DRV8818
www.ti.com
SLVSAX9A
–
2011年9月
–
修订后的2012年2月
步进电机控制器IC
检查样品：
DRV8818
1
特点
脉冲宽度调制（PWM）的微
电机驱动器
–
内置微索引
–
高达2.5 A电流每相绕组
–
微索引器提供高达
1月8日步操作
–
低0.37 - Ω （ HS + LS ） MOSFET
导通电阻（在25℃ ）
–
可编程混合衰减，落料，并
OFF时间
引脚兼容的升级到DRV8811采用
低
DS （ ON）
耐热增强型表面贴装封装
2
应用
打印机
纺织机械
定位/跟踪
工厂自动化
机器人
描述/订购信息
该DRV8818提供了打印机，扫描仪的集成步进电机驱动器解决方案，以及其他自动化
设备的应用程序。该设备具有两个H桥驱动器，以及微定位器逻辑来控制一个
步进电机。
对于每个输出驱动器块由配置为全H桥驱动的N沟道功率MOSFET的
电机绕组。
一个简单的步进/方向接口，可方便的接口与控制器电路。引脚允许的配置
电机在全步，半步，四分之一步，或1/8步进模式。衰减模式和PWM关断时间是
可编程的。
过电流保护，短路保护，欠电压提供给内部关断功能
锁定和过温保护。
该DRV8818封装在一个使用PowerPad 28引脚HTSSOP封装，使用PowerPad （环保：符合RoHS
无锑/溴） 。
订购信息
(1)
包
(2)
使用PowerPad （ HTSSOP ）
–
PWP
(1)
(2)
2000年卷
50管
订购型号
DRV8818PWPR
DRV8818PWP
顶部端标记
DRV8818
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权
2011-2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DRV8818
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SLVSAX9A
–
2011年9月
–
修订后的2012年2月
终端功能
名字
GND
VMA
VMB
VCC
CP1
CP2
VCP
VGD
EnableN
SLEEPN
衰变
号
7, 21
28
15
10
23
24
22
20
26
27
5
I / O
-
-
-
-
IO
IO
IO
IO
I
I
I
(1)
描述
接地装置
桥的电源
网桥B电源
逻辑电源电压
电荷泵飞电容器
电荷泵飞电容器
高侧栅极驱动电压
低侧栅极驱动电压
使能输入
休眠模式下的输入
衰减模式选择
外部组件或连接
电源和接地
连接到电动机电源（8 V至35伏特） 。这两个引脚都必须连接
以相同的电源。
连接到电动机电源（8 V至35伏特） 。这两个引脚都必须连接
以相同的电源。
连接3 V至5 V逻辑电源。旁路至GND 0.1 μF
陶瓷电容器。
连接CP1和CP2之间的0.22 μF电容器。
连接CP1和CP2之间的0.22 μF电容器。
连接一个0.22 μF陶瓷电容V
M
.
旁路至GND 0.22 μF陶瓷电容。
控制
逻辑高电平，禁止设备的输出，逻辑低电平使能输出。
内部弱上拉至VCC 。
逻辑高电平使能器件，逻辑低电平进入低功耗的睡眠模式。
内部弱下拉。
施加电压套衰减模式 - 见电机驱动器说明
详细信息。旁路至GND与0.1μF的陶瓷电容。弱
内部下拉。
上升沿将导致索引移动一步。内部弱
下拉。
级别设置步进的方向。内部弱下拉。
USM0和USM1设置步进模式 - 整步，半步，四分之一
步骤，或8个微/步骤。内部弱下拉。
USM0和USM1设置步进模式 - 整步，半步，四分之一
步骤，或8个微/步骤。内部弱下拉。
低电平有效的复位输入初始化索引逻辑和禁用
H桥输出。内部弱上拉至VCC 。
当低电平有效，同步整流功能。内部弱
下拉。
参考电压绕组电流集
并联电阻和电容连接到GND - 见电机驱动器
说明细节。
并联电阻和电容连接到GND - 见电机驱动器
说明细节。
连接到电流检测电阻的一个桥梁
连接到电流检测电阻电桥B
输出
连接到双极步进电机绕组
正电流是AOUT1
→
AOUT2
连接到双极步进电机绕组
正电流是BOUT1
→
BOUT2
当步骤表的家乡，逻辑低电平逻辑高电平其他国家
步
DIR
USM0
USM1
RESETN
SRN
VREF
RCA
RCB
ISENA
ISENB
AOUT1
AOUT2
BOUT1
BOUT2
HOMEn
(1)
19
3
13
12
17
16
8
6
9
1
14
4
25
11
18
2
I
I
I
I
I
I
I
I
I
-
-
O
O
O
O
O
步骤输入
方向输入
微步模式0
微步模式1
复位输入
同步。正确。使能输入
当前设定的参考输入
桥的消隐和关闭时间调整
网桥B消隐和关闭时间调整
桥有地面/ ISENSE
网桥B地面/ ISENSE
桥有输出1
桥有输出2
网桥B输出1
网桥B输出2
首页位置
路线： I =输入， O =输出， OZ = 3态输出， OD =漏极开路输出， IO =输入/输出
版权
2011-2012年，德州仪器
3
DRV8818
SLVSAX9A
–
2011年9月
–
修订后的2012年2月
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PWP （ HTSSOP ）包装
ISENA
家
DIR
AOUT1
衰变
RCA
GND
VREF
RCB
VCC
BOUT1
USM1
USM0
ISENB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
GND
（ PPAD ）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VMA
