添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第551页 > DRF1301
DRF1301
1000V , 15A ,为30MHz
MOSFET推挽式混合动力
该DRF1301是含有两个高功率门的推挽混合
驱动器和两个功率MOSFET。它的目的是提供系
统设计师增加
灵活性,更高的性能,并且降低了成本
在一个非集成的解决方案。这种低寄生的方式,加上
与施密特触发器输入,开尔文信号接地,防振铃功能
反转和非反转选择引脚提供更好的稳定性和控制
千瓦到数千瓦,高频ISM应用。
D
IN
S
D
IN
驱动器15a
MOSFET的
DRF 1301
S
特点
开关频率: DC至30MHz
反相非反相选择
低脉冲宽度失真
单电源供电(每科)
1V CMOS施密特触发器输入1V
迟滞
开关速度3-4ns
B
VDS
= 1000V
I
ds
= 15A最大。每节
R
DS ( ON)
1欧姆
P
D
= 550W每节
符合RoHS
典型应用
C类,D和E的RF发生器
开关模式电源放大器器
高压脉冲发生器
超声换能器驱动程序
声光调制器
司机绝对最大额定值
符号
V
DD
IN, FN
I
PK
T
JMAX
参数
电源电压
输入电压单
输出电流峰值
工作温度
评级
15
-.7至+5.5
8
175
单位
V
A
°C
司机特定网络阳离子
符号
V
DD
IN
IN
(R)
IN
(F)
I
DDQ
I
O
C
国际空间站
R
IN
V
吨(ON)的
V
T(关)
T
DLY
t
r
t
f
参数
电源电压
输入电压
输入电压上升沿
输入电压下降沿
静态电流
输出电流
输入电容
输入并联电阻
输入,从低到高输出(见真值表)
投入,高至低输出(见真值表)
时间延迟(吞吐量)
上升时间
下降时间
0.8
1.9
38
5
5
10
3
5
3
3
2
8
3
1
1.1
2.2
V
ns
ns
050-4975 C版本5-2011
典型值
最大
15
单位
V
ns
mA
A
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
驱动器输出特性
符号
C
OUT
R
OUT
L
OUT
F
最大
F
最大
参数
输出电容
输出电阻
输出电感
工作频率CL = 3000nF + 50Ω
工作频率RL = 50Ω
30
50
典型值
2500
.8
3
最大
DRF1301
单位
pF
Ω
nH
兆赫
司机热特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JHS
T
JSTG
P
DJHS
P
DJC
参数
热阻结到外壳
热阻结到散热器
储存温度
最大功率耗散@ T
SINK
= 25°C
总功率耗散@ T
C
= 25°C
典型值
1.5
2.5
-55到150
最大
单位
° C / W
°C
W
60
100
MOSFET绝对最大额定值(每科)
符号
BV
DSS
I
D
R
DS ( ON)
T
JMAX
参数
漏源电压
连续漏电流T
HS
= 25°C
通态电阻的漏 - 源
工作温度
1
175
1000
15
典型值
最大
单位
V
A
Ω
°C
MOSFET的动态特性(每科)
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
典型值
1800
335
75
pF
最大
单位
MOSFET的热特性(总包)
符号
R
θ
JC
R
θ
JHS
T
JSTG
P
美国国土安全部
P
DC
参数
结到外壳热阻
结到散热器的热阻
存储结温
最大功率耗散@ T
SINK
= 25°C
总功率耗散@ T
C
= 25°C
TYPE
.06
.14
-55到150
最大
单位
° C / W
°C
KW
1.07
2.5
部分A和B输出切换性能
符号
T
ON
T
关闭
T
DLY (ON)的
T
DLY (OFF)的
T
DLY (ON)的
T
DLY (OFF)的
050-4975 C版本5-2011
特征
前沿的10%至90%
后缘10 %至90%
总吞吐量延迟时间,ON
总吞吐量延迟时间,OFF
DELTA吨
ON
A节和B之间的延迟
DELTA吨
关闭
A节和B之间的延迟
2
45
45
49
-0.5
0
典型值
3
待定
待定
50
0
0.6
最大
4
49
47
51
1.5
1.3
单位
ns
Microsemi的保留权利更改,恕不另行通知,此处包含的说明和信息。
DRF1301
图1中, DRF1301电路图
该DRF1301是CON连接gured为推拉式混合动力结合两个独立通道CON组fi gured各组成一个共同的来源
驱动器,一个高电压MOSFET和旁路电容器。旁路电容器C1 C2的和功能是降低内部寄生环路
电感。这再加上混合动力的紧几何形状允许最佳的栅极驱动MOSFET。这种低寄生耦合方法
与施密特触发器输入端( IN) ,开尔文信号地( SG )和抗环功能;提供改进的稳定性和控制的千瓦到多
千瓦高频应用。 IN脚应参照的是开尔文接地(SG )和被施加到一个施密特触发器。神光
引脚为开尔文的回报只有IN引脚。该信号随后被施加到中间层驱动程序和电平移位器;本节包含的专有
电路设计,具体来说为环减排。为了进一步提高该装置的实用的驱动芯片和MOSFET管芯相邻模
选择。这提供了在传输延时之交的非常接近的比赛。
图2中, DRF1301测试电路
在图2所示的测试电路被用于评估DRF1301 (可作为评估电路板DRF13XX / EVALSW 。 )的输入
控制信号是通过使用RG188 IN和SG端子施加。这提供卓越的抗干扰能力和信号接地电流的控制。
在+ V
DD
输入端(引脚2 , 6 , 8和12 )应大力绕过由1uF的电容尽量靠近引脚放置。所使用的电容器
对于这个功能必须能够支撑RMS电流和栅极负载的频率。
