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DRV8312
DRV8332
www.ti.com
SLES256 - 2010年5月
三相PWM电机驱动器
检查样品：
DRV8312 ， DRV8332
1
特点
高效率功率级（高达97％ ），与
低R
DS （ ON）
的MOSFET （ 80毫欧在T
J
= 25°C)
工作电源电压高达50 V
（ 70 V绝对最大）
DRV8312 （电源板下） ：高达3.5 A
连续相电流（ 6.5 A峰值）
DRV8332 （电源垫起来） ：最高8的
连续相电流（ 13 A峰值）
的三相独立控制
PWM工作频率高达500 kHz
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，和
短路
可编程的逐周期电流限制
保护
独立的电源和地引脚用于各
半桥
智能栅极驱动和交叉传导
预防
无需外部缓冲或肖特基二极管
需要
因为低R的
DS （ ON）
功率MOSFET的
与智能栅极驱动设计，效率
这些电机驱动器可以高达97％ ，这使
使用较小的电源和散热片，并且
是很好的候选能源的有效应用。
该DRV8312 / 32需要两个电源，一个在
12 V的GVDD和VDD ，另有高达50 V的
PVDD 。该DRV8312 / 32可高达操作
500 kHz的开关频率，同时仍保持
精确控制和高效率。他们也有一个
创新的保护系统维护设备
对大范围的故障情况是可能
损坏系统。这些保障措施
短路保护，过电流保护，
欠压保护，和两阶段的热
保护。该DRV8312 / 32有一个限流
电路，防止在负载关断器件
瞬变如电机启动。可编程
过电流检测器提供了可调电流限制
和保护水平，以适应不同的电机
要求。
该DRV8312 / 32具有独特的独立供应
和接地引脚为每个半桥，这使得它
可通过提供电流测量
外部分流电阻和支持半桥驱动器
具有不同电源电压的要求。
简化应用图
PVDD
GVDD
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
应用
直流无刷电机
三相永磁同步
汽车
逆变器
半桥驱动器
机器人控制系统
调节器
M
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
GVDD_C
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_C
RESET_B
描述
该DRV8312 / 32是高性能，集成
三相电机驱动器采用先进的
保护系统。
GVDD
VDD
GVDD_C
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
SLES256 - 2010年5月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
VDD到GND
GVDD_X到GND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
(2)
(2)
(2)
(1)
价值
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至70 V
0.3 V至70 V
0.3 V至80 V
16 A
20 A
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
-40 ° C至150℃
-55_C到150_C
瞬时峰值输出电流（每针） ，脉冲宽度有限的内部的过电流保护电路。
瞬态峰值输出电流为锁存关断（每针）
VREG到AGND
GND_X到GND
GND到AGND
PWM_X ， RESET_X到GND
OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
FAULT ， OTW到GND
最大连续灌电流（故障， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
推荐工作条件
民
PVDD_x
GVDD_X
VDD
I
O_PULSE
I
O
F
SW
R
OCP_CBC
R
OCP_OCL
C
BST
T
ON_MIN
T
A
(1)
半桥X（ A， B或C ）的直流电源电压
供应逻辑稳压器和栅极驱动电路
数字式稳压电源电压
每个输出引脚的脉冲峰值电流（可通过热限制）
每个输出引脚连续电流（ DRV8332 ）
PWM开关频率
OC编程电阻范围，逐周期电流限制模式
OC编程电阻范围OC锁存关断模式
自举电容范围
最小PWM脉冲的持续时间，低侧
工作环境温度
-40
22
19
33
50
85
(1)
0
10.8
10.8
喃
50
12
12
最大
52.5
13.2
13.2
15
8
500
200
200
220
单位
V
V
V
A
A
千赫
k
k
nF
nS
°C
根据功耗和散热，该DRV8312 / 32可支持的环境温度超过85 ℃。参阅
封装的热耗散额定值表和封装的功率降额表。
2
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DRV8312 DRV8332
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
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SLES256 - 2010年5月
封装的热耗散额定值
参数
R
QJC
，结到外壳（电源板/散热片）
热阻
R
qJA
，结到环境的热阻
裸露焊盘电源/散热片面积
DRV8312
1.1 ° C / W
DRV8332
0.9 ° C / W
这个装置不适合用于
无需散热器。因此，R
qJA
不
指定的。见
热信息
部分。
80 mm
2
25 C / W
34 mm
2
封装的功率降额（ DRV8312 ）
(1)
包
44引脚TSSOP （ DDW ）
(1)
基于EVM板布局
T
A
= 25°C
动力
等级
5.0 W
降额
因素
上述牛逼
A
=
25°C
40.0毫瓦/°C的
T
A
= 70 °C电源
等级
3.2 W
T
A
= 85 °C电源
等级
2.6 W
T
A
= 125 °C电源
等级
1.0 W
模式选择引脚
模式引脚
M3
1
1
0
1
M2
0
0
x
1
M1
0
1
x
x
产量
CON组fi guration
1 3相或3 HB
1 3相或3 HB
描述
用逐周期电流限制三相或三个半桥
与OC锁存关断三相或三个半桥（无
逐周期电流限制）
版权所有
版权所有
2010 ，德州仪器
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DRV8312 DRV8332
3
DRV8312
DRV8332
SLES256 - 2010年5月
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设备信息
引脚分配
下面是引脚的DRV8312 / 32 ：
DRV8312 ： 44引脚TSSOP封装的功率垫下DDW包。此包包含一个散热垫是
位于设备的底侧，用于通过电路板散热。
DRV8332 ： 36引脚PSOP3 DKD包。此包包含位于顶部的厚厚的散热片
该设备通过散热片散热的一面。
DRV8312
DDW套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
VDD
NC
NC
PWM_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
DRV8332
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
BST_C
NC
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND
GND
NC
NC
BST_B
PVDD_B
OUT_B
GND_B
GND_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
NC
BST_A
GVDD_A
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
RESET_B
RESET_C
PWM_C
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
RESET_C
RESET_B
M1
M2
M3
VREG
AGND
GND
OC_ADJ
PWM_B
RESET_A
PWM_A
故障
NC
NC
OTW
GVDD_B
GVDD_C