SLEEPN
EnableN
AOUT2
CP2
CP1
VCP
GND
VGD
步
BOUT2
RESETN
SRN
VMB
绝对最大额定值
(1)
V
MX
V
CC
V
REF
I
O（峰）
P
D
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
电源电压范围
电源电压范围
数字引脚电压范围
输入电压范围
ISENSEx引脚电压范围
山顶电机驱动输出电流
连续总功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
(2) (3)
民
–0.3
–0.3
–0.5
–0.3
V
–0.3
最大
35
7
7
V
CC
0.5
单位
V
V
V
V
V
内部限制
见热信息表
–40
–60
150
150
°C
°C
强调超越那些在列
"absolute
最大ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
"recommended
操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
功耗和散热的限制必须遵守。
热信息
DRV8818
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(5)
(2)
(1)
PWP
28个引脚
32.2
16.3
14
0.5
13.8
2.1
单位
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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–
2011年9月
–
修订后的2012年2月
推荐工作条件
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
民
V
M
V
CC
V
REF
R
X
C
X
(1)
电机电源电压范围
逻辑电源电压范围
VREF输入电压
R
X
电阻值
C
X
电容值
所有V
M
引脚必须连接到相同的电源电压。
(1)
喃
最大
35
5.5
V
CC
单位
V
V
V
kΩ
pF
8
3
0
470
12
680
56
1500
100
电气特性
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
电源
I
VM
I
VCC
I
VMQ
I
VCCQ
V
UVLO
V
M
工作电源电流
V
CC
工作电源电流
V
M
休眠模式下电源电流
V
CC
休眠模式下电源电流
V
M
欠压锁定电压
V
CC
欠压锁定电压
VREF输入电流
斩波电流精度
V
M
升起
V
CC
升起
VREF = 3.3 V
VREF = 2.0V时， 70％至100 ％的电流
VREF = 2.0V时，20％至56 ％的电流
–3
–5
–10
V
M
= 35 V，F
PWM
＆ LT ;
50千赫
f
PWM
＆ LT ;
50千赫
V
M
= 35 V
7
0.4
3
0.5
6.7
2.75
10
4
20
20
7.5
2.95
3
5
10
0.3
×
V
CC
0.7
×
V
CC
300
VIN = 0.3
×
V
CC
VIN = 0.3
×
V
CC
–20
–20
1
1
I
O
= 200
μA
I
O
=
–200 μA
对于快速衰减模式
对于慢速衰减模式
V
M
= 24 V，I
O
= 2.5 A，T
J
= 25°C
V
M
= 24 V，I
O
= 2.5 A，T
J
= 25°C
–20
OFF时间
电流检测消隐时间
死区时间
上升时间
下降时间
RX = 56 kΩ的， Cx的= 680 pF的
RX = 56 kΩ的， Cx的= 680 pF的
SRN = 0
35
900
100
10
10
44
1250
475
0.7
×
VCC
0.21
×
VCC
0.6
×
VCC
0.22
0.15
0.30
0.24
20
53
1500
800
80
80
0.3
×
VCC
20
20
mA
mA
μA
μA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREF输入/电流控制精度
I
REF
ΔI
CHOP
μA
%
%
V
V
mV
μA
μA
MΩ
MΩ
V
V
V
V
μA
μs
ns
ns
ns
ns
逻辑电平输入
V
IL
V
IH
V
HYS
I
IL
I
IH
R
PU
R
PD
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
关闭
电机驱动器
t
关闭
t
空白
t
DT
t
R
t
F
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入低电平电流
输入高电流
上拉电阻
下拉电阻
输出低电压
输出高电压
输入低阈值电压
输入高阈值电压
HS FET导通电阻
LS FET导通电阻
HOMEn输出
输入衰减
H- BRIDGE场效应管
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–
2011年9月
–
修订后的2012年2月
步进电机控制器IC
检查样品：
DRV8818
1
特点
脉冲宽度调制（PWM）的微
电机驱动器
–
内置微索引
–
高达2.5 A电流每相绕组
–
微索引器提供高达
1月8日步操作
–
低0.37 - Ω （ HS + LS ） MOSFET
导通电阻（在25℃ ）
–
可编程混合衰减，落料，并
OFF时间
引脚兼容的升级到DRV8811采用
低
DS （ ON）
耐热增强型表面贴装封装