L
为我设置
DM
在V
DS
最大这个负荷被用来
评估输出性能。
050-4975 C版本5-2011
DRF1301
引脚分配
销1
销2
3脚
引脚4
5脚
引脚6
7针
引脚8
9针
引脚10
引脚11
引脚12
引脚13
引脚14
引脚15
PIN码16
PIN码17
18 PIN
U1 + VDD
U1 FN
在U1
U1 SG
U1 + VDD
U2 + VDD
U2 FN
U2 IN
U2 SG
U2 + VDD
来源
U2漏
来源
U1漏
来源
FN (引脚9)
FN (引脚3 )
没有输入到U1或DRF1300的U2是孤立的,可直接连接到接地参考的功率
供给或控制电路。
隔离适当的应用是在最终用户的责任。
至关重要的是,高输出电流被限制为源(14 ,16,18 )和漏极(15, 17)的引脚通过
设计。见DRF100对驱动器IC中的器件中使用的更多信息。
功能( FN , 3脚或9脚)是反转或不反转选择引脚,在内部保持高电平。
真值表*参考SG
IN(引脚4 )
MOSFET U1
ON
关闭
关闭
ON
真值表*参考SG
IN(引脚10 )
MOSFET U2
ON
关闭
关闭
ON
050-4975 C版本5-2011
所有尺寸均为± 0.005
图4中, DRF1301机械概要
DRF1301
1000V , 15A ,为30MHz
MOSFET推挽式混合动力
该DRF1301是含有两个高功率门的推挽混合
驱动器和两个功率MOSFET。它的目的是提供系
统设计师增加
灵活性,更高的性能,并且降低了成本
在一个非集成的解决方案。这种低寄生的方式,加上
与施密特触发器输入,开尔文信号接地,防振铃功能
反转和非反转选择引脚提供更好的稳定性和控制
千瓦到数千瓦,高频ISM应用。
D
IN
S
D
IN
驱动器15a
MOSFET的
DRF 1301
S
特点
开关频率: DC至30MHz
反相非反相选择
低脉冲宽度失真
单电源供电(每科)
1V CMOS施密特触发器输入1V
迟滞
开关速度3-4ns
B
VDS
= 1000V
I
ds
= 15A最大。每节
R
DS ( ON)
1欧姆
P
D
= 550W每节
符合RoHS
典型应用
C类,D和E的RF发生器
开关模式电源放大器器
高压脉冲发生器
超声换能器驱动程序
声光调制器
司机绝对最大额定值
符号
V
DD
IN, FN
I
PK
T
JMAX
参数
电源电压
输入电压单
输出电流峰值
工作温度
评级
18
-.7至+5.5
8
175
单位
V
A
°C
司机特定网络阳离子
符号
V
DD
IN
IN
(R)
IN
(F)
I
DDQ
I
O
C
OSS
C
国际空间站
R
IN
V
吨(ON)的
V
T(关)
T
DLY
t
r
t
f
参数
电源电压
输入电压
输入电压上升沿
输入电压下降沿
静态电流
输出电流
输出电容
输入电容
输入并联电阻
输入,从低到高输出
投入,高至低输出
时间延迟(吞吐量)
上升时间
下降时间
0.8
1.9
38
5
5
8
3
典型值
15
5
3
3
2
8
2500
3
1
1.1
2.2
最大
单位
V
ns
mA
A
pF
V
ns
050-4975修订版B 4-2009
ns
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
MOSFET特定网络阳离子(每科)
符号
BV
DSS
I
D
R
DS ( ON)
参数
漏源电压
连续漏电流T
HS
= 25°C
通态电阻的漏 - 源
1
1000
15
典型值
最大
DRF1301
单位
V
A
Ω
动态特性(每科)
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
典型值
1800
335
75
pF
最大
单位
热特性(总包)
符号
R
θ
JC
R
θ
JHS
T
JSTG
P
D
P
DC
参数
结到外壳热阻
结到散热器的热阻
存储结温
最大功率耗散@ T
SINK
= 25°C
总功率耗散@ T
C
= 25°C
评级
.06
.134
-55到150
1.1
2.5
单位
° C / W
°C
KW
部分A和B输出切换性能
符号
T
ON
T
关闭
T
DLY (ON)的
T
DLY (OFF)的
T
DLY (ON)的
T
DLY (OFF)的
特征
前沿的10%至90%
后缘10 %至90%
总吞吐量延迟时间,ON
总吞吐量延迟时间,OFF
DELTA吨
ON
A节和B之间的延迟
DELTA吨
关闭
A节和B之间的延迟
2
45
45
49
-0.5
0
典型值
3
待定
待定
50
0
0.6
最大
4
49
47
51
1.5
1.3
ns
典型值
Microsemi的保留权利更改,恕不另行通知,此处包含的说明和信息。
图1中, DRF1301电路图
该DRF1301是CON连接gured为推拉式混合动力结合两个独立通道CON组fi gured各组成一个共同的来源
驱动器,一个高电压MOSFET和旁路电容器。旁路电容器C1 C2的和功能是降低内部寄生环路
电感。这再加上混合动力的紧几何形状允许最佳的栅极驱动MOSFET。这种低寄生耦合方法
与施密特触发器输入端( IN) ,开尔文信号地( SG )和抗环功能;提供改进的稳定性和控制的千瓦到多
千瓦高频应用。 IN脚应参照的是开尔文接地(SG )和被施加到一个施密特触发器。神光
引脚为开尔文的回报只有IN引脚。该信号随后被施加到中间层驱动程序和电平移位器;本节包含的专有
电路设计,具体来说为环减排。为了进一步提高该装置的实用的驱动芯片和MOSFET管芯相邻模
选择。这提供了在传输延时之交的非常接近的比赛。
050-4975修订版B 4-2009
DRF1301
没有输入到U1或DRF1300的U2被隔离,可直接连接到接地参考的电源或控制电路。
隔离适当的应用是在最终用户的责任。
