DRV8823-Q1
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SLVSBH2A - 2012年6月 - 修订2012年7月
4 -BRIDGE串行接口MOTOR DRIVER
检查样品：
DRV8823-Q1
1
特点
通过汽车应用认证
AEC- Q100认证具有以下
结果：
- 器件温度1级： -40 ° C至
125°C的工作环境温度
范围
- 设备HBM ESD分类等级H2
- 设备CDM ESD分类等级C3B
PWM电机驱动，具有四个H-桥
- 驱动两个步进电机，步进一
和两个直流电动机或四个直流电动机
- 高达1.5 A电流每相绕组
低导通电阻
- 可编程最大电流绕组
- 三位绕组电流控制允许
多达八个电流水平
- 可选择慢或混合衰减模式
2
8 V至32 V工作电源电压范围
内部电荷泵栅极驱动
内置3.3 V参考
串行数字控制接口
完全保护欠压，
过热和过流
耐热增强型表面贴装封装
应用
汽车
描述
该DRV8823 -Q1器件提供了打印机等办公自动化的集成电机驱动器解决方案
设备的应用程序。
电动机驱动电路包括四个H桥驱动器。每个电机驱动器块采用N沟道功率
构成为H桥的MOSFET来驱动电机绕组。
一个简单的串行接口允许的电动机驱动器的所有功能，只有少数的数字信号控制的。一个低
电源休眠功能也被提供。
电机驱动器提供PWM电流控制能力。电流是可编程的，基于外部
提供的参考电压和一个外部电流检测电阻。此外，8个电流电平（通过设置
串行接口），允许与双极步进电机微步驱动。
提供过电流保护，短路保护，欠压锁定内部关断功能
和过热。
该DRV8823 -Q1封装在一个48引脚HTSSOP封装（环保：符合RoHS和无锑/溴） 。
订购信息
(1)
T
A
-40_C到125_C
(1)
(2)
包
(2)
使用PowerPad （ HTSSOP ） - DCA
2000年卷
订购型号
DRV8823QDCARQ1
顶部端标记
DRV8823Q
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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功能框图
CP1
DIG 。
VCC
V3P3
0.47
μ
F
6.3 V
3.3 V
调节器
收费
泵和
栅极驱动器
调节器
0.01
μF
35 V
24 V
VCP
VGD
VCP
VM
ABVREF
AOUT1
AOUT2
艾森
步
汽车
0.1
μ
F
16 V 24 V
CP2
PWM H桥
驱动程序
24 V
VM
SDATA
SCLK
SCS
SSTB
串行
接口
和
逻辑
BOUT1
PWM H桥
驱动器B
BOUT2
碧森
24 V
VM
COUT1
COUT2
CISEN
24 V
VM
DOUT1
DOUT2
蒂森
步
汽车
RESETN
SLEEPN
PWM H桥
C盘
CDVREF
PWM H桥
驾驶员D
OCP
热
关闭
振荡器
UVLO
RESET
GND
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
2
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引脚功能
针
名字
VM
（ 4针）
V3P3
GND
CP1
CP2
VCP
ABVREF
AOUT1
AOUT2
ISENA
BOUT1
BOUT2
ISENB
CDVREF
COUT1
COUT2
ISENC
DOUT1
DOUT2
ISEND
SDATA
SCLK
SCS
SSTB
RESETN
SLEEPN
测试针
TEST
(1)
19, 28,
29, 32
I
测试输入
不要连接这两个引脚 - 只用于工厂测试。
号
1, 2,
23, 24
16
10–15,
34–39
7
8
9
17
5
3
4
48
46
47
18
27
25
26
22
20
22
31
33
45
30
43
42
电源和接地
-
-
-
IO
IO
IO
I
O
O
-
O
O
-
I
O
O
-
O
O
-
I
I
I
I
I
I
电机电源电压（多个引脚）
3.3 V稳压器输出
电源地（多针）
电荷泵飞电容器
电荷泵电容存储
桥有& B电流设定基准电压
桥有输出1
桥有输出2
桥电流检测
网桥B输出1
网桥B输出2
网桥B的电流检测
网桥C & D电流设定基准电压
网桥C输出1
网桥C输出2
网桥C电流检测
桥式D输出1
桥式D输出2
桥式D电流检测
串行数据输入
串行时钟输入
串行芯片选择
串行数据选通
复位输入
休眠输入
将所有VM引脚连接在一起，以电机电源电压。
旁路至GND与几个0.1 μF ， 35 -V的陶瓷电容。
旁路至GND 0.47 - μF ， 6.3 -V的陶瓷电容。
将所有PGND引脚GND和焊接铜散热器
区。
连接CP1和CP2之间的0.01 μF电容器。
连接一个0.1 μF ， 16 V陶瓷电容V
M
.
