DRV8805
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SLVSAW3C - 2011年7月 - 修订2012年3月
单极步进电机驱动器IC
检查样品：
DRV8805
1
特点
4 - Channel受保护的低侧驱动器
- 四个NMOS FET的带过电流
保护
- 集成电感钳位二极管
索引器/转换器的单极步进电机
- 简单的步进/方向接口
- 三步模式（ 2相全步， 1-2-
相半步， 1相波道）
DW包装： 1.5 -A （单通道开）/
800毫安（四通道上）最大驱动
每通道电流（25° C）
PWP封装： 2 -A （单通道开）/
1 -A （四通道上）最大驱动
目前每通道（ 25°C时，适当的印刷电路板
散热）
8.2 V至60 V工作电源电压范围
耐热增强型表面贴装封装
2
应用
游戏机
一般单极步进电机驱动器
描述
该DRV8805提供用于驱动单极步进电机的集成解决方案。它包括四个低侧驱动器
与过电流保护，并提供了内置的二极管钳位电机产生的关断瞬间
绕组。
索引器的逻辑控制采用简单的步/方向接口单极步进电机还集成。三
步进模式被支持： 2相（全步） ， 1-2阶段（半工序） ，和1相（波驱动器）。
在SOIC （ DW ）封装，该DRV8805可提供高达1.5 A（在一个通道）或800毫安（所有通道）
每信道的连续输出电流，在25℃下。在HTSSOP （ PWP ）封装，可提供高达2 -A （ 1
上信道）或1 -A（ 4通道上）每个通道的连续输出电流，在25℃下用适当的印刷电路板
散热。
提供过电流保护，短路保护内部关断功能，欠压
锁定和过温保护和故障由一个故障输出引脚指示。
该DRV8805是采用20引脚耐热增强型SOIC封装和16引脚HTSSOP封装（生态
环保：符合RoHS &无锑/溴） 。
订购信息
(1)
包
(2)
（ SOIC ） - DW
（ HTSSOP ） - PWP
(1)
(2)
2000年卷
25管
2000年卷
90管
订购零件
数
DRV8805DWR
DRV8805DW
DRV8805PWPR
DRV8805PWP
TOP- SIDE
记号
DRV8805
DRV8805
DRV8805
DRV8805
有关最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2011-2012 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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设备信息
功能框图
8.2V – 60V
VM
国内
参考
REGS
UVLO
诠释。 VCC
LS门
DRIVE
8.2V – 60V
可选
齐纳
VCLAMP
nENBL
步
DIR
SM0
SM1
RESET
nFault
3.3V
OCP
＆放大器;
门
DRIVE
OUT1
绕组1
控制
逻辑
OCP
＆放大器;
门
DRIVE
OUT2
绕组2
OCP
＆放大器;
门
DRIVE
OUT3
绕组3
nHome
OCP
＆放大器;
门
DRIVE
OUT4
绕组4
单极
步进
热
关闭
GND
（多针）
2
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表1.端子功能
名字
针
（ SOIC ）
5, 6, 7,
14, 15, 16
1
10
11
18
17
13
12
针
（ HTSSOP ）
5, 12,
PPAD
1
8
9
14
13
11
10
I / O
(1)
描述
外部元件
或连接
电源和接地
GND
VM
控制
nENBL
RESET
步
DIR
SM0
SM1
状态
nFault
nHome
产量
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
VCLAMP
(1)
3
4
8
9
2
3
4
6
7
2
O
O
O
O
-
输出1
输出2
输出3
输出4
输出钳位电压
连接到负载1
连接到负载2
连接到负载3
连接到负载4
连接到虚拟机电源，或齐纳二极管VM
供应
20
19
16
15
OD
OD
故障
家
（在故障状态时，逻辑低温度过高，
过流）
当索引是在家里地位低的逻辑 -
内部弱上拉至3.3 V
I
I
I
I
I
使能输入
复位输入
步骤输入
方向输入
STEP模式
低电平有效使输出 - 内部下拉
高电平有效复位输入初始化内部
逻辑 - 内部下拉
上升沿推进电机下一步 -
内部下拉
等级控制旋转方向 - 内部
下拉
设置步模式 - 见步进模式一节
详细信息 - 内部下拉
-
-
接地装置
器件电源
所有引脚都必须连接到GND 。
连接到电机电源（ 8.2 V - 60 V ） 。
路线： I =输入， O =输出， OD =开漏输出
DW （ WIDE SOIC）封装
（ TOP VIEW ）
VM
VCLAMP
OUT1
OUT2
GND
GND
GND
OUT3
OUT4
nENBL
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
nFault
nHome
步
DIR
GND