引脚功能
针
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
DRV8312
12
24
33
43
13, 36, 37
29
30
38
23
22
1, 44
8
9
10
3,4,19,20,25,34,35
,42
14
DRV8332
9
35
28
20
8
32
31
23
36
1
18, 19
13
12
11
26,27
7
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
-
O
(1)
描述
模拟地
高压侧自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_A要求
以OUT_B所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
以OUT_C所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
地
电源地为半桥A需要接近去耦电容到地
电源地为半桥B需要接近去耦电容到地
电源地为半桥C要求接近去耦电容到地
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
模式选择引脚
模式选择引脚
保留模式选择引脚，建议AGND连接
无连接引脚。建议接地连接
模拟过流编程管脚，要求电阻到AGND
(1)
4
I =输入， O =输出， P =电源， T =热
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产品文件夹链接（ S） ：
DRV8312 DRV8332
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
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针
名字
OTW
DRV8312
21
DRV8332
2
SLES256 - 2010年5月
功能
O
(1)
描述
超温预警信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻
到VREG （ 3.3V）被设置在输出端。等级达标的5 V逻辑可以
通过外接上拉电阻到5V获得
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
电源输入半桥A需要接近去耦电容到地。
电源输入半桥B需要接近去耦电容gound 。
电源输入半桥C要求接近去耦电容到地。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
复位信号的半桥A，低电平有效
复位信号的半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C，低电平有效
故障信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻，以VREG （ 3.3 V ）是
提供输出。可以通过增加获得等级达标的5 V逻辑
外部上拉电阻到5V
电源的数字电压调节器需要电容到地的
脱钩。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND。
焊接裸露热焊盘的DRV8312DDW包的底部
停机坪在PCB上。通孔，以大型地面连接的停机坪
板更好的散热效果。
摩散热器上的顶部散热接口散热片
DRV8332DKD包，以提高散热效果。
OUT_A
OUT_B
OUT_C
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PWM_A
PWM_B
PWM_C
RESET_A
RESET_B
RESET_C
故障
28
31
39
26,27
32
40,41
17
15
5
16
7
6
18
33
30
22
34
29
21
4
6
16
5
15
15
3
O
O
O
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
VDD
VREG
散热垫
2
11
--
17
10
不适用
P
P
T
散热片
不适用
--
T
2010 ，德州仪器
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DRV8312 DRV8332
5
DRV8312
DRV8332
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SLES256 - 2010年5月
三相PWM电机驱动器
检查样品：
DRV8312 ， DRV8332
1
特点
高效率功率级（高达97％ ），与
低R
DS （ ON）
的MOSFET （ 80毫欧在T
J
= 25°C)
工作电源电压高达50 V
（ 70 V绝对最大）
DRV8312 （电源板下） ：高达3.5 A
连续相电流（ 6.5 A峰值）
DRV8332 （电源垫起来） ：最高8的
连续相电流（ 13 A峰值）
的三相独立控制
PWM工作频率高达500 kHz
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，和
短路
可编程的逐周期电流限制
保护
独立的电源和地引脚用于各
半桥
智能栅极驱动和交叉传导
预防
无需外部缓冲或肖特基二极管
需要
因为低R的
DS （ ON）
功率MOSFET的
与智能栅极驱动设计，效率
这些电机驱动器可以高达97％ ，这使
使用较小的电源和散热片，并且
是很好的候选能源的有效应用。
该DRV8312 / 32需要两个电源，一个在
12 V的GVDD和VDD ，另有高达50 V的
PVDD 。该DRV8312 / 32可高达操作
500 kHz的开关频率，同时仍保持
精确控制和高效率。他们也有一个
创新的保护系统维护设备
对大范围的故障情况是可能
损坏系统。这些保障措施
短路保护，过电流保护，
欠压保护，和两阶段的热
保护。该DRV8312 / 32有一个限流
电路，防止在负载关断器件
瞬变如电机启动。可编程
过电流检测器提供了可调电流限制
和保护水平，以适应不同的电机
要求。
该DRV8312 / 32具有独特的独立供应
和接地引脚为每个半桥，这使得它
可通过提供电流测量
外部分流电阻和支持半桥驱动器
具有不同电源电压的要求。
简化应用图
PVDD
GVDD
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
应用
直流无刷电机
三相永磁同步
汽车
逆变器
半桥驱动器
机器人控制系统
调节器
M
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
GVDD_C
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_C
RESET_B
描述
该DRV8312 / 32是高性能，集成
三相电机驱动器采用先进的
保护系统。
GVDD
VDD
GVDD_C
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
SLES256 - 2010年5月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
VDD到GND
GVDD_X到GND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
(2)
(2)
(2)
(1)
价值
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至70 V
0.3 V至70 V
0.3 V至80 V
16 A
20 A
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
-40 ° C至150℃
-55_C到150_C
瞬时峰值输出电流（每针） ，脉冲宽度有限的内部的过电流保护电路。
瞬态峰值输出电流为锁存关断（每针）
VREG到AGND
GND_X到GND
GND到AGND
PWM_X ， RESET_X到GND
OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
FAULT ， OTW到GND
最大连续灌电流（故障， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
推荐工作条件
民
PVDD_x
GVDD_X
VDD
I
O_PULSE
I
O
F
SW
R
OCP_CBC
R
OCP_OCL
C
BST
T
ON_MIN
T
A
(1)
