【DRV8833www.ti.comSLVSAR1B–2011年1月–经修订的2011年8月双H桥式电】,IC型号DRV8833RTYR,DRV8833RTYR PDF资料,DRV8833RTYR经销商,ic,电子元器件-51电子网

DRV8833

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SLVSAR1B

–

2011年1月

–

经修订的2011年8月

双H桥式电动机驱动器

检查样品：

DRV8833

特点

双H桥电流控制电机驱动器

–

可驱动两个直流电机或一个

步进电机

–

低压MOSFET的导通电阻：

HS + LS 360毫欧

输出电流1.5 A RMS ， 2 -A每峰

H桥（在V

= 5 V ， 25 ° C）

输出可以并联以3 -A RMS ，

4 - A峰值

宽电源电压范围：

2.7 V

–

10.8 V

PWM绕组电流调节/限制

耐热增强型表面贴装封装

应用

电池供电玩具

POS打印机

视频监控摄像机

办公自动化设备

游戏机

机器人

描述

该DRV8833为玩具，打印机和其他机电一体化应用的双电桥电机驱动器解决方案。

该设备具有两个H桥驱动器，并且可以驱动两个直流有刷电机，双极步进电机，螺线管，或者

其他感性负载。

每个H桥输出驱动器块由配置为H桥，以N沟道功率MOSFET的

驱动电机绕组。每个H桥电路来调节或限制绕组电流。

通过适当的PCB设计，该DRV8833的每个H桥，能够驱动高达1.5 A RMS （或直流）的

连续地，在25℃下与VM供给的5V。它可以支持的每桥高达2 A的峰值电流。当前

能力在较低的VM的电压稍微降低。

提供过电流保护，短路内部关断功能，提供故障输出引脚

保护，欠压锁定和过温保护。一种低功耗的睡眠模式也被提供。

该DRV8833封装在一个16引脚HTSSOP或QFN封装，使用PowerPad （环保：符合RoHS

＆放大器;

锑/溴）。

订购信息

(1)

包

(2)

使用PowerPad （ HTSSOP ） - PWP

使用PowerPad （ QFN ） - RTY

(1)

(2)

2000年卷

90管

3000卷

250的卷轴

订购零件

数

DRV8833PWPR

DRV8833PWP

DRV8833RTYR

DRV8833RTYT

TOP- SIDE

记号

DRV8833

有关最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

包装图纸，热数据和符号可在

www.ti.com/packaging 。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

版权

2011年，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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设备信息

功能框图

2.2uF

国内

REF &

REGS

VINT

10uF

收费

泵

VCP

0.01uF

驱动2个直流电机

或1x步进

AOUT1

AIN1

AIN2

门

DRIVE

＆放大器;

OCP

DCM

步

汽车

BIN1

BIN2

AOUT2

艾森

艾辛河

逻辑

nSLEEP

BOUT1

nFault

门

DRIVE

＆放大器;

OCP

OVER-

温度

DCM

BOUT2

碧森

艾辛河

GND

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表1.端子功能

名字

针

（ PWP ）

针

（ RTY ）

I / O

(1)

描述

外部元件

或连接

无论是GND引脚和设备

将PowerPAD必须连接到

地

连接到电动机电源。一个10 μF

（最小值）的陶瓷旁路电容

GND建议。

旁路至GND与2.2 μF ， 6.3 -V

电容

连接一个0.01 μF ， 16 V（最小）

X7R陶瓷电容VM

逻辑输入控制AOUT1的状态。

内部下拉。

逻辑输入控制AOUT2的状态。

内部下拉。

逻辑输入控制BOUT1的状态。

内部下拉。

逻辑输入控制BOUT2的状态。

内部下拉。

逻辑高电平使能器件，逻辑低

进入低功耗的睡眠模式以及重置

所有的内部逻辑。内部下拉。

在故障状态时，逻辑低

（超温，过流）

连接到电流检测电阻

桥A，或GND如果没有电流控制

需要

连接到电流检测电阻

桥B或GND如果没有电流控制

需要

连接到电机绕组

连接到电机绕组B

电源和接地

GND

PPAD

接地装置

VINT

VCP

控制

AIN1

AIN2

BIN1

BIN2

nSLEEP

状态

nFault

产量

艾森

器件电源

内部电源旁路

高侧栅极驱动电压

Bridge中输入1

Bridge中输入2

网桥B输入1

网桥B输入2

休眠模式下的输入

故障输出

桥有地面/ ISENSE

碧森

AOUT1

AOUT2

BOUT1

BOUT2

(1)

网桥B地面/ ISENSE

桥有输出1

桥有输出2

网桥B输出1

网桥B输出2

路线： I =输入， O =输出， OZ =三态输出， OD =漏极开路输出， IO =输入/输出

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PWP封装

（ TOP VIEW ）

nSLEEP

AOUT1

艾森

AOUT2

BOUT2

碧森

BOUT1

nFault

GND

（ PPAD ）

AIN1

AIN2

VINT

GND

VCP

BIN2

BIN1

RTY包装

（ TOP VIEW ）

AOUT1

nSLEEP

AIN1

AIN2

艾森

AOUT2

BOUT2

碧森

GND

（ PPAD ）

VINT

GND

VCP

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nFault

BIN1

BIN2

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绝对最大额定值

(1) (2)

价值

电源电压范围

数字输入引脚的电压范围

希森引脚电压

山顶电机驱动输出电流

英镑

(1)

(2)

工作结温范围

存储温度范围

–0.3

11.8

–0.5

7到

–0.3

0.5

内部限制

–40

150

–60

150

单位

°C

超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于网络的接地端子。

热信息

热公制

JCtop

JCbot

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

结至环境热阻

(1)

结至外壳（顶部）热阻

(2)

结至电路板的热阻

(3)

PWP

16针

40.5

32.9

28.8

0.6

11.5

4.8

(6)

RTY

16针

37.2

34.3

15.3

0.3

15.4

3.5

单位

结至顶部的特征参数

(4)

结至电路板的特征参数

(5)

结至外壳（底部）热阻

° C / W

在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如

在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。

通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体

JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。

通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻

温度，如在JESD51-8说明。

结至顶部的特征参数，

估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取

从仿真数据用于获得

使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。

结至电路板的特征参数，

估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取

从仿真数据用于获得

使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。

通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体

JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。

推荐工作条件

= 25 ℃（除非另有说明）

民

DIGIN

OUT

(1)

(2)

电机电源电压范围

数字输入引脚的电压范围

连续RMS或每桥DC输出电流

(2)

需要注意的是R

DS （ ON）

增大和最大输出电流被减小，在虚拟机的电源电压低于5V。

= 5 V ，功耗和散热的限制必须遵守。

(1)

喃

最大

10.8

5.75

1.5

单位

2.7

-0.3

版权

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