GND
GND
SM0
SM1
RESET
PWP （ HTSSOP ）包装
（顶面）
VM
VCLAMP
OUT1
OUT2
GND
OUT3
OUT4
nENBL
1
2
3
4
5
6
7
8
GND
16
15
14
13
12
11
10
9
nFault
nHome
步
DIR
GND
SM0
SM1
RESET
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VM
VOUTX
VCLAMP
nHOME ，
nFault
电源电压范围
输出电压范围
钳位电压范围
输出电流
峰值钳位二极管电流
DC或RMS钳位二极管电流
数字输入引脚的电压范围
nHOME ，
nFault
数字输出引脚的电压范围
山顶电机驱动的输出电流，T < 1
μS
连续总功率耗散
T
J
T
英镑
(1)
(2)
经营虚拟结温范围
存储温度范围
(1) (2)
价值
-0.3至65
-0.3至65
-0.3至65
20
2
1
-0.5 7
-0.5 7
内部限制
-40至150
-60至150
单位
V
V
V
mA
A
A
V
V
A
°C
°C
见耗散额定值表
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
热信息
DRV8805
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
(1)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(3)
结至顶部的特征参数
(4)
(2)
DRV8805
PWP
16针
39.6
24.6
20.3
0.7
20.1
2.3
° C / W
单位
DW
20针
67.7
32.9
35.4
8.2
34.9
不适用
(6)
结至电路板的特征参数
(5)
结至外壳（底部）热阻
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
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推荐工作条件
民
V
M
V
钳
电源电压范围
输出钳位电压范围
(1)
连续输出电流上，T单通道
A
= 25 ° C， SOIC封装
(2)
I
OUT
连续输出电流，四通道上，T
A
= 25 ° C， SOIC封装
(2)
喃
最大
60
60
1.5
0.8
1.5
0.8
单位
V
V
8.2
0
连续输出电流上，T单通道
A
= 25 ° C， HTSSOP封装
(2)
连续输出电流，四通道上，T
A
= 25 ° C， HTSSOP封装
(2)
A
(1)
(2)
V
钳
仅用于提供所述钳位二极管。它不是一个电源输入。
功耗和散热的限制必须遵守。
电气特性
T
A
= 25 ° C，在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
电源
I
VM
V
UVLO
VM工作电源电流
VM欠压锁定
电压
输入低电压
输入高电压
输入滞后
输入低电平电流
输入高电流
下拉电阻
输出低电压
输出高泄漏电流
输出低电压
输出高电压
输出高泄漏电流
I
O
= 5毫安
V
O
= 3.3 V
I
O
= 5毫安
I
O
= 100 μA ，V
M
= 24 V
V
O
= 3.3 V
V
M
= 24 V，I
O
= 700毫安，T
J
= 25°C
V
M
= 24 V，I
O
= 700毫安，T
J
= 85°C
–50
V
M
= 24 V，I
O
= 700毫安，T
J
= 25°C
V
M
= 24 V ，T
J
= 25°C
V
M
= 24 V，I
O
= 700 mA时，阻性负载
V
M
= 24 V，I
O
= 700 mA时，阻性负载
–50
50
50
2.3
3.5
1.2
模温机
(1)
150
160
180
1.2
50
300
300
3.8
0.5
0.75
0.8
50
3.3
1
VIN = 0
VIN = 3.3 V
100
0.5
1
0.5
–20
2
0.45
20
100
V
M
= 24 V
V
M
升起
1.6
2.1
8.2
mA
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
逻辑电平输入（施密特触发器输入有滞后）
V
IL
V
IH
V
HYS
I
IL
I
IH
R
PD
V
OL
I
OH
V
OL
V
OH
I
OH
0.6
0.7
V
V
V
μA
μA
kΩ
V
μA
V
V
A
nFAULT输出（漏极开路输出）
nHOME输出（带内部弱上拉漏极开路输出）
低边FET
R
DS （ ON）
I
关闭
V
F
I
关闭
输出
t
R
t
F
I
OCP
t
OCP
t
重试
t
TSD
(1)
上升时间
下降时间
过流保护跳闸水平
过流保护抗尖峰脉冲
时间
过流保护重试
时间
热关断温度
未经生产测试。
ns
ns
A
s
ms
°C
FET导通电阻
断态泄漏电流
二极管的正向电压
断态泄漏电流
μA
V
μA
高侧二极管
保护电路
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