半桥X（ A， B或C ）的直流电源电压
供应逻辑稳压器和栅极驱动电路
数字式稳压电源电压
每个输出引脚的脉冲峰值电流（可通过热限制）
每个输出引脚连续电流（ DRV8332 ）
PWM开关频率
OC编程电阻范围，逐周期电流限制模式
OC编程电阻范围OC锁存关断模式
自举电容范围
最小PWM脉冲的持续时间，低侧
工作环境温度
-40
22
19
33
50
85
(1)
0
10.8
10.8
喃
50
12
12
最大
52.5
13.2
13.2
15
8
500
200
200
220
单位
V
V
V
A
A
千赫
k
k
nF
nS
°C
根据功耗和散热，该DRV8312 / 32可支持的环境温度超过85 ℃。参阅
封装的热耗散额定值表和封装的功率降额表。
2
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2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
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SLES256 - 2010年5月
封装的热耗散额定值
参数
R
QJC
，结到外壳（电源板/散热片）
热阻
R
qJA
，结到环境的热阻
裸露焊盘电源/散热片面积
DRV8312
1.1 ° C / W
DRV8332
0.9 ° C / W
这个装置不适合用于
无需散热器。因此，R
qJA
不
指定的。见
热信息
部分。
80 mm
2
25 C / W
34 mm
2
封装的功率降额（ DRV8312 ）
(1)
包
44引脚TSSOP （ DDW ）
(1)
基于EVM板布局
T
A
= 25°C
动力
等级
5.0 W
降额
因素
上述牛逼
A
=
25°C
40.0毫瓦/°C的
T
A
= 70 °C电源
等级
3.2 W
T
A
= 85 °C电源
等级
2.6 W
T
A
= 125 °C电源
等级
1.0 W
模式选择引脚
模式引脚
M3
1
1
0
1
M2
0
0
x
1
M1
0
1
x
x
产量
CON组fi guration
1 3相或3 HB
1 3相或3 HB
描述
用逐周期电流限制三相或三个半桥
与OC锁存关断三相或三个半桥（无
逐周期电流限制）
版权所有
版权所有
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DRV8312 DRV8332
3
DRV8312
DRV8332
SLES256 - 2010年5月
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设备信息
引脚分配
下面是引脚的DRV8312 / 32 ：
DRV8312 ： 44引脚TSSOP封装的功率垫下DDW包。此包包含一个散热垫是
位于设备的底侧，用于通过电路板散热。
DRV8332 ： 36引脚PSOP3 DKD包。此包包含位于顶部的厚厚的散热片
该设备通过散热片散热的一面。
DRV8312
DDW套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
VDD
NC
NC
PWM_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
DRV8332
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
BST_C
NC
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND
GND
NC
NC
BST_B
PVDD_B
OUT_B
GND_B
GND_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
NC
BST_A
GVDD_A
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
RESET_B
RESET_C
PWM_C
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
RESET_C
RESET_B
M1
M2
M3
VREG
AGND
GND
OC_ADJ
PWM_B
RESET_A
PWM_A
故障
NC
NC
OTW
GVDD_B
GVDD_C
引脚功能
针
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
DRV8312
12
24
33
43
13, 36, 37
29
30
38
23
22
1, 44
8
9
10
3,4,19,20,25,34,35
,42
14
DRV8332
9
35
28
20
8
32
31
23
36
1
18, 19
13
12
11
26,27
7
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
-
O
(1)
描述
模拟地
高压侧自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_A要求
以OUT_B所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
以OUT_C所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
地
电源地为半桥A需要接近去耦电容到地
电源地为半桥B需要接近去耦电容到地
电源地为半桥C要求接近去耦电容到地
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
模式选择引脚
模式选择引脚
保留模式选择引脚，建议AGND连接
无连接引脚。建议接地连接
模拟过流编程管脚，要求电阻到AGND
(1)
4
I =输入， O =输出， P =电源， T =热
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DRV8312 DRV8332
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
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针
名字
OTW
DRV8312
21
DRV8332
2
SLES256 - 2010年5月
功能
O
(1)
描述
超温预警信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻
到VREG （ 3.3V）被设置在输出端。等级达标的5 V逻辑可以
通过外接上拉电阻到5V获得
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
电源输入半桥A需要接近去耦电容到地。
电源输入半桥B需要接近去耦电容gound 。
电源输入半桥C要求接近去耦电容到地。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
复位信号的半桥A，低电平有效
复位信号的半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C，低电平有效
故障信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻，以VREG （ 3.3 V ）是
提供输出。可以通过增加获得等级达标的5 V逻辑
外部上拉电阻到5V
电源的数字电压调节器需要电容到地的
脱钩。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND。
焊接裸露热焊盘的DRV8312DDW包的底部
停机坪在PCB上。通孔，以大型地面连接的停机坪
板更好的散热效果。
摩散热器上的顶部散热接口散热片
DRV8332DKD包，以提高散热效果。
OUT_A
OUT_B
OUT_C
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PWM_A
PWM_B
PWM_C
RESET_A
RESET_B
RESET_C
故障
28
31
39
26,27
32
40,41
17
15
5
16
7
6
18
33
30
22
34
29
21
4
6
16
5
15
15
3
O
O
O
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
VDD
VREG
散热垫
2
11
--
17
10
不适用
P
P
T
散热片
不适用
--
T
2010 ，德州仪器
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DRV8312 DRV8332
