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DRV8711
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SLVSC40 - 2013年6月
步进电机控制器IC
1
特点
脉冲宽度调制（PWM）的微
电机驱动器
- 内置1/ 256微步索引
- 驱动外部N沟道MOSFET
- 可选STEP / DIR引脚
- 可选PWM控制接口DC
汽车
灵活的衰减模式，包括自动
混合衰减模式
失速检测可选的反电动势输出
高cConfigurable弗吉尼亚州的SPI串行接口
内部参考和扭矩DAC
8 V至52 V工作电源电压范围
可扩展的输出电流
耐热增强型表面贴装封装
5 V稳压器， 10 - mA的负载
保护和诊断功能
过电流保护（ OCP ）
- 过热关机（ OTS ）
欠压锁定（UVLO ）
- 个别故障状态指示位
- 故障状态指示针
2
应用
办公自动化设备
工厂自动化
纺织机械
机器人
描述
该DRV8711是使用外部N沟道MOSFET，可驱动一个双极步进步进电机控制器
电动机或两个有刷直流电机。一个微索引集成，它能够一步模式从全
步骤1/ 256的步骤。
超流畅的运动曲线可以使用自适应消隐时间和各种电流衰减模式来实现，
包括自动混合衰减模式。电机堵转报一个可选的反电动势输出。
一个简单的步进/方向或PWM接口，可轻松连接到控制电路。一个SPI串行接口
用于该设备的操作进行编程。输出电流（转矩） ，步模式，衰减模式，和失速检测
功能是通过一个SPI串行接口的所有编程。
提供过电流保护，短路保护内部关断功能，欠压
锁定和过温保护。故障条件下经由FAULTn销说明，并且每个故障状况
通过SPI通过一个专用位的报道。
该DRV8811封装在一个使用PowerPad 38引脚HTSSOP封装，散热垫（环保：符合RoHS
无锑/溴） 。
订购信息
(1)
T
A
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
包
(2)
使用PowerPad （ HTSSOP ） - PWP
2000年卷
40管
订购型号
DRV8711DCPR
DRV8711DCP
顶部端标记
DRV8711
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有 2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
DRV8711
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SLVSC40 - 2013年6月
终端功能
名字
GND
号
5, 29,
38,
PPAD
4
7
6
1
2
3
8
10
11
12
13
9
I / O
-
(1)
描述
接地装置
外部组件或连接
所有引脚都必须连接到地
电源和接地
VM
VINT
V5
CP1
CP2
VCP
SLEEPN
STEP/AIN1
DIR/AIN2
BIN1
BIN2
RESET
-
-
O
IO
IO
IO
I
I
I
I
I
I
桥的电源
内部逻辑电源电压
5 V稳压器输出
电荷泵飞电容器
电荷泵飞电容器
高侧栅极驱动电压
休眠模式下的输入
步骤输入/网桥A IN1
方向输入/网桥A IN2
网桥B IN1
网桥B IN2
复位输入
连接到电动机电源电压。旁路至GND 0.01 μF
陶瓷电容器加上一个100 μF的电解电容器。
逻辑电源电压。旁路至GND 1 μF 6.3 -V X7R陶瓷
电容。
5 -V的线性调节器的输出。旁路至GND 0.1 μF 10V的X7R
陶瓷电容器。
连接CP1和CP2之间的一个0.1 μF的X7R电容。电压
等级必须大于外加VM电压。
连接一个1 μF 16 -V X7R陶瓷电容VM
控制
逻辑高电平使能器件，逻辑低电平进入低功耗的睡眠模式
索引模式：上升沿将导致索引移动一步。
外部PWM模式：控制桥一OUT1内部下拉。
索引模式：等级设置步进的方向。
外部PWM模式：控制桥一OUT2内部下拉。
索引模式：无功能
外部PWM模式：控制桥B OUT1内部下拉。
索引模式：无功能
外部PWM模式：控制桥B OUT2内部下拉。
高电平有效复位输入初始化所有的内部逻辑和禁用H-
电桥输出。内部下拉。
串行接口
高电平有效使能串行数据传输。内部下拉。
上升沿时钟到数据部分写入操作。下降沿
时钟数据输出的一部分用于读操作。内部下拉。
来自控制器的串行数据输入端。内部下拉。
串行数据输出到控制器。漏极开路输出需要外部
拉。
状态
内部失速检测模式：逻辑低电平时，电机堵转检测。
外部失速检测模式：低电平有效时，反电动势
测量准备就绪。
漏极开路输出需要外部上拉。
在故障状态时，逻辑低。漏极开路输出需要外部
上拉。
缺点： OCP ， PDF ， OTS ， UVLO
模拟输出电压表示电机反电动势。放置一个1 nF的低
漏电容接在该引脚。
输出
连接到HS FET的栅极，桥A掉1
连接到网桥A的外部FET出1的输出节点
连接到LS FET的栅极，桥A掉1
连接到HS FET的栅极，桥A掉2
连接到网桥A的外部FET输出2的输出节点
连接到LS FET的栅极，桥A掉2
连接到电流检测电阻的一个桥梁
连接到地的电流检测电阻的一个桥梁
连接到HS FET的栅极桥梁B出1
SCS
SCLK
SDATI
SDATO
16
14
15
17
I
I
I
O
串行片选输入
串行时钟输入
串行数据输入
串行数据输出
STALLn /
BEMFVn
19
OD
失速/反电动势有效
FAULTn
18
OD
故障
BEMF
20
O
反电动势
A1HS
AOUT1
A1LS
A2HS
AOUT2
A2LS
AISENP
AISENN
B1HS
(1)
36
37
35
31
30
32
