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DRF1202
500V , 50A ,为30MHz
MOSFET驱动器的混合
该DRF1202混合包括高功率栅极驱动器和功率
MOSFET。驱动器输出可以CON组fi gured作为反相和非
反相。它的目的是提供系统设计者增加
灵活性和在一个非集成的解决方案降低了成本。
D
IN
司机
50A
MOSFET
S
特点
开关频率: DC至15MHz的
低脉冲宽度失真
单电源供电
1V CMOS施密特触发器输入1V
迟滞
反相非反相选择
符合RoHS
开关速度3-4ns
B
VDS
= 500V
I
ds
= 50A的魅力。
R
DS ( ON)
0.25欧姆
P
D
= 1180W
典型应用
C类,D和E的RF发生器
开关模式电源放大器器
脉冲发生器
超声换能器驱动程序
声光调制器
司机绝对最大额定值
符号
V
DD
IN, FN
I
PK
T
JMAX
参数
电源电压
输入电压单
输出电流峰值
工作和存储温度
评级
15
-.7至+5.5
8
175
单位
V
A
°C
司机特定网络阳离子
符号
V
DD
IN
IN
(R)
IN
(F)
I
DDQ
I
O
C
国际空间站
R
IN
V
吨(ON)的
V
T(关)
T
DLY
t
r
t
f
T
D
参数
电源电压
输入电压
输入电压上升沿
输入电压下降沿
静态电流
输出电流
输入电容
输入并联电阻
输入,从低到高输出(见真值表)
投入,高至低输出(见真值表)
时间延迟(吞吐量)
上升时间
下降时间
道具。延迟
0.8
1.9
38
5
5
35
ns
050-4973修订版D 5-2011
10
3
典型值
最大
15
5.5
单位
V
3
3
2
8
3
1
1.1
2.2
ns
mA
A
V
ns
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
驱动器输出特性
符号
C
OUT
R
OUT
L
OUT
F
最大
F
最大
参数
输出电容
输出电阻
输出电感
工作频率CL = 3000nF + 50Ω
工作频率RL = 50Ω
30
50
典型值
2500
.8
3
最大
DRF1202
单位
pF
Ω
nH
兆赫
司机热特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JHS
T
JSTG
P
DJHS
P
DJC
参数
热阻结到外壳
热阻结到散热器
储存温度
最大功率耗散@ T
SINK
= 25°C
总功率耗散@ T
C
= 25°C
典型值
1.5
2.5
-55到150
最大
单位
° C / W
°C
W
60
100
MOSFET绝对最大额定值
符号
BV
DSS
I
D
R
DS ( ON)
T
JMAX
参数
漏源电压
连续漏电流T
HS
= 25°C
通态电阻的漏 - 源
工作温度
0.25
175
500
50
典型值
最大
单位
V
A
Ω
°C
MOSFET的动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
典型值
2000
165
75
pF
最大
单位
MOSFET的热特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JHS
T
JSTG
P
美国国土安全部
P
DC
参数
热阻结到外壳
热阻结到散热器
储存温度
最大功率耗散@ T
SINK
= 25°C
总功率耗散@ T
C
= 25°C
典型值
0.53
0.141
-55到150
最大
单位
° C / W
°C
W
1060
2830
Microsemi的保留权利更改,恕不另行通知,此处包含的说明和信息。
图1中, DRF1202简化的电路图
该简化的DRF1202电路图上面的说明。由包括驱动高速旁路电容器(C1) ,其贡献
驱动器输出的内部寄生环路电感大大降低。此,再加上混合的紧密的几何形状,允许最佳
栅极驱动MOSFET。这种低寄生方法,加上施密特触发器输入端(IN ) ,开尔文信号地( SG)和所述反
环功能,提供更好的稳定性和控制千瓦到数千瓦,高频应用。 IN引脚的输入为
控制信号和被施加到一个施密特触发器。两者的FN和IN管脚都参考开尔文接地(SG )的信号然后被施加到
中间驱动程序和电平转换器;本节包含了专有的电路设计,具体来说为环减排。电源
驱动器提供到MOSFET的栅极的高电流。
050-4973修订版D 5-2011
DRF1202
功能( FN , 3脚)是反转还是非反转选择引脚,它在内部保持高电平。
真值表
*参考SG
FN ( 3脚) *
IN(引脚4 ) *
MOSFET
ON
关闭
关闭
ON
图2中, DRF1202测试电路
测试电路上面说明是用来评估DRF1202 (可作为评估电路板DRF12XX / EVALSW 。 )输入
控制信号(4)和SG (5)使用RG188销通过在施加到DRF1202 。这提供了出色的抗噪声能力的控制
信号接地电流。
在+ V
DD
输入端(2,6)是被旁路(C1,C2 ,C4- C9) ,这是在除了内部的分路过如前所述。所使用的电容器
对于这个功能必须能够支撑RMS电流和栅极负载的频率。
L
为我设置
DM
在V
DS
最大这个负荷被用来
评价DRF1202的输出性能。
050-4973修订版D 5-2011
DRF1202
引脚分配
销1
销2
3脚
引脚4
5脚
引脚6
7针
引脚8
9针
引脚10
VDD +
FN
IN
SG
VDD +
来源
来源
所有尺寸均为± 0.005
050-4973修订版D 5-2011
图3中, DRF1202机械概要
DRF1202
500V , 50A ,为30MHz
MOSFET驱动器的混合
该DRF1202混合包括高功率栅极驱动器和功率
MOSFET。驱动器输出可以CON组fi gured作为反相和非
反相。它的目的是提供系统设计者增加
灵活性和在一个非集成的解决方案降低了成本。
D
IN
司机
50A
MOSFET
S
特点
开关频率: DC至30MHz
低脉冲宽度失真
单电源供电
1V CMOS施密特触发器输入1V
迟滞
反相非反相选择
符合RoHS