5
DRV8312
DRV8332
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三相PWM电机驱动器
检查样品：
DRV8312 ， DRV8332
1
特点
高效率功率级（高达97％ ），与
低R
DS （ ON）
的MOSFET （ 80毫欧在T
J
= 25°C)
工作电源电压高达50 V
（ 70 V绝对最大）
DRV8312 （电源板下） ：高达3.5 A
连续相电流（ 6.5 A峰值）
DRV8332 （电源垫起来） ：最高8的
连续相电流（ 13 A峰值）
的三相独立控制
PWM工作频率高达500 kHz
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，和
短路
可编程的逐周期电流限制
保护
独立的电源和地引脚用于各
半桥
智能栅极驱动和交叉传导
预防
无需外部缓冲或肖特基二极管
需要
因为低R的
DS （ ON）
功率MOSFET的
与智能栅极驱动设计，效率
这些电机驱动器可以高达97％ ，这使
使用较小的电源和散热片，并且
是很好的候选能源的有效应用。
该DRV8312 / 32需要两个电源，一个在
12 V的GVDD和VDD ，另有高达50 V的
PVDD 。该DRV8312 / 32可高达操作
500 kHz的开关频率，同时仍保持
精确控制和高效率。他们也有一个
创新的保护系统维护设备
对大范围的故障情况是可能
损坏系统。这些保障措施
短路保护，过电流保护，
欠压保护，和两阶段的热
保护。该DRV8312 / 32有一个限流
电路，防止在负载关断器件
瞬变如电机启动。可编程
过电流检测器提供了可调电流限制
和保护水平，以适应不同的电机
要求。
该DRV8312 / 32具有独特的独立供应
和接地引脚为每个半桥，这使得它
可通过提供电流测量
外部分流电阻和支持半桥驱动器
具有不同电源电压的要求。
简化应用图
PVDD
GVDD
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
应用
直流无刷电机
三相永磁同步
汽车
逆变器
半桥驱动器
机器人控制系统
调节器
M
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
GVDD_C
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_C
RESET_B
描述
该DRV8312 / 32是高性能，集成
三相电机驱动器采用先进的
保护系统。
GVDD
VDD
GVDD_C
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
SLES256 - 2010年5月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
VDD到GND
GVDD_X到GND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
(2)
(2)
(2)
(1)
价值
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至70 V
0.3 V至70 V
0.3 V至80 V
16 A
20 A
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
-40 ° C至150℃
-55_C到150_C
瞬时峰值输出电流（每针） ，脉冲宽度有限的内部的过电流保护电路。
瞬态峰值输出电流为锁存关断（每针）
VREG到AGND
GND_X到GND
GND到AGND
PWM_X ， RESET_X到GND
OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
FAULT ， OTW到GND
最大连续灌电流（故障， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
推荐工作条件
民
PVDD_x
GVDD_X
VDD
I
O_PULSE
I
O
F
SW
R
OCP_CBC
R
OCP_OCL
C
BST
T
ON_MIN
T
A
(1)
半桥X（ A， B或C ）的直流电源电压
供应逻辑稳压器和栅极驱动电路
数字式稳压电源电压
每个输出引脚的脉冲峰值电流（可通过热限制）
每个输出引脚连续电流（ DRV8332 ）
PWM开关频率
OC编程电阻范围，逐周期电流限制模式
OC编程电阻范围OC锁存关断模式
自举电容范围
最小PWM脉冲的持续时间，低侧
工作环境温度
-40
22
19
33
50
85
(1)
0
10.8
10.8
喃
50
12
12
最大
52.5
13.2
13.2
15
8
500
200
200
220
单位
V
V
V
A
A
千赫
k
k
nF
nS
°C
根据功耗和散热，该DRV8312 / 32可支持的环境温度超过85 ℃。参阅
封装的热耗散额定值表和封装的功率降额表。
2
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DRV8312 DRV8332
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
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封装的热耗散额定值
参数
R
QJC
，结到外壳（电源板/散热片）
热阻
R
qJA
，结到环境的热阻
裸露焊盘电源/散热片面积
DRV8312
1.1 ° C / W
DRV8332
0.9 ° C / W
这个装置不适合用于
无需散热器。因此，R
qJA
不
指定的。见
热信息
部分。
80 mm
2
25 C / W
34 mm
2
封装的功率降额（ DRV8312 ）
(1)
包
44引脚TSSOP （ DDW ）
(1)
基于EVM板布局
T
A
= 25°C
动力
等级
5.0 W
降额
因素
上述牛逼
A
=
25°C
40.0毫瓦/°C的
T
A
= 70 °C电源
等级
3.2 W
T
A
= 85 °C电源
等级
2.6 W
T
A
= 125 °C电源
等级
1.0 W
模式选择引脚
模式引脚
M3
1
1
0
1
M2
0
0
x
1
M1
0
1
x
x
产量
CON组fi guration
1 3相或3 HB
1 3相或3 HB
描述
用逐周期电流限制三相或三个半桥
与OC锁存关断三相或三个半桥（无
逐周期电流限制）
版权所有
版权所有
2010 ，德州仪器
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DRV8312 DRV8332
3
DRV8312
DRV8332
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设备信息
引脚分配
下面是引脚的DRV8312 / 32 ：
DRV8312 ： 44引脚TSSOP封装的功率垫下DDW包。此包包含一个散热垫是
位于设备的底侧，用于通过电路板散热。
DRV8332 ： 36引脚PSOP3 DKD包。此包包含位于顶部的厚厚的散热片
该设备通过散热片散热的一面。
DRV8312
DDW套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
VDD
NC
NC
PWM_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
DRV8332
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
BST_C
NC
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND
GND
NC
NC
BST_B
PVDD_B
OUT_B
GND_B
GND_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
NC
BST_A
GVDD_A
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
RESET_B
RESET_C
PWM_C
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
RESET_C
RESET_B
M1
M2
M3
VREG
AGND
GND
OC_ADJ
PWM_B
RESET_A
PWM_A
故障
NC
NC
OTW
GVDD_B
GVDD_C
引脚功能
针