34
33
27
O
I
O
O
I
O
I
I
O
桥A掉1 HS门
桥有输出1
桥A掉1 LS门
桥A掉2 HS门
桥有输出2
桥A掉2 LS门
网桥A ISENSE +中
网桥A ISENSE - 中
网桥B出1 HS门
路线： I =输入， O =输出， OZ = 3态输出， OD =漏极开路输出， IO =输入/输出
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3
版权所有 2013年，德州仪器
DRV8711
SLVSC40 - 2013年6月
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终端功能（续）
名字
BOUT1
B1LS
B2HS
BOUT2
B2LS
BISENP
BISENN
号
28
26
22
21
23
25
24
I / O
(1)
I
O
O
I
O
I
I
描述
网桥B输出1
网桥B出1 LS门
网桥B出2 HS门
网桥B输出2
网桥B出2 LS门
网桥B ISENSE +中
网桥B ISENSE - 中
外部组件或连接
连接到网桥B的外部FET出1的输出节点
连接到LS FET的栅极桥梁B出1
连接到HS FET的栅极桥梁B出2
连接到网桥B的外部FET输出2的输出节点
连接到LS FET的栅极桥梁B出2
连接到电流检测电阻电桥B
连接到地的电流检测电阻电桥B
关键组件
针
4
3
1, 2
6
7
17
18
19
20
名字
VM
VCP
CP1，CP2
V5
VINT
SDATO
FAULTn
STALLn / BEMFVn
BEMF
部件
100 μF电解额定VM电压GND 0.01 μF的陶瓷额定VM电压GND
1μF陶瓷X7R额定16 V至VCP
0.1 μF额定VM + 12 V之间，这些引脚
0.1 μF的陶瓷X7R额定6.3 V至GND
1μF陶瓷X7R额定值6.3 V至GND
需要外部上拉至逻辑电源
需要外部上拉至逻辑电源
需要外部上拉至逻辑电源
1 nF的低漏电电容到GND
DCP （ HTSSOP ）包装
CP1
CP2
VCP
VM
GND
V5
VINT
SLEEPN
RESET
STEP / AIN1
DIR / AIN2
BIN1
BIN2
SCLK
SDATI
SCS
SDATO
FAULTn
STALLn / BEMFVn
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
（ PPAD ）
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
GND
AOUT1
A1HS
A1LS
AISENP
AISENN
A2LS
A2HS
AOUT2
GND
BOUT1
B1HS
B1LS
BISENP
BISENN
B2LS
B2HS
BOUT2
BEMF
4
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DRV8711
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DRV8711
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(2) (3)
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
DRV8711
电源电压范围
电荷泵电压范围（ CP1 ， CP2 ， VCP ）
5V稳压器电压（ V5 ）
内部稳压器电压（ VINT ）
数字引脚的电压范围（ SLEEPN ， RESET ， STEP / AIN1 ， DIR / AIN2 ， BIN1 ， BIN2 ， SCS ， SCLK ， SDATI ，
SDATO ， FAULTn ， STALLn / BEMFVn ）
高侧栅极驱动引脚电压范围（ A1HS ， A2HS ， B1HS ， B2HS ）
低侧栅极驱动引脚电压范围（ A1LS ， A2LS ， B1LS ， B2LS ）
相节点引脚电压范围（ AOUT1 ， AOUT2 ， BOUT1 ， BOUT2 ）
ISENSEx引脚电压（ AISENP ， AISENN ， BISENP ， BISENN ）
BEMF引脚电压范围（ BEMF ）
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
(1)
(2)
(3)
-0.6至60
-0.6到VM + 12
-0.6 5.5
-0.6 2.0
-0.6 5.5
-0.6到VM + 12
-0.6至12
-0.6到VM
-0.7到+0.7
-0.6到VM
-40至150
-60至150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
功耗和散热的限制必须遵守。
热信息
DRV8711
热公制
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
(1)
DCP
38针
32.7
17.2
14.3
0.5
14.1
0.9
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
间隔
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
M
I
VS
T
A
电机电源电压范围
V5外部负载电流
工作环境温度范围
8
0
-40
喃
最大
52
10
85
单位
V
mA
°C
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5
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