
低功耗的睡眠模式提供一种关闭所有不必要的逻辑，提供了非常低的当前状态。
提供过电流保护，短路保护内部关断功能，欠压
锁定和过温保护。
该DRV8836封装在一个小巧的12引脚WSON封装，使用PowerPad （环保：符合RoHS &无锑/溴） 。
订购信息
(1)
包
(2)
使用PowerPad （ WSON ） - DSS
(1)
(2)
3000卷
订购零件
数
DRV8836DSSR
TOP- SIDE
记号
836
有关最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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表1.端子功能
名字
针
I / O
(1)
描述
外部元件
或连接
电源和接地
GND
VCC
控制
nSLEEP
模式
12
11
I
I
休眠输入
输入模式选择
低电平有效地参与低功耗休眠状态。
内部下拉电阻
逻辑低电平选择IN / IN模式。
逻辑高电平选择PH / EN模式。
内部下拉电阻。
IN / IN模式：逻辑高台AOUT1高。
PH / EN模式：设定H桥A的方向
内部下拉电阻。
IN / IN模式：逻辑高台AOUT2高。
PH / EN模式：逻辑高电平使H桥A.
内部下拉电阻。
IN / IN模式：逻辑高台BOUT1高。
PH / EN模式：设定H桥B的方向
内部下拉电阻。
IN / IN模式：逻辑高台BOUT2高。
PH / EN模式：逻辑高电平使H桥B.
内部下拉电阻。
6
1
-
-
接地装置
设备和电机的供应
旁路至GND 0.1 μF （最小值）
陶瓷电容器。
AIN1/APHASE
10
I
Bridge中输入1 /输入相
AIN2/AENBL
9
I
桥有输入2 / ENABLE输入
BIN1/BPHASE
8
I
网桥B的输入1 /输入相
BIN2/BENBL
产量
AOUT1
AOUT2
BOUT1
BOUT2
(1)
7
I
网桥B的输入2 / ENABLE输入
2
3
4
5
O
O
O
O
桥有输出1
桥有输出2
网桥B输出1
网桥B输出2
连接到电机绕组
连接到电机绕组B
路线： I =输入， O =输出， OZ =三态输出， OD =漏极开路输出， IO =输入/输出
DSS包装
（ TOP VIEW ）
VCC
AOUT1
AOUT2
BOUT1
BOUT2
GND
1
2
3
4
5
6
GND
（ PPAD ）
12
11
10
9
8
7
nSLEEP
模式
AIN1 / APHASE
AIN2 / AENBL
BIN1 / BPHASE
BIN2 / BENBL
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3
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绝对最大额定值
(1) (2)
价值
VCC
电源电压范围
数字输入引脚的电压范围
山顶电机驱动输出电流
每个H桥电机连续驱动输出电流
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
工作结温范围
存储温度范围
(3)
单位
V
V
A
A
°C
°C
-0.3 7
-0.5 VCC + 0.5
内部限制
1.5
-40至150
-60至150
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
功耗和散热的限制必须遵守。
热信息
DRV8836
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
(1)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(3)
(2)
DSS
12针
50.4
58
19.9
0.9
20
6.9
单位
结至顶部的特征参数
(4)
结至电路板的特征参数
(5)
结至外壳（底部）热阻
(6)
° C / W
xxx
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
推荐工作条件
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
民
V
CC
I
OUT
f
PWM
V
IN
(1)
器件的电源电压范围
H桥的输出电流
(1)
外加PWM频率
逻辑电平输入电压
功耗和散热的限制必须遵守。
2
0
0
0
喃
最大
7
1.5
250
V
CC
单位
V
A
千赫
V
4
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电气特性
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V （除非另有说明）
参数
电源
I
VCC
I
CCQ
V
UVLO
VCC工作电源电流
VCC睡眠模式电源电流
VCC欠压锁定
电压
f
PWM
= 50千赫，无负载
nSLEEP = 0 V ，所有输入0 V
V
CC
= 3 V ， nSLEEP = 0 V ，所有输入0 V
V
CC
升起
V
CC
落下
0.25× V
CC
0.38 x垂直
CC
0.46× V
CC
0.08 x垂直
CC
V
IN
= 0
V
IN
= 3.3 V
100
V
CC
= 3 V，I
O
= 800毫安，T
J
= 25°C
V
CC
= 5 V，I
O
= 800毫安，T
J
= 25°C
370
305
420
355
±200
1.6
模温机
150
160
3.5
180
-5
5
50
0.5× V
CC
1.7
40
10
2
1.9
2.5
95
mA
nA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
逻辑电平输入
V
IL
V
IH
V
HYS
I
IL
I
IH
R
PD
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入低电平电流
输入高电流
下拉电阻
V
V
V
μA
μA
kΩ
H- BRIDGE场效应管
R
DS （ ON）
I
关闭
I
OCP
t
TSD
HS + LS FET导通电阻
断态泄漏电流
过流保护跳闸水平
热关断温度
m
nA
A
°C
保护电路
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