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
DRV8312
12
24
33
43
13, 36, 37
29
30
38
23
22
1, 44
8
9
10
3,4,19,20,25,34,35
,42
14
DRV8332
9
35
28
20
8
32
31
23
36
1
18, 19
13
12
11
26,27
7
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
-
O
(1)
描述
模拟地
高压侧自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_A要求
以OUT_B所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
以OUT_C所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
地
电源地为半桥A需要接近去耦电容到地
电源地为半桥B需要接近去耦电容到地
电源地为半桥C要求接近去耦电容到地
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
模式选择引脚
模式选择引脚
保留模式选择引脚，建议AGND连接
无连接引脚。建议接地连接
模拟过流编程管脚，要求电阻到AGND
(1)
4
I =输入， O =输出， P =电源， T =热
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DRV8312 DRV8332
2010 ，德州仪器
DRV8312
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针
名字
OTW
DRV8312
21
DRV8332
2
SLES256 - 2010年5月
功能
O
(1)
描述
超温预警信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻
到VREG （ 3.3V）被设置在输出端。等级达标的5 V逻辑可以
通过外接上拉电阻到5V获得
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
电源输入半桥A需要接近去耦电容到地。
电源输入半桥B需要接近去耦电容gound 。
电源输入半桥C要求接近去耦电容到地。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
复位信号的半桥A，低电平有效
复位信号的半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C，低电平有效
故障信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻，以VREG （ 3.3 V ）是
提供输出。可以通过增加获得等级达标的5 V逻辑
外部上拉电阻到5V
电源的数字电压调节器需要电容到地的
脱钩。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND。
焊接裸露热焊盘的DRV8312DDW包的底部
停机坪在PCB上。通孔，以大型地面连接的停机坪
板更好的散热效果。
摩散热器上的顶部散热接口散热片
DRV8332DKD包，以提高散热效果。
OUT_A
OUT_B
OUT_C
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PWM_A
PWM_B
PWM_C
RESET_A
RESET_B
RESET_C
故障
28
31
39
26,27
32
40,41
17
15
5
16
7
6
18
33
30
22
34
29
21
4
6
16
5
15
15
3
O
O
O
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
VDD
VREG
散热垫
2
11
--
17
10
不适用
P
P
T
散热片
不适用
--
T
2010 ，德州仪器
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DRV8312 DRV8332
5
DRV8312
DRV8332
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SLES256 - 2010年5月
三相PWM电机驱动器
检查样品：
DRV8312 ， DRV8332
1
特点
高效率功率级（高达97％ ），与
低R
DS （ ON）
的MOSFET （ 80毫欧在T
J
= 25°C)
工作电源电压高达50 V
（ 70 V绝对最大）
DRV8312 （电源板下） ：高达3.5 A
连续相电流（ 6.5 A峰值）
DRV8332 （电源垫起来） ：最高8的
连续相电流（ 13 A峰值）
的三相独立控制
PWM工作频率高达500 kHz
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，和
短路
可编程的逐周期电流限制
保护
独立的电源和地引脚用于各
半桥
智能栅极驱动和交叉传导
预防
无需外部缓冲或肖特基二极管
需要
因为低R的
DS （ ON）
功率MOSFET的
与智能栅极驱动设计，效率
这些电机驱动器可以高达97％ ，这使
使用较小的电源和散热片，并且
是很好的候选能源的有效应用。
该DRV8312 / 32需要两个电源，一个在
12 V的GVDD和VDD ，另有高达50 V的
PVDD 。该DRV8312 / 32可高达操作
500 kHz的开关频率，同时仍保持
精确控制和高效率。他们也有一个
创新的保护系统维护设备
对大范围的故障情况是可能
损坏系统。这些保障措施
短路保护，过电流保护，
欠压保护，和两阶段的热
保护。该DRV8312 / 32有一个限流
电路，防止在负载关断器件
瞬变如电机启动。可编程
过电流检测器提供了可调电流限制
和保护水平，以适应不同的电机
要求。
该DRV8312 / 32具有独特的独立供应
和接地引脚为每个半桥，这使得它
可通过提供电流测量
外部分流电阻和支持半桥驱动器
具有不同电源电压的要求。
简化应用图
PVDD
GVDD
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
应用
直流无刷电机
三相永磁同步
汽车
逆变器
半桥驱动器
机器人控制系统
调节器
M
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
GVDD_C
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_C
RESET_B
描述
该DRV8312 / 32是高性能，集成
三相电机驱动器采用先进的
保护系统。
GVDD
VDD
GVDD_C
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
SLES256 - 2010年5月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
VDD到GND
GVDD_X到GND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
(2)
(2)
(2)
(1)
价值
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至70 V
0.3 V至70 V
0.3 V至80 V
16 A
20 A
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
-40 ° C至150℃
-55_C到150_C
瞬时峰值输出电流（每针） ，脉冲宽度有限的内部的过电流保护电路。
瞬态峰值输出电流为锁存关断（每针）
VREG到AGND
GND_X到GND
GND到AGND
PWM_X ， RESET_X到GND
OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
FAULT ， OTW到GND
最大连续灌电流（故障， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
推荐工作条件
民
PVDD_x
GVDD_X
VDD
I
O_PULSE
I
O
F
SW
R
OCP_CBC
R
OCP_OCL
C
BST
T
ON_MIN
T
A
(1)
半桥X（ A， B或C ）的直流电源电压
供应逻辑稳压器和栅极驱动电路
数字式稳压电源电压
每个输出引脚的脉冲峰值电流（可通过热限制）
每个输出引脚连续电流（ DRV8332 ）