2
应用
打印机
纺织机械
定位/跟踪
工厂自动化
机器人
描述/订购信息
该DRV8818提供了打印机，扫描仪的集成步进电机驱动器解决方案，以及其他自动化
设备的应用程序。该设备具有两个H桥驱动器，以及微定位器逻辑来控制一个
步进电机。
对于每个输出驱动器块由配置为全H桥驱动的N沟道功率MOSFET的
电机绕组。
一个简单的步进/方向接口，可方便的接口与控制器电路。引脚允许的配置
电机在全步，半步，四分之一步，或1/8步进模式。衰减模式和PWM关断时间是
可编程的。
过电流保护，短路保护，欠电压提供给内部关断功能
锁定和过温保护。
该DRV8818封装在一个使用PowerPad 28引脚HTSSOP封装，使用PowerPad （环保：符合RoHS
无锑/溴） 。
订购信息
(1)
包
(2)
使用PowerPad （ HTSSOP ）
–
PWP
(1)
(2)
2000年卷
50管
订购型号
DRV8818PWPR
DRV8818PWP
顶部端标记
DRV8818
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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包装图纸，热数据和符号可在
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1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权
2011-2012年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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2011年9月
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修订后的2012年2月
终端功能
名字
GND
VMA
VMB
VCC
CP1
CP2
VCP
VGD
EnableN
SLEEPN
衰变
号
7, 21
28
15
10
23
24
22
20
26
27
5
I / O
-
-
-
-
IO
IO
IO
IO
I
I
I
(1)
描述
接地装置
桥的电源
网桥B电源
逻辑电源电压
电荷泵飞电容器
电荷泵飞电容器
高侧栅极驱动电压
低侧栅极驱动电压
使能输入
休眠模式下的输入
衰减模式选择
外部组件或连接
电源和接地
连接到电动机电源（8 V至35伏特） 。这两个引脚都必须连接
以相同的电源。
连接到电动机电源（8 V至35伏特） 。这两个引脚都必须连接
以相同的电源。
连接3 V至5 V逻辑电源。旁路至GND 0.1 μF
陶瓷电容器。
连接CP1和CP2之间的0.22 μF电容器。
连接CP1和CP2之间的0.22 μF电容器。
连接一个0.22 μF陶瓷电容V
M
.
旁路至GND 0.22 μF陶瓷电容。
控制
逻辑高电平，禁止设备的输出，逻辑低电平使能输出。
内部弱上拉至VCC 。
逻辑高电平使能器件，逻辑低电平进入低功耗的睡眠模式。
内部弱下拉。
施加电压套衰减模式 - 见电机驱动器说明
详细信息。旁路至GND与0.1μF的陶瓷电容。弱
内部下拉。
上升沿将导致索引移动一步。内部弱
下拉。
级别设置步进的方向。内部弱下拉。
USM0和USM1设置步进模式 - 整步，半步，四分之一
步骤，或8个微/步骤。内部弱下拉。
USM0和USM1设置步进模式 - 整步，半步，四分之一
步骤，或8个微/步骤。内部弱下拉。
低电平有效的复位输入初始化索引逻辑和禁用
H桥输出。内部弱上拉至VCC 。
当低电平有效，同步整流功能。内部弱
下拉。
参考电压绕组电流集
并联电阻和电容连接到GND - 见电机驱动器
说明细节。
并联电阻和电容连接到GND - 见电机驱动器
说明细节。
连接到电流检测电阻的一个桥梁
连接到电流检测电阻电桥B
输出
连接到双极步进电机绕组
正电流是AOUT1
→
AOUT2
连接到双极步进电机绕组
正电流是BOUT1
→
BOUT2
当步骤表的家乡，逻辑低电平逻辑高电平其他国家
步
DIR
USM0
USM1
RESETN
SRN
VREF
RCA
RCB
ISENA
ISENB
AOUT1
AOUT2
BOUT1
BOUT2
HOMEn
(1)
19
3
13
12
17
16
8
6
9
1
14
4
25
11
18
2
I
I
I
I
I
I
I
I
I
-
-
O
O
O
O
O
步骤输入
方向输入
微步模式0
微步模式1
复位输入
同步。正确。使能输入
当前设定的参考输入
桥的消隐和关闭时间调整
网桥B消隐和关闭时间调整
桥有地面/ ISENSE
网桥B地面/ ISENSE
桥有输出1
桥有输出2
网桥B输出1
网桥B输出2
首页位置
路线： I =输入， O =输出， OZ = 3态输出， OD =漏极开路输出， IO =输入/输出
版权
2011-2012年，德州仪器
3
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SLVSAX9A
–
2011年9月
–
修订后的2012年2月
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PWP （ HTSSOP ）包装
ISENA
家
DIR
AOUT1
衰变
RCA
GND
VREF
RCB
VCC
BOUT1
USM1
USM0
ISENB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
GND
（ PPAD ）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VMA
