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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第658页 > DRDNB26W-7
SPICE模型: DRDPB26W DRDN005W DRDN010W DRDNB16W DRDNB26W DRDP006W DRDPB16W
DRD ( XXXX )W,
无铅绿色
复杂阵列,用于继电器驱动器
特点
新产品
外延平面片建设
一晶体管和一开关
二极管在一个封装中
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
B C
A
SOT-363
暗淡
A
B
C
D
F
H
M
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
机械数据
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。 "Green"成型
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识&类型代码信息:查看最后
页面
订购信息:见最后一页
重量: 0.008克(约)
J
D
K
G
H
0.65标称
J
K
L
M
α
L
尺寸:mm
P / N
DRDNB16W
DRDPB16W
DRDNB26W
DRDPB26W
R1 ( NOM ), R2 ( NOM )
1K
1K
220
220
10K
10K
4.7K
4.7K
DRDN010W/
DRDN005W
DRDP006W
R2
R1
R1
R2
DRDNB16W/
DRDNB26W
DRDPB16W/
DRDPB26W
最大额定值,器件总
特征
功率耗散(注3 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
200
625
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
热阻,结到环境空气(注3 )
操作和储存和温度范围内
最大额定值, DRDN010W NPN晶体管
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(注3 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
45
18
5
1000
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
80
80
4.0
500
单位
V
V
V
mA
单位
V
V
V
mA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
最大额定值, DRDN005W NPN晶体管
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 - (注3 )
注意事项:
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策,可以在我们的网站上找到在http : //www.diodes.com/products/lead_free/index.php 。
3.设备安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf
.
DS30573牧师8 - 2
1 9
www.diodes.com
DRD ( XXXX )W,
Diodes公司
最大额定值, DRDP006W PNP晶体管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
-60
-60
-5.0
-600
单位
V
V
V
mA
新产品
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(注3 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
最大额定值, DRDNB16W预偏置NPN晶体管
特征
电源电压
输入电压
输出电流
符号
V
CC
V
IN
I
C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
50
-5到+10
600
单位
V
V
mA
最大额定值, DRDNB26W预偏置NPN晶体管
特征
电源电压
输入电压
输出电流
符号
V
CC
V
IN
I
C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
50
-5到+5
600
单位
V
V
mA
最大额定值, DRDPB16W预偏置PNP晶体管
特征
电源电压
输入电压
输出电流
符号
V
CC
V
IN
I
C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
-50
+5至-10
600
单位
V
V
mA
最大额定值, DRDPB26W预偏置PNP晶体管
特征
电源电压
输入电压
输出电流
符号
V
CC
V
IN
I
C
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
-50
+5到-5
-600
单位
V
V
mA
最大额定值,开关二极管
特征
非重复性峰值反向电压
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流(注3 )
平均整流输出电流(注3 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
FM
I
O
I
FSM
价值
100
75
53
500
250
4.0
2.0
单位
V
V
V
mA
mA
A
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 1.0ìs
@ T = 1.0S
DS30573牧师8 - 2
2 9
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DRD ( XXXX )W,
电气特性, DRDN010W NPN晶体管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
单位
V
V
V
V
A
A
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 100mA时V
CE
= 1V
I
C
= 300毫安,我
B
= 30毫安
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
V
CB
= 40V ,我
E
= 0
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
V
CE
= 10V ,我
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
新产品
特征
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
电流增益带宽积
电容
符号
h
FE
V
CE ( SAT )
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
f
T
C
敖包
150
45
18
5
100
最大
800
0.5
1
1
8
电气特性, DRDN005W NPN晶体管
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CES
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
80
80
4.0
100
100
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大
100
100
0.25
1.2
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 100μA ,我
C
= 0
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
V
CE
= 60V ,我
BO
= 0V
V
CE
= 80V ,我
BO
= 0V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 100mA时V
CE
= 1.0V
V
CE
= 2.0V ,我
C
= 10毫安,
F = 100MHz的
电气特性, DRDP006W PNP晶体管
特征
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
电流增益带宽积
电容
符号
h
FE
V
CE ( SAT )
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
f
T
C
敖包
100
-60
-60
-5
200
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
最大
300
-0.4
-10
8
单位
V
V
V
V
nA
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -150mA ,V
CE
= -10V
I
C
= -150mA ,我
B
= -15mA
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -10mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CB
= -50V ,我
E
= 0
V
CE
= -20V ,我
C
= -50mA , F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
CC
= 5V ,我
O
= 100A
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
I
O
/I
l
= 50毫安/ 2.5毫安
V
I