PWM开关频率
OC编程电阻范围，逐周期电流限制模式
OC编程电阻范围OC锁存关断模式
自举电容范围
最小PWM脉冲的持续时间，低侧
工作环境温度
-40
22
19
33
50
85
(1)
0
10.8
10.8
喃
50
12
12
最大
52.5
13.2
13.2
15
8
500
200
200
220
单位
V
V
V
A
A
千赫
k
k
nF
nS
°C
根据功耗和散热，该DRV8312 / 32可支持的环境温度超过85 ℃。参阅
封装的热耗散额定值表和封装的功率降额表。
2
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封装的热耗散额定值
参数
R
QJC
，结到外壳（电源板/散热片）
热阻
R
qJA
，结到环境的热阻
裸露焊盘电源/散热片面积
DRV8312
1.1 ° C / W
DRV8332
0.9 ° C / W
这个装置不适合用于
无需散热器。因此，R
qJA
不
指定的。见
热信息
部分。
80 mm
2
25 C / W
34 mm
2
封装的功率降额（ DRV8312 ）
(1)
包
44引脚TSSOP （ DDW ）
(1)
基于EVM板布局
T
A
= 25°C
动力
等级
5.0 W
降额
因素
上述牛逼
A
=
25°C
40.0毫瓦/°C的
T
A
= 70 °C电源
等级
3.2 W
T
A
= 85 °C电源
等级
2.6 W
T
A
= 125 °C电源
等级
1.0 W
模式选择引脚
模式引脚
M3
1
1
0
1
M2
0
0
x
1
M1
0
1
x
x
产量
CON组fi guration
1 3相或3 HB
1 3相或3 HB
描述
用逐周期电流限制三相或三个半桥
与OC锁存关断三相或三个半桥（无
逐周期电流限制）
版权所有
版权所有
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DRV8312 DRV8332
3
DRV8312
DRV8332
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设备信息
引脚分配
下面是引脚的DRV8312 / 32 ：
DRV8312 ： 44引脚TSSOP封装的功率垫下DDW包。此包包含一个散热垫是
位于设备的底侧，用于通过电路板散热。
DRV8332 ： 36引脚PSOP3 DKD包。此包包含位于顶部的厚厚的散热片
该设备通过散热片散热的一面。
DRV8312
DDW套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
VDD
NC
NC
PWM_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
DRV8332
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
BST_C
NC
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND
GND
NC
NC
BST_B
PVDD_B
OUT_B
GND_B
GND_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
NC
BST_A
GVDD_A
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
RESET_B
RESET_C
PWM_C
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
RESET_C
RESET_B
M1
M2
M3
VREG
AGND
GND
OC_ADJ
PWM_B
RESET_A
PWM_A
故障
NC
NC
OTW
GVDD_B
GVDD_C
引脚功能
针
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
DRV8312
12
24
33
43
13, 36, 37
29
30
38
23
22
1, 44
8
9
10
3,4,19,20,25,34,35
,42
14
DRV8332
9
35
28
20
8
32
31
23
36
1
18, 19
13
12
11
26,27
7
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
-
O
(1)
描述
模拟地
高压侧自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_A要求
以OUT_B所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
以OUT_C所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
地
电源地为半桥A需要接近去耦电容到地
电源地为半桥B需要接近去耦电容到地
电源地为半桥C要求接近去耦电容到地
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
模式选择引脚
模式选择引脚
保留模式选择引脚，建议AGND连接
无连接引脚。建议接地连接
模拟过流编程管脚，要求电阻到AGND
(1)
4
I =输入， O =输出， P =电源， T =热
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DRV8312 DRV8332
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DRV8312
DRV8332
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针
名字
OTW
DRV8312
21
DRV8332
2
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功能
O
(1)
描述
超温预警信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻
到VREG （ 3.3V）被设置在输出端。等级达标的5 V逻辑可以
通过外接上拉电阻到5V获得
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
电源输入半桥A需要接近去耦电容到地。
电源输入半桥B需要接近去耦电容gound 。
电源输入半桥C要求接近去耦电容到地。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
复位信号的半桥A，低电平有效
复位信号的半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C，低电平有效
故障信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻，以VREG （ 3.3 V ）是
提供输出。可以通过增加获得等级达标的5 V逻辑
外部上拉电阻到5V
电源的数字电压调节器需要电容到地的
脱钩。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND。
焊接裸露热焊盘的DRV8312DDW包的底部
停机坪在PCB上。通孔，以大型地面连接的停机坪
板更好的散热效果。
摩散热器上的顶部散热接口散热片
DRV8332DKD包，以提高散热效果。
OUT_A
OUT_B
OUT_C
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PWM_A
PWM_B
PWM_C
RESET_A
RESET_B
RESET_C
故障
28
31
39
26,27
32
40,41
17
15
5
16
7
6
18
33
30
22
34
29
21
4
6
16
5
15
15
3
O
O
O
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
VDD
VREG
散热垫
2
11
--
17
10
不适用
P
P
T
散热片
不适用
--
T
2010 ，德州仪器
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DRV8312 DRV8332
5
DRV8312
DRV8332
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三相PWM电机驱动器
检查样品：
DRV8312 ， DRV8332
1
特点
高效率功率级（高达97％ ），与
低R
DS （ ON）