开关速度3-4ns
B
VDS
= 500V
I
ds
= 50A的魅力。
R
DS ( ON)
0.25欧姆
P
D
= 1180W
典型应用
C类,D和E的RF发生器
开关模式电源放大器器
脉冲发生器
超声换能器驱动程序
声光调制器
司机绝对最大额定值
符号
V
DD
IN, FN
I
PK
T
JMAX
参数
电源电压
输入电压单
输出电流峰值
工作和存储温度
评级
18
-.7至+5.5
8
175
单位
V
A
°C
司机特定网络阳离子
符号
V
DD
IN
IN
(R)
IN
(F)
I
DDQ
I
O
C
OSS
C
国际空间站
R
IN
V
吨(ON)的
V
T(关)
T
DLY
t
r
t
f
T
D
参数
电源电压
输入电压
输入电压上升沿
输入电压下降沿
静态电流
输出电流
输出电容
输入电容
输入并联电阻
输入,从低到高输出
投入,高至低输出
时间延迟(吞吐量)
上升时间
下降时间
道具。延迟
0.8
1.9
38
5
5
35
ns
050-4973修订版B 4-2009
8
3
典型值
15
最大
18
5.5
单位
V
3
3
2
8
2500
3
1
1.1
2.2
ns
mA
A
pF
V
ns
Microsemi的网站 - http://www.microsemi.com
MOSFET绝对最大额定值
符号
BV
DSS
I
D
R
DS ( ON)
参数
漏源电压
连续漏电流T
HS
= 25°C
通态电阻的漏 - 源
0.25
500
50
典型值
最大
DRF1202
单位
V
A
Ω
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
典型值
2000
165
75
pF
最大
单位
热特性
符号
R
θ
JC
R
θ
JHS
T
JSTG
P
D
P
DC
参数
热阻结到外壳
热阻结到散热器
储存温度
最大功率耗散@ T
SINK
= 25°C
总功率耗散@ T
C
= 25°C
评级
0.10
0.27
-55到150
1180
3100
单位
° C / W
°C
W
Microsemi的保留权利更改,恕不另行通知,此处包含的说明和信息。
图1中, DRF1202简化的电路图
该简化的DRF1202电路图上面的说明。由包括驱动高速旁路电容器(C1) ,其贡献
驱动器输出的内部寄生环路电感大大降低。此,再加上混合的紧密的几何形状,允许最佳
栅极驱动MOSFET。这种低寄生方法,加上施密特触发器输入端(IN ) ,开尔文信号地( SG)和所述反
环功能,提供更好的稳定性和控制千瓦到数千瓦,高频应用。 IN引脚的输入为
控制信号和被施加到一个施密特触发器。两者的FN和IN管脚都参考开尔文接地(SG )的信号然后被施加到
中间驱动程序和电平转换器;本节包含了专有的电路设计,具体来说为环减排。电源
驱动器提供到MOSFET的栅极的高电流。
050-4973修订版B 4-2009
DRF1202
功能( FN , 3脚)是反转还是非反转选择引脚,它在内部保持高电平。
真值表
*参考SG
FN ( 3脚) *
IN(引脚4 ) *
MOSFET
ON
关闭
关闭
ON
图2中, DRF1202测试电路
测试电路上面说明是用来评估DRF1202 (可作为评估电路板DRF12XX / EVALSW 。 )输入
控制信号(4)和SG (5)使用RG188销通过在施加到DRF1202 。这提供了出色的抗噪声能力的控制
信号接地电流。
在+ V
DD
输入端(2,6)是被旁路(C1,C2 ,C4- C9) ,这是在除了内部的分路过如前所述。所使用的电容器
对于这个功能必须能够支撑RMS电流和栅极负载的频率。甲50Ω (R 4)负荷来评价
该DRF1202的输出性能。
Microsemi的产品受一项或多项美国专利4895810 5045903 5089434 5182234 5019522 5262336 6503786 5256583
4748103 5283202 5231474 5434095 5528058 6939743和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
050-4973修订版B 4-2009
DRF1202
引脚分配
销1
销2
3脚
引脚4
5脚
引脚6
7针
引脚8
9针
引脚10
U1 + VDD
FN
在U1
U1 SG
U1 + VDD
来源
来源
1.500
0.300
0.200
0.275
0.038
GAPS - 0.090" , 2 PLCS
0.275
0.200
0.370
10
0.125
9
8
R0.150
4 PLC的
0.125
0.750
1.000
0.520
0.0045
0.125
4 PLC的
0.250
0.250
0.300
1
0.275
2
3
4
5
6
7
GAPS - 0.050" , 6 PLCS
小信息 - 0.040" , 3 PLCS
大商机 - 0.200" , 2 PLCS
MEDIUM信息 - 0.065" , 2 PLCS
0.005" TYP 。半硬
铜镀金
所有尺寸均为± 0.005
050-4973修订版B 4-2009
图3中, DRF1202机械概要
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    DRF1202
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DRF1202
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
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DRF1202
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DRF1202
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DRF1202
MICROSEMI/美高森美
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