【DRV11873www.ti.comSLWS237 - 2012年11月12 -V ， 3相，无传感】,IC型号DRV11873PWP,DRV11873PWP PDF资料,DRV11873PWP经销商,ic,电子元器件-51电子网

DRV11873

www.ti.com

SLWS237 - 2012年11月

12 -V ， 3相，无传感器BLDC电机驱动器

检查样品：

DRV11873

特点

输入电压范围为5 V至16 V

六集成MOSFET的1.5 -A

连续输出电流

总驱动H + L R

DSON

450 mΩ

传感器专有BMEF控制方案

150 °换相

同步整流PWM工作模式

FG和RD开漏输出

5 -V LDO外用

PWM

输入从15千赫至100千赫

过电流保护具有调节限制

通过外部电阻

锁定检测

电压浪涌保护

UVLO

热关断

应用

家电风扇

桌面风扇

服务器风扇

描述

DRV11873是三相无传感器电机驱动器，集成功率MOSFET与驱动电流

能力高达1.5 A的连续和2 -A峰值。 DRV11873是专为低噪音，低外部设计

元件数量的风扇电机驱动应用。 DRV11873内置了过流保护，无需外部

电流检测电阻需要。操作的同步整流方式实现增加效率

电机驱动器应用。 DRV11873输出FG和RD指示电机状态开漏输出。 A 150 °

无传感器反电势控制方案为三相电机实现。 DRV11873处于可用

热效率高的16引脚TSSOP封装。工作温度范围为-40 °C至125°C 。

典型用途

VCP

0.1uF

PWMIN

COM

2.2uF

CPP

CPN

GND

VCC

10uF

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

DRV11873

SLWS237 - 2012年11月

www.ti.com

订购信息

(1)

-40_C到125_C

(1)

(2)

包

(2)

TSSOP -16 （ PWP ）

磁带和卷轴， 3000

产品型号

DRV11873PWP

顶部端标记

11873

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/package 。

功能框图

GND

LOCK

发现

PWM&Standby

PWM

COM

PCOM

＆放大器;

FILT

相电流

SENSE

ILIMIT

COMP

VREF

VCC

带隙

＆放大器;

UVLO

VREF

预驱动器

VCP

预驱动器

核心逻辑

GND

VCC

热

发现

预驱动器

VCC

OSC

GND

AVS

VCC

VCP

GND

电荷泵

GND

CPP

CPN

VCC

5V LDO

提交文档反馈

DRV11873

www.ti.com

SLWS237 - 2012年11月

引脚名称

PWP封装

（ TOP VIEW ）

VCP

CPP

CPN

GND

PWMIN

COM

VCC

表1.引脚说明

终奌站

名字

VCP

CPP

CPN

GND

VCC

COM

号

I / O

(1)

描述

电机参数调整引脚。拉低了低速电机和上拉高速电机。

频率发生器输出。输出具有周期等于6电状态（ FG ）。

在锁定状态下， RD输出高电平，通过一个上拉电阻到V

或5 V.

电荷泵输出

电荷泵转换终端

W相输出

接地引脚

第五阶段输出

U相输出

输入电压为电机和芯片的电源电压

5 V稳压器输出

汽车常见的端子输入

过流门限设置引脚。电阻设置电流限制连接在此引脚与地之间。

电阻两端的电压将与从底部的MOSFET的电流转换成的电压进行比较。

如果MOSFET的电流是高的，该部分将进入过流保护模式通过关闭顶部的PWM

MOSFET和保持在底部的MOSFET 。

极限

（ A） = 6600 / R

（ Ω ），等式有效范围： 500毫安<我

极限

< 2000毫安

设置高的反转。置为低电平或悬空正转。

PWM输入引脚。 PWM输入信号将被转换为开MOSFET驱动器以固定的开关频率。

所述PWM输入信号的分辨率小于1％。

PWMIN

(1)

I =输入， O =输出， N / A =不可用

提交文档反馈

DRV11873

SLWS237 - 2012年11月

www.ti.com

绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

价值

民

VCC

输入电压范围

PWMIN ， FS ， FR

GND

COM

U，V ，W

FG ， RD

输出电压范围

VCP

CPN

CPP

人体模型HBM

静电放电（ ESD ）

工作结温

充电设备模型， CBM

机器型号， MM

-40

-55

英镑

储存温度

-0.3

-1

-0.3

最大

3.6

0.3

200

125

150

°C

单位

热信息

DRV11873

热公制

JCtop

JCbot

结至环境热阻

结至电路板的热阻

(4)

结至顶部的特征参数

(5)

(2)

(1)

PWP

16针

39.4

30.3

25.6

0.5

10.2

3.6

单位

结至外壳（顶部）热阻

(3)

° C / W

结至电路板的特征参数

(6)

结至外壳（底部）热阻

(7)

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅

IC封装热度量

申请报告，

SPRA953.

在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如

在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。

通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-

标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。

通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻

温度，如在JESD51-8说明。

结至顶部的特征参数，

估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取

从仿真数据用于获得

使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。

结至电路板的特征参数，

估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取

从仿真数据用于获得

使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。

通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体

JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。

间隔

提交文档反馈

DRV11873

www.ti.com

SLWS237 - 2012年11月

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

民

电源电压

VCC

U，V ，W

COM

FG ， RD

PGND ， GND

电压范围

VCP

CPP

CPN

PWMIN ， FR ， FS

工作结温，T

-0.7

-0.1

-40

最大

0.1

5.5

125

单位

电气特性

电源电流

在推荐工作的自由空气的温度（除非另有说明）

参数

VCC

电源电流

测试条件

= 25°C ; PWM = V

; V

= 12 V

民

典型值

2.7

最大

单位

UVLO

在推荐工作的自由空气的温度（除非另有说明）

参数

VUVLO ， th_r

UVLO - th_f

UVLO - thhys

UVLO阈值电压

迟滞

测试条件

阈值上升，T

= 25°C

秋天的阈值，T

= 25°C

3.9

100

民

典型值

4.3

4.1

200

300

最大

4.6

单位

集成MOSFET

在推荐工作的自由空气的温度（除非另有说明）

参数

DSON

串联电阻（ H + L）

测试条件

= 25°C ; V

= 12 V ; VCP = 19 V ;

OUT

= 1.5 A

民

典型值

0.45

最大

0.6

单位

PWM

在推荐工作的自由空气的温度（除非另有说明）

参数

PWM -IH

PWM -IL

PWM

PWM -SOURCE

高电平输入电压

低电平输入电压

PWM输入频率

PWM电流源

测试条件

≥

4.5 V

≥

4.5 V

民

2.7

0.8

100

典型值

最大

单位

千赫

在推荐工作的自由空气的温度（除非另有说明）

参数

FG- SINK

FG-短

FG端子吸收电流

FG管脚短路电流限制

测试条件

= 0.3 V

= 12 V

民

典型值

最大

单位

提交文档反馈