的MOSFET （ 80毫欧在T
J
= 25°C)
工作电源电压高达50 V
（ 70 V绝对最大）
DRV8312 （电源板下） ：高达3.5 A
连续相电流（ 6.5 A峰值）
DRV8332 （电源垫起来） ：最高8的
连续相电流（ 13 A峰值）
的三相独立控制
PWM工作频率高达500 kHz
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，和
短路
可编程的逐周期电流限制
保护
独立的电源和地引脚用于各
半桥
智能栅极驱动和交叉传导
预防
无需外部缓冲或肖特基二极管
需要
因为低R的
DS （ ON）
功率MOSFET的
与智能栅极驱动设计，效率
这些电机驱动器可以高达97％ ，这使
使用较小的电源和散热片，并且
是很好的候选能源的有效应用。
该DRV8312 / 32需要两个电源，一个在
12 V的GVDD和VDD ，另有高达50 V的
PVDD 。该DRV8312 / 32可高达操作
500 kHz的开关频率，同时仍保持
精确控制和高效率。他们也有一个
创新的保护系统维护设备
对大范围的故障情况是可能
损坏系统。这些保障措施
短路保护，过电流保护，
欠压保护，和两阶段的热
保护。该DRV8312 / 32有一个限流
电路，防止在负载关断器件
瞬变如电机启动。可编程
过电流检测器提供了可调电流限制
和保护水平，以适应不同的电机
要求。
该DRV8312 / 32具有独特的独立供应
和接地引脚为每个半桥，这使得它
可通过提供电流测量
外部分流电阻和支持半桥驱动器
具有不同电源电压的要求。
简化应用图
PVDD
GVDD
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
应用
直流无刷电机
三相永磁同步
汽车
逆变器
半桥驱动器
机器人控制系统
调节器
M
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
GVDD_C
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_C
RESET_B
描述
该DRV8312 / 32是高性能，集成
三相电机驱动器采用先进的
保护系统。
GVDD
VDD
GVDD_C
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
SLES256 - 2010年5月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
VDD到GND
GVDD_X到GND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
(2)
(2)
(2)
(1)
价值
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至70 V
0.3 V至70 V
0.3 V至80 V
16 A
20 A
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
-40 ° C至150℃
-55_C到150_C
瞬时峰值输出电流（每针） ，脉冲宽度有限的内部的过电流保护电路。
瞬态峰值输出电流为锁存关断（每针）
VREG到AGND
GND_X到GND
GND到AGND
PWM_X ， RESET_X到GND
OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
FAULT ， OTW到GND
最大连续灌电流（故障， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
推荐工作条件
民
PVDD_x
GVDD_X
VDD
I
O_PULSE
I
O
F
SW
R
OCP_CBC
R
OCP_OCL
C
BST
T
ON_MIN
T
A
(1)
半桥X（ A， B或C ）的直流电源电压
供应逻辑稳压器和栅极驱动电路
数字式稳压电源电压
每个输出引脚的脉冲峰值电流（可通过热限制）
每个输出引脚连续电流（ DRV8332 ）
PWM开关频率
OC编程电阻范围，逐周期电流限制模式
OC编程电阻范围OC锁存关断模式
自举电容范围
最小PWM脉冲的持续时间，低侧
工作环境温度
-40
22
19
33
50
85
(1)
0
10.8
10.8
喃
50
12
12
最大
52.5
13.2
13.2
15
8
500
200
200
220
单位
V
V
V
A
A
千赫
k
k
nF
nS
°C
根据功耗和散热，该DRV8312 / 32可支持的环境温度超过85 ℃。参阅
封装的热耗散额定值表和封装的功率降额表。
2
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2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
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SLES256 - 2010年5月
封装的热耗散额定值
参数
R
QJC
，结到外壳（电源板/散热片）
热阻
R
qJA
，结到环境的热阻
裸露焊盘电源/散热片面积
DRV8312
1.1 ° C / W
DRV8332
0.9 ° C / W
这个装置不适合用于
无需散热器。因此，R
qJA
不
指定的。见
热信息
部分。
80 mm
2
25 C / W
34 mm
2
封装的功率降额（ DRV8312 ）
(1)
包
44引脚TSSOP （ DDW ）
(1)
基于EVM板布局
T
A
= 25°C
动力
等级
5.0 W
降额
因素
上述牛逼
A
=
25°C
40.0毫瓦/°C的
T
A
= 70 °C电源
等级
3.2 W
T
A
= 85 °C电源
等级
2.6 W
T
A
= 125 °C电源
等级
1.0 W
模式选择引脚
模式引脚
M3
1
1
0
1
M2
0
0
x
1
M1
0
1
x
x
产量
CON组fi guration
1 3相或3 HB
1 3相或3 HB
描述
用逐周期电流限制三相或三个半桥
与OC锁存关断三相或三个半桥（无
逐周期电流限制）
版权所有
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2010 ，德州仪器
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DRV8312 DRV8332
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DRV8312
DRV8332
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设备信息
引脚分配
下面是引脚的DRV8312 / 32 ：
DRV8312 ： 44引脚TSSOP封装的功率垫下DDW包。此包包含一个散热垫是
位于设备的底侧，用于通过电路板散热。
DRV8332 ： 36引脚PSOP3 DKD包。此包包含位于顶部的厚厚的散热片
该设备通过散热片散热的一面。
DRV8312
DDW套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
VDD
NC
NC
PWM_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
DRV8332
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
GVDD_C
BST_C
NC
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND
GND
NC
NC
BST_B
PVDD_B
OUT_B
GND_B
GND_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
NC
BST_A
GVDD_A
GVDD_B
OTW
故障
PWM_A
RESET_A
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
RESET_B
RESET_C
PWM_C
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
NC
NC
GND
GND
GND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
RESET_C
RESET_B
M1
M2
M3
VREG
AGND
GND
OC_ADJ
PWM_B
RESET_A
PWM_A
故障
NC
NC
OTW
GVDD_B