SLEEPN
EnableN
AOUT2
CP2
CP1
VCP
GND
VGD
步
BOUT2
RESETN
SRN
VMB
绝对最大额定值
(1)
V
MX
V
CC
V
REF
I
O（峰）
P
D
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
电源电压范围
电源电压范围
数字引脚电压范围
输入电压范围
ISENSEx引脚电压范围
山顶电机驱动输出电流
连续总功率耗散
工作结温范围
存储温度范围
(2) (3)
民
–0.3
–0.3
–0.5
–0.3
V
–0.3
最大
35
7
7
V
CC
0.5
单位
V
V
V
V
V
内部限制
见热信息表
–40
–60
150
150
°C
°C
强调超越那些在列
"absolute
最大ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
"recommended
操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
功耗和散热的限制必须遵守。
热信息
DRV8818
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
结至电路板的热阻
(4)
(5)
(2)
(1)
PWP
28个引脚
32.2
16.3
14
0.5
13.8
2.1
单位
结至外壳（顶部）热阻
(3)
结至顶部的特征参数
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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DRV8818
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2011-2012年，德州仪器
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DRV8818
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SLVSAX9A
–
2011年9月
–
修订后的2012年2月
推荐工作条件
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
民
V
M
V
CC
V
REF
R
X
C
X
(1)
电机电源电压范围
逻辑电源电压范围
VREF输入电压
R
X
电阻值
C
X
电容值
所有V
M
引脚必须连接到相同的电源电压。
(1)
喃
最大
35
5.5
V
CC
单位
V
V
V
kΩ
pF
8
3
0
470
12
680
56
1500
100
电气特性
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
电源
I
VM
I
VCC
I
VMQ
I
VCCQ
V
UVLO
V
M
工作电源电流
V
CC
工作电源电流
V
M
休眠模式下电源电流
V
CC
休眠模式下电源电流
V
M
欠压锁定电压
V
CC
欠压锁定电压
VREF输入电流
斩波电流精度
V
M
升起
V
CC
升起
VREF = 3.3 V
VREF = 2.0V时， 70％至100 ％的电流
VREF = 2.0V时，20％至56 ％的电流
–3
–5
–10
V
M
= 35 V，F
PWM
＆ LT ;
50千赫
f
PWM
＆ LT ;
50千赫
V
M
= 35 V
7
0.4
3
0.5
6.7
2.75
10
4
20
20
7.5
2.95
3
5
10
0.3
×
V
CC
0.7
×
V
CC
300
VIN = 0.3
×
V
CC
VIN = 0.3
×
V
CC
–20
–20
1
1
I
O
= 200
μA
I
O
=
–200 μA
对于快速衰减模式
对于慢速衰减模式
V
M
= 24 V，I
O
= 2.5 A，T
J
= 25°C
V
M
= 24 V，I
O
= 2.5 A，T
J
= 25°C
–20
OFF时间
电流检测消隐时间
死区时间
上升时间
下降时间
RX = 56 kΩ的， Cx的= 680 pF的
RX = 56 kΩ的， Cx的= 680 pF的
SRN = 0
35
900
100
10
10
44
1250
475
0.7
×
VCC
0.21
×
VCC
0.6
×
VCC
0.22
0.15
0.30
0.24
20
53
1500
800
80
80
0.3
×
VCC
20
20
mA
mA
μA
μA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
VREF输入/电流控制精度
I
REF
ΔI
CHOP
μA
%
%
V
V
mV
μA
μA
MΩ
MΩ
V
V
V
V
μA
μs
ns
ns
ns
ns
逻辑电平输入
V
IL
V
IH
V
HYS
I
IL
I
IH
R
PU
R
PD
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
关闭
电机驱动器
t
关闭
t
空白
t
DT
t
R
t
F
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入低电平电流
输入高电流
上拉电阻
下拉电阻
输出低电压
输出高电压
输入低阈值电压
输入高阈值电压
HS FET导通电阻
LS FET导通电阻
HOMEn输出
输入衰减
H- BRIDGE场效应管
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