至关重要的是,高输出电流被限制为
源(14 ,16,18 )和漏极( 15 , 17)通过设计引脚。见DRF100对驱动器IC中的器件中使用的更多信息。
功能( FN , 3脚或9脚)是反转或不反转选择引脚,在内部保持高电平。
真值表*参考SG
FN (引脚3 )
IN(引脚4 )
MOSFET U1
ON
关闭
关闭
ON
真值表*参考SG
FN (引脚9)
IN(引脚10 )
MOSFET U2
ON
关闭
关闭
ON
图2中, DRF1301测试电路
在图2所示的测试电路被用于评估DRF1301 (可作为评估电路板DRF13XX / EVALSW 。 )的输入
控制信号是通过使用RG188 IN和SG端子施加。这提供卓越的抗干扰能力和信号接地电流的控制。
在+ V
DD
输入端(引脚2 , 6 , 8和12 )应大力绕过由1uF的电容尽量靠近引脚放置。所使用的电容器
对于这个功能必须能够支撑RMS电流和栅极负载的频率。将50欧姆(RL)负载是用来评价
输出性能。
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4748103 5283202 5231474 5434095 5528058 6939743和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-4975修订版B 4-2009
DRF1301
引脚分配
销1
销2
3脚
引脚4
5脚
引脚6
7针
引脚8
9针
引脚10
引脚11
引脚12
引脚13
引脚14
引脚15
PIN码16
PIN码17
18 PIN
U1 + VDD
U1 FN
在U1
U1 SG
U1 + VDD
U2 + VDD
U2 FN
U2 IN
U2 SG
U2 + VDD
来源
U2漏
来源
U1漏
来源
2.000
GAPS - 0.090" , 2 PLCS
GAPS - 0.080" , 2 PLCS
0.263
大商机 - 0.300" , 2 PLCS
0.300
MEDIUM信息 - 0.175" , 3 PLCS
0.040
18
17
16
15
14
0.125
R0.150
4 PLC的
0.125
0.750
1.000
DRF1300
0.125
4 PLC的
0.250
0.300
0.250
1
0.268
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
13
大商机 - 0.135" , 3 PLCS
GAPS - 0.0400" , 4 PLCS
GAPS - 0.0300" , 8 PLCS
0.005" TYP 。半硬
铜镀金
050-4975修订版B 4-2009
所有尺寸均为± 0.005
图4中, DRF1301机械概要
查看更多DRF1301PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DRF1301
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
DRF1301
Microchip Technology Inc.
24+
22000
T4
原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
DRF1301
Microchip
20+
12000
进口原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:287673858 复制

电话:0755-82533534
联系人:欧阳
地址:深圳市福田区华强北街道上步路上步工业区201栋316室
DRF1301
Microsemi
1650+
1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2956528467 复制

电话:400-168-7299
联系人:King
地址:深圳市福田区福田街道福安社区福华一路国际商会大厦A栋1305-1306
DRF1301
MICROCHIP/微芯
22+
5500
原装正品,诚信经营
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
DRF1301
Microchip Technology
24+
10000
-
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
DRF1301
MICROSEMI/美高森美
2443+
23000
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:83415655 复制

电话:13311626995
联系人:易
地址:上海市闵行区闵北路88弄1-30号104幢1层A区
DRF1301
Microsemi
22+
1
高频管
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
DRF1301
Microsemi
21+
5001
高频管
全新原装正品/质量有保证
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
DRF1301
Microsemi
21+22+
27000
高频管
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
DRF1301
microchipdirect
15420
23+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
查询更多DRF1301供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!