GVDD_C
引脚功能
针
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
DRV8312
12
24
33
43
13, 36, 37
29
30
38
23
22
1, 44
8
9
10
3,4,19,20,25,34,35
,42
14
DRV8332
9
35
28
20
8
32
31
23
36
1
18, 19
13
12
11
26,27
7
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
-
O
(1)
描述
模拟地
高压侧自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_A要求
以OUT_B所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
以OUT_C所需的高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
地
电源地为半桥A需要接近去耦电容到地
电源地为半桥B需要接近去耦电容到地
电源地为半桥C要求接近去耦电容到地
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
模式选择引脚
模式选择引脚
保留模式选择引脚，建议AGND连接
无连接引脚。建议接地连接
模拟过流编程管脚，要求电阻到AGND
(1)
4
I =输入， O =输出， P =电源， T =热
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产品文件夹链接（ S） ：
DRV8312 DRV8332
2010 ，德州仪器
DRV8312
DRV8332
www.ti.com
针
名字
OTW
DRV8312
21
DRV8332
2
SLES256 - 2010年5月
功能
O
(1)
描述
超温预警信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻
到VREG （ 3.3V）被设置在输出端。等级达标的5 V逻辑可以
通过外接上拉电阻到5V获得
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
电源输入半桥A需要接近去耦电容到地。
电源输入半桥B需要接近去耦电容gound 。
电源输入半桥C要求接近去耦电容到地。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
复位信号的半桥A，低电平有效
复位信号的半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C，低电平有效
故障信号，漏极开路，低电平有效。内部上拉电阻，以VREG （ 3.3 V ）是
提供输出。可以通过增加获得等级达标的5 V逻辑
外部上拉电阻到5V
电源的数字电压调节器需要电容到地的
脱钩。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND。
焊接裸露热焊盘的DRV8312DDW包的底部
停机坪在PCB上。通孔，以大型地面连接的停机坪
板更好的散热效果。
摩散热器上的顶部散热接口散热片
DRV8332DKD包，以提高散热效果。
OUT_A
OUT_B
OUT_C
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PWM_A
PWM_B
PWM_C
RESET_A
RESET_B
RESET_C
故障
28
31
39
26,27
32
40,41
17
15
5
16
7
6
18
33
30
22
34
29
21
4
6
16
5
15
15
3
O
O
O
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
VDD
VREG
散热垫
2
11
--
17
10
不适用
P
P
T
散热片
不适用
--
T
2010 ，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
DRV8312 DRV8332
5
的Stellaris LM4F211的controlCARD
该Stellaris LM4F211的controlCARD是一种
DIMM外形评估板，
可以单独使用或与一个范围的
踢脚板加速评估和
发展。
德州仪器（TI）提供一系列的
controlCARD的踢脚板电机和
功率控制的应用程序。在大多数情况下，
这些可作为完整的工具包，
包括控制卡和底板。
该Stellaris MDL- LM4F211CNCD的一部分
一个controlCARD的阵容，其中包括卡
对于C2000 ，大力神和MSP430
设备。检查主板兼容性
矩阵，看看哪些CON连接gurations是
支持。
该Stellaris LM4F211H5QR
微控制器是ARM
Cortex-M4F
器件具有256 KB闪存和运行速度高达
至80 MHz 。
MDL- LM4F211CNCD套件内容
MDL- LM4F211CNCD的controlCARD模块
板上Stellaris在线调试
接口
电缆/配件
USB迷你-B为USB -A插头电缆（用于
调试和串行通信）
＆ frac12 ;英寸跳线（桥接
电源）
开发套件光盘内容包括：
对于在的controlCARD模块
单独使用：
- 完整的文档
- 的StellarisWare
外围设备驱动程序
库和示例源代码
有关的controlCARD模块使用时，
有支持的底板：
- 源代码和二进制文件
- 文档特定网络连接C至每
支持踢脚线
- 图形用户界面的Windows应用程序
工具CD （S ）
的Code Composer Studio 集成
开发环境（IDE ）
其他工具链
特点
LM4F211H5QR的Stellaris
微控制器
32位ARM Cortex -M4 FL oating-
核心点
80 - MHz的最高速度
256 KB闪存， 32 KB RAM
DIMM封装
适用于DIMM边缘GPIO信号
连接器
用户LED
- 调试
的Stellaris在电路调试接口
（ ICDI ）
隔离到300 -V工作电压
采用TI公司的数字隔离器
注意：
该MDL- LM4F211CNCD板
可能填充有LM4F231H5QR
微控制器。该器件包含一个超
设置的LM4F211H5QR的特征
微控制器。有在无差
功能。欲了解更多信息，请
访问：
www.ti.com/tool/mdl-lm4f211cncd
主板兼容性矩阵
电动
兼容性如何？
是的
是的
是的
护壁板
DRV8312
DRV8301
描述
50V ， 3.5A三
三相逆变器
60V ， 60A三
三相逆变器
350V ， 10A
三相
逆变器
解
软件
项目？
是的
No
No
手提
模块
和驱动程序
软件？
是的
是的
是的
完整
KIT
是否可用？
DK-LM4F-
DRV8312
No
No
该MDL- LM4F211CNCD板可插入
的Stellaris DK- LM4F - DRV8312三相无刷
DC电机控制套件
TMDSHVMTRPFCKIT
2012德州仪器
SPMT280
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半导体产品（这里也称作是“组件” ）的销售都遵循TI的销售条款和条件时提供
订单确认。
其组成部分在销售时的规范TI令执行后，根据TI的条款与保修
和销售半导体产品的条件。测试及其它质量控制技术被用来程度TI认为有必要
在保修期内。除非硬性规定，每个组件的所有参数进行测试不一定
进行。
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在安全关键型应用程序的任何TI组件。
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帮助客户设计和打造符合适用的功能安全标准，自己的终端产品和解决方案
要求。不过，这些部件都受到这些条款。
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军事/航空应用或环境。买方承认并同意，任何军事或航空航天用途的TI组件
其中有
不
经指定仅仅是在买方的风险，而且买家自行负责遵守所有的法律和
监管要求在此类相关使用。
TI已明确指定符合ISO / TS16949的要求，主要用于汽车某些部件。该组件
没有这样指定并非设计或专门用于汽车使用;与TI将不承担此类任何故障
部件，以满足这样的要求。
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