= 5V
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 50毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= 5毫安,
F = 100MHz的
电气特性, DRDNB16W预偏置NPN晶体管
特征
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
V
L(关闭)
V
L(上)
V
O(上)
I
l
I
O(关)
G
l
f
T
0.3
56
典型值
200
最大
2.0
0.3V
7.2
0.5
单位
V
V
V
mA
A
兆赫
DS30573牧师8 - 2
3 9
www.diodes.com
DRD ( XXXX )W,
电气特性, DRDNB26W预偏置NPN晶体管
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
新产品
特征
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
V
L(关闭)
V
L(上)
V
O(上)
I
l
I
O(关)
G
l
f
T
0.5
47
典型值
200
最大
3.0
0.3V
28
0.5
单位
V
V
V
mA
A
兆赫
V
CC
= 5V ,我
O
= 100A
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
I
O
/I
l
= 50毫安/ 2.5毫安
V
I
= 5V
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 50毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= 5毫安,
F = 100MHz的
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
CC
= -5V ,我
O
= -100A
V
O
= -0.3V ,我
O
= -20mA
I
O
/I
l
= -50mA / -2.5mA
V
I
= -5V
V
CC
= -50V, V
I
= 0V
V
O
= -5V ,我
O
= -50mA
V
CE
= -10V ,我
E
= -5mA ,
F = 100MHz的
电气特性, DRDPB16W预偏置PNP晶体管
特征
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
V
L(关闭)
V
L(上)
V
O(上)
I
l
I
O(关)
G
l
f
T
-0.3
56
典型值
200
最大
-2.0
-0.3V
-7.2
-0.5
单位
V
V
V
mA
A
兆赫
电气特性, DRDPB26W预偏置PNP晶体管
特征
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
V
L(关闭)
V
L(上)
V
O(上)
I
l
I
O(关)
G
l
f
T
-0.5
47
典型值
200
最大
-3.0
-0.3V
-28
-0.5
单位
V
V
V
mA
A
兆赫
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
V
CC
= -5V ,我
O
= -100A
V
O
= -0.3V ,我
O
= -20mA
I
O
/I
l
= -50mA / -2.5mA
V
I
= -5V
V
CC
= -50V, V
I
= 0V
V
O
= -5V ,我
O
= -50mA
V
CE
= -10V ,我
E
= -5mA ,
F = 100MHz的
电气特性,开关二极管
特征
反向击穿电压(注4 )
正向电压(注4 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
75
0.62
最大
0.72
0.855
1.0
1.25
2.5
50
30
25
4.0
4.0
单位
V
A
A
A
nA
pF
ns
测试条件
I
R
= 10A
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 150毫安
V
R
= 75V
V
R
= 75V ,T
j
= 150°C
V
R
= 25V ,T
j
= 150°C
V
R
= 20V
V
R
= 0 , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安,
I
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
符号
V
( BR )R
V
F
反向电流(注4 )
总电容
反向恢复时间
注意事项:
4.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
I
R
C
T
t
rr
DS30573牧师8 - 2
4 9
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DRD ( XXXX )W,
设备特点
250
P
D
,功耗(毫瓦)
1000
新产品
200
h
FE
,直流电流增益
150
100
100
50
V
CE
= 1.0V
0
0
100
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,功率降额曲线(共有设备)
200
1
0.0001
.001
.01
.1
1
10
I
C
,集电极电流( A)
图。 2 ,典型的直流电流增益VS
集电极电流( DRDN010W )
100
F = 1MHz的
1000
C
敖包
,输出电容( pF)的
V
CE (SAT)
,集电极 - 发射极
饱和电压(MV )
1
10
100
100
10
10
1
0.1
1
0.0001
.001
V
CB
,集电极 - 基极电压( V)
图。 3 ,输出电容与
集电极 - 基极电压( DRDN010W )
1
I
C
,集电极电流( A)
图。 4 ,集电极饱和电压与
集电极电流( DRDN010W )
.01
.1
10
DS30573牧师8 - 2
5 9
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DRD ( XXXX )W,
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数量
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DRDNB26W-7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
DRDNB26W-7
DIODES/美台
2018+
82000
SOT-363
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877807 复制

电话:171-4755-1968(微信同号)
联系人:周小姐171-4755-196微信同号,无线联通更快捷!8
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
DRDNB26W-7
DIODES
24+
3675
SOT-363
5¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:5元
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
DRDNB26W-7
Diodes Incorporated
24+
10000
SOT-363
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
DRDNB26W-7
Diodes Incorporated
24+
6030
SOT-363
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
DRDNB26W-7
DID
25+23+
15500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
DRDNB26W-7
DIODES
22+
3854
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1101329890 复制 点击这里给我发消息 QQ:1803862608 复制

电话:0755-82789296
联系人:朱先生/公司可以开13%的税
地址:深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
DRDNB26W-7
Diodes
1545+
13200
N/A
一级代理原装现货热卖!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:183166527 复制 点击这里给我发消息 QQ:3404987807 复制
电话:0755-83515980
联系人:陈先生
地址:深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
DRDNB26W-7
DIODES/美台
21+
3000
NA
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
DRDNB26W-7
DIODES INC.
21+
12720
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388356 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388351 复制
电话:0755-83039139
联系人:邓小姐
地址:深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
DRDNB26W-7
DIODES INC.
7573
原装正品!价格优势!
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