设置电流跳变门限
连接到双极步进电机1 ，或者直流电动机的第一线圈
绕组。
连接到电流检测电阻桥梁A.
连接到双极步进电机1 ，或DC的第二线圈
电机绕组。
连接到电流检测电阻的桥梁B.
设置电流跳变门限
连接到双极步进电动机2 ，或者直流电动机的第一线圈
绕组。
连接到电流检测电阻桥梁C.
连接到双极步进电机2 ，或DC的第二线圈
电机绕组。
连接到电流检测电阻桥梁D.
数据的时钟在SCLK的上升沿。
逻辑高电平使被移入串行数据。
逻辑高电平锁存串行数据。
低电平有效复位串行接口，并禁止输出。
低电平输入禁止输出和电荷泵。
I / O
(1)
描述
外部组件或连接
电机驱动器
串行接口
路线： I =输入， O =输出， OZ = 3态输出， OD =漏极开路输出， IO =输入/输出，PU =内部上拉
ESD
以逻辑
迟滞
国内
下拉
图1.逻辑输入
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DCA包装
VM
VM
AOUT2
艾森
AOUT1
NC
CP1
CP2
VCP
保护地
保护地
这些焊接
保护地
引脚铜
保护地
散热片区域
保护地
保护地
V3P3
ABVREF
CDVREF
TEST
DOUT2
蒂森
DOUT1
VM
VM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
BOUT1
碧森
BOUT2
SCS
NC
RESETN
SLEEPN
NC
NC
保护地
保护地
这些焊接
保护地
引脚铜
保护地
散热片区域
保护地
保护地
SCLK
TEST
SDATA
SSTB
TEST
TEST
COUT1
CISEN
COUT2
绝对最大额定值
(1)
(2)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
V
M
V
I
I
O（峰）
I
O
P
D
T
J
T
A
T
英镑
ESD额定值
(1)
(2)
(3)
(4)
电源电压范围
逻辑输入电压范围
(3)
单位
V
V
A
°C
°C
°C
kV
V
-0.3至34
-0.5至5.75
内部限制
1.5
-40至150
-40至125
-60至150
2
750
山顶电机驱动的输出电流，T < 1
μs
电机驱动器输出电流
(4)
连续总功率耗散
经营虚拟结温范围
工作环境温度范围
存储温度范围
人体模型（ HBM ） AEC -Q100分类级别H2
带电器件模型（ CDM ） AEC - Q100 750伏的分类级别C3B
SEE
耗散额定值表
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
输入引脚可被驱动在此电压范围内，无论存在Ⅴ的或不存在的
M
.
功耗和散热的限制必须遵守。
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耗散额定值
板
低K
(1)
低K
(2)
包
R
θJA
75.7°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
13.2毫瓦/°C的
31.3毫瓦/°C的
33毫瓦/°C的
44.8毫瓦/°C的
T
A
< 25℃
1.65 W
3.91 W
4.13 W
5.61 W
T
A
= 70°C
1.06 W
2.50 W
2.48 W
3.59 W
T
A
= 85°C
0.86 W
2.03 W
2.15 W
2.91 W
T
A
= 125°C
0.332 W
0.778 W
0.83 W
1.118 W
高K
(3)
高K
(1)
(2)
(3)
(4)
(4)
DCA
32°C/W
30.3°C/W
22.3°C/W
用于导出这些数据的JEDEC低K板是76毫米x 114毫米， 2层， 1.6毫米厚的PCB ，没有背面的铜。
用于导出这些数据的JEDEC低K板是76毫米x 114毫米， 2层， 1.6毫米厚的PCB有25厘米
2
背2盎司铜
SIDE 。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K主板是76毫米x 114毫米， 4层， 1.6毫米厚的PCB板背面无铜，
固1盎司内部接地层。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K主板是76毫米x 114毫米， 4层， 1.6毫米厚的PCB用25厘米
2
背面1盎司铜
侧面和固体1盎司